简讯

欢迎订阅2013年《计测技术》《计测技术》创刊于1958年,是中航工业北京长城计量测试技术研究所(国防科技工业第一计量测试研究中心)主办的计量测试技术类期刊,双月刊,逢双月28日出版,国内外公开发行。     

典型折反式超短投射比投影显示系统的光电测试研究

基于典型的折反式超短投射比DLP投影光学系统,提出并搭建了一种通过调整RGB-LED轮转占空比实现白平衡同步实时反馈的DLP投影仪全性能快速测试平台,设计了投影系统的整机层叠式机构和散热布局,并在测试平台下通过光学、散热、功耗、噪声和温升等实验对投影整机的光电性能进行了验证。实验结果具有一定的应用价值和可行性,能够为相关研究和产业化生产提供基本的参考依据。     

ICASI’2012,CCATM’2012国际冶金及材料分析测试学术报告会及展览会征文通知

为促进全球范围内冶金及材料分析测试技术、优化冶金制造流程与产品的过程检测,国际钢铁工业分析委员会、中国金属学会(CSM)及中国机械工程学会(CMES)将于2012年10月31日-11月3日在"国家会议中心(北京)"联合举办ICASI’2012,CCATM’2012国际冶金及材料分析测试学术报告会及展览会。热忱欢迎冶金、材料、矿山、化工、机械、地质、环保、外贸、国防、商检等单位、部门或院校从事冶金分析、无损检测、物理及力学测试等相关工作的技术人员及管理者踊跃投稿,积极参加。     

网购平台在线声誉机制作用的实证研究方法评析

在线声誉机制是网购平台重要的信号机制,是平台可持续成长的基础.从理论基础、研究假设、数据来源、变量选择、模型应用等方面,全面梳理了在线声誉机制作用的实证研究方法,包括Hedonic回归、Logit、Probit、Poisson、Tobit、截取正态回归、样本选择回归、固定效应、广义最小二乘法等模型的应用.最后展望未来相关研究及方法,并构建在线声誉机制作用的实证研究综合框架.     

托卡马克中局域磁扰动引起的高能量离子损失研究

基于单粒子导心运动代码ORBIT，采用测试粒子模拟方法，研究了托卡马克等离子体内部不同径向位置处局域磁场扰动对高能量离子的损失的影响。研究表明，在局域磁扰动主要分布在某磁面附近、其环向具有类似纹波场形式下，可造成一些靠近等离子体中心区域的高能量离子损失，但对靠近等离子边界的离子损失影响相对不大。这些损失的高能量离子均为捕获离子，离子的投掷角越大就越容易损失。此外，造成高能量离子最大损失率的局域场径向位置与这些损失离子的初始径向位置通常存在一定的偏移，而且这个偏移与这些离子的能量密切相关。当局域场出现在某些位置时，能量较低的离子会有一定的损失，能量较高的离子反而不会损失。     

OPNET和STK联合的空间光骨干网络仿真设计

空间光骨干网络是我国空间信息网络的核心。为了对空间光骨干网络中的协议体系、网络架构和关键技术进行可行性验证，开发了基于OPNET和STK(satellite tool kit，卫星工具包)联合的空间光骨干网络仿真平台。设计了由4颗GEO卫星组成的天基骨干网、由10颗LEO卫星组成的天基接入网；开发了由物理层到应用层的光网络协议仿真模型和LEO、GEO、地面站3种节点进程模型，对光骨干网络进行了仿真测试。仿真结果表明:空间光骨干网络最大时延为5.48 s，最小为0.35 s，网络全局平均时延为1.06 s，地面站实时吞吐量最大值为0.88 Gb/s，最小为0.3 Gb/s，证明该平台可准确模拟空间光骨干网络功能，满足空间业务高效传输的需求，为空间光骨干网络性能验证提供仿真平台支持。     

云制造平台加工能力分享调度优化研究

云制造平台加工能力分享的调度优化是云制造模式的核心运营问题。为提高云制造平台对参与能力分享企业资源的利用率,解决实际云制造需求环境下企业级制造资源调度问题,达到云制造平台动态实时的要求,以最小化工期和成本为目标函数,构建了基于平台并面向分享的云加工能力调度模型。为快速求解多个云任务订单的最优调度序列,引入任务简易编码和随机权重,设计了改进的二阶粒子群算法,并提出可分享加工能力时间窗的更新策略。最后,通过算例验证云制造平台加工能力调度机制的可行性和有效性。     

栅极天线和NMOS耦合的CMOS太赫兹热探测器的设计与测试

设计了一种在室温工作的太赫兹热探测器.探测器由片上天线和温度传感器耦合而成.天线由NMOS温度传感器的栅极组成,吸收入射的太赫兹波将其转化为焦耳热,生成的热量引起的温度变化由温度传感器探测.整个探测器的探测过程分为电磁辐射吸收、波-热转换、热-电转换三个过程,并分别进行了建模分析,仿真得到天线吸收率为0.897,热转换效率为165K/W,热电转换效率为1.77mV/K.探测器基于CMOS 0.18μm工艺设计,工艺处理后将硅衬底打薄至300μm.探测器在3THz太赫兹环境下,入射功率为1mW时,电压响应率仿真值为262mV/W,测试值为148.83mV/W.     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

<正>中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献。现计划在半导体     

“理化测试学术研讨会”暨《理化检验》创刊50年庆祝活动通知(第二轮)

为庆祝《理化检验》杂志创刊50年,回报长期以来关心、支持《理化检验》杂志的广大作者和读者,进一步发挥专业媒体的作用,拓宽和强化学术交流平台,促进我国理化检验水平的进一步提高,推动与加强行业的理化检验工作,增强我国产品在国际间的竞争能力,并充分展示国内外理化测试技术的最新进展,上海材料研究所、中国机械工程学会理化检验分会决定于2012年10月28日至31日在上海联合举办"理化测试学术研讨会"暨《理化检验》创刊50年庆祝活动。会议期间,还将举行第八届《理化检验-化学分册》编委会换届会议,