PTC热敏电阻器的电阻温度特性及应用

本文从半导体陶瓷PTC热敏电阻器入手，讨论了该热敏材料的电阻温度特性，给出了PTC热敏电阻器的测量结果和应用范围。     

虚时温度场论中的维数正规化及QED二圈热力学势

对在虚时温度场论的框架下进行维数正规化的步骤和方法作了一般性地讨论.作为应用的例子,计算了QED的双圈热力学势及其重整化.     

在均匀引力场中理想玻色气体的凝聚温度

利用理想玻色气体的状态方程和平均占有粒子数的爱因斯坦分布，研究在均匀引力场中理想玻色气体的凝聚温度     

有限温度下多维裂变速率的量子修正

用路径积分方法得到了有限温度下多维量子裂变速率的表达式.     

旋转靶强流中子源及其应用

 一、旋转靶强流中子源的现状一般讲,强流中子源是指中子注量在4π空间中一秒钟内具有近于或等于或大于1×10¹²个中子的辐射场。它可以利用反应堆得到平均能量为1MeV的中子;利用高能电子或质子加速器可得能量为数MeV的中子。国内外最近一、二十年来,在强流中子源方面做了大量的研究实验工作,除了利用加速器的（d-Be）,（p-Be）和（d-D）反应产生中子外,大量的工作集中在用（d-T）反应并使用高速旋转的氚靶以产生强流中子场。     

谈可逆放热反应的最适宜反应温度

论证了一般可逆放热反应最适宜反应温度的存在；推导了最适宜反应温度与平衡温度之间的关系、与转化率之间的一般关系以及某些具体反应中的具体关系。     

温度对应变式位移传感系统灵敏系数的影响

应变式位移传感系统的工作原理是基于电阻应变效应,该系统具有精度高﹑稳定性好等优点,但温度尤其是极端低温环境将影响该系统的灵敏系数,进而影响其测量精度.本文介绍了一种可用于低温环境的应变式位移传感系统,理论分析和实验研究了温度对该系统灵敏系数的影响,研究结果为其在低温环境中的应用提供了一定基础。     

FeCo基纳米晶合金高温交换耦合作用机理

研究了500和600℃真空退火后的纳米晶Fe_38.4Co₄₀Si₉B₉Nb_2.6Cu合金初始磁导率随温度的变化规律,发现较高温度(600℃)退火的FeCo基纳米晶合金,在非晶相居里温度以上较宽温度范围内磁导率没有明显的衰减,这是在双相纳米晶合金中观察到的一种新现象,其磁特性不同于Fe基纳米晶合金.为了探明这种现象的起源,估算了与剩余非晶相同成分的非晶合金的居里温度及纳米晶粒间发生交换耦合作用的参数 关键词： 交换耦合作用 非晶相居里温度 交换耦合穿透深度     

温度对光学微腔光子激子系统玻色凝聚的影响

建立了光学微腔中光子激子系统的物理模型,确定了光学微腔宽度为常数和可变这两种情况下玻色凝聚时化学势的变化范围和粒子数密度随温度和位置的变化规律.以半导体GaAs光学微腔为例,探讨了温度对玻色凝聚的影响.研究表明:系统出现玻色凝聚时激子化学势的变化范围与材料介电函数、微腔宽度有关,而光子和激子的粒子数密度及总粒子数还与温度有关.玻色凝聚温度理论值与实验值接近.刚出现玻色凝聚时,光子和激子的粒子数密度几乎相等,且局限在r=0的附近;随着温度的降低,光子和激子的粒子数密度都增加,且存在的范围也不断扩大;不论光学微腔宽度是否可变,光子和激子的粒子数密度以及总粒子数都随温度的降低而增大,光子数总是多于激子数.     

In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。