脂溶性酞菁钴(III)为载体的高选择性亚硝酸根PVC膜电极

以自制的4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(II)为原料合成二氯4,4',4',4''-四特丁基酞菁钴(III)。以此为载体制备PVC膜电极。该电极的电位选择性次序明显不同于Hofmeister次序, 其最佳 响应斜率为-52mV/pNO2^-, 线性范围为3×10^-^5～1×10^-^1mol.dm^-^3NaNO2。通过改变配合物轴向的配位阴离子, 用紫外-可见光谱法对电极的响应机理作了初步探讨。     

商标数据库存储模式及其检索算法研究

依据商标专家的先验知识和基于内容的图像检索技术，提出了一种新的商标库存储结构，并依据该存储结构设计了以三级检索算法为核心的实用商标登记注册管理系统，对于检索算法，一级检索采用人工确认，二级检索采用傅立叶描述子作为边缘特征向量，三级检索采用hu不变矩组作为矩特征向量，从而达到提高商标申请注册中的检索速度和查准率。     

Solutions for a Mode Ⅲ Growing Crack in a Piezoelectric Plane Under Two Kinds of Electric Boundary Conditions ＊

The solutions for a mode Ⅲ crack growing along an arbitrary propagation path in a piezoelectric plane are studied under the impermeable surface condition and the electrical contact surface condition respectively. According to the two kinds of electric boundary conditions, the Hilbert and Riemann boundary value problems in a half-plane including opening smooth arc are obtained from the theoretical analysis. Moreover, the equipollence of the solution formed under these two electric boundaries is proved, and unified solutions for the stress and electric displacement distribution in the crack-tipfield of the piezoelectric plane are achieved.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

Simulation of Patterns and Qualitative Analysis of Pattern Rotation in an End-Pumped Nd：YVO4 Laser

We simulate some laser output patterns observed in our previous experiment employing superposition of Laguerre- Gaussian modes. The rotating pattern is qualitatively analysed from the point of contemporary spatial burning hole effect of the lasing crystal.     

三种瓜环与4,4′-联吡啶及N,N′-二甲基4,4′-联吡啶盐酸盐相互作用的研究

以七元瓜环(Q[7])和新型椭圆型改性瓜环———对称四甲基取代六元瓜环(TM eQ[6])为主体,4,4′-联吡啶的盐酸盐(44)以及N,N′-二甲基4,4′-联吡啶的盐酸盐(dm44)为客体的主客体相互作用进行了考察.实验结果表明,Q[7]与客体44及dm44作用体系中,客体为了更有效地被主体Q[7]包结,在Q[7]内腔中呈倾斜状分布的几率最高.用核磁共振、循环伏安以及紫外吸收光谱对实验结果进行了印证和补充,验证了TM eQ[6]与客体44及dm44可发生较强的相互作用,形成一维的自组装超分子结构.核磁共振以及循环伏安方法的实验结果表明,没有观察到Q[6]与客体44及dm44的明显作用,而紫外吸收光谱方法证实,Q[6]与客体44确实存在一定的相互作用,比较主客体的结构特征,该作用体系也可能存在自组装的一维超分子结构等多种作用形式.     

斜向静磁场中光导波模式转换与衍射理论

应用经典场论和耦合模理论计算了斜向静磁场作用下，磁性薄膜波导中静磁波与导波光的相互作用.计算结果表明，与垂直静磁场情形相比，斜向静磁场时的相匹配条件有所变化，由于磁性薄膜波导中法拉第磁光效应增强等因素，导波光的Bragg衍射效率得以显著增加.这有利于应用YIG等低损耗磁性薄膜做成高衍射效率的磁光波导器件，亦有利于降低Bi∶YIG等高比法拉第旋转的磁光薄膜波导器件的体积和损耗.此外，理论指出的在斜向静磁场条件下所具有的一些磁光特性与实验结果亦符合得很好. 关键词：     

中国海及其邻近海域的粘土矿物

本文对中国海及其邻近海域的354个站的表层沉积物中的粘土矿物,进行了系统的定性和半定量分析。对所得资料进行了数学处理,求得4种主要粘士矿物的趋势分布图和中国海及其邻近海域的4个主要不同物源的沉积区,建立了中国海及其邻近海域细粒物质的运移扩散模式。     

苯部分加氢制环己烯的非晶态Ru-M-B/ZrO2催化剂的表征

采用化学还原法，制备了高活性，高选择性非晶态RU-M-B/ZRO2催化剂，并将其用于催化苯部分加氢制环己烯，在140℃、5.0Mpa氢压下，苯转化40%时，环己烯选择性达到85%左右。环己烯最高收率达到52.1%，用XRD、SEM、BET比表面积测定等手段对摧化剂进行表征，XRD和SEM测试表明，RU-U-B/ZRO2属于非晶态，活性组分高度分散，XRD结果证实，在加氢过程中，非晶分解，RU晶化；温度愈高，RU晶化愈快，催化剂的活性、选择性与RU微晶的粒径有关，RU微晶粒径应控制在5nm左右，BET比表面积测定表明，ZRO2的负载提高了催化剂的比表面积，从而有利于活性组分的高度分散，并可阻止RU微晶的长大，讨论了B和ZRO2对提高选择性的作用。     

Cu(phen)22+与6-巯基嘌呤及DNA间的相互作用

在Tris-NaCl（pH=7.2）缓冲溶液中,应用伏安法、电子吸收光谱分析、溴化乙锭荧光分析、粘度测量和琼脂糖凝胶电泳等技术研究了Cu（phen）2^2＋（phen=1,10-邻菲咯啉）与6-巯基嘌呤（6-MP）及DNA间的相互作用。结果表明,Cu（phen）2^2＋与6-MP发生了明显的相互作用,其作用产物不仅与小牛胸腺DNA具有更强的相互作用,并且在H2O2和抗坏血酸存在下对质粒pBR322 DNA具有更强的断裂能力,与DNA的作用模式可能为部分插入模式。