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31.
束晕-混沌的复杂性理论与控制方法及其应用前景 总被引:18,自引:0,他引:18
本文系统论述涉及强流加速器等强流离子束装置中产生的束晕-混沌的复杂性理论与控制方法及其应用前景。强流离子束在核材料生产与增殖、洁净核能、放射性废物嬗变、放射性药物生产、重离子聚变、高能物理、核科学与工程、国防与民用工业和医疗等许多方面都有极其重要的应用潜力和诱人的发展前景。尤其是,近年来强流加速器驱动的放射性洁净核能系统是国内外关注的热门课题,因为它比常规核电更安全、更干净、更便宜。但是,强流离子束形成的束晕-混沌的复杂性现象已引起了国内外广泛关注,需要加以抑制、控制和消除这类现象,解决这一难题已经成为强流离子束应用中的关键问题之一。目前不仅必须深入研究这类束晕-混沌的复杂特性及其产生的物理机制,而且需要研究如何实现对束晕-混沌的有效控制,并寻求和发展其新理论、新方法和新技术。这就向强流离子束物理和非线性-复杂性科学及其技术提出了一系列极富挑战性的新课题。本文结合国内外的研究概况,根据我们多年来的研究成果,特别是我们首创性地提出了一些束晕-混沌的有效控制方法,它们包括:非线性反馈控制法,小波反馈控制法,变结构控制法,延迟反馈控制法,参数自适应控制法等,进行重点的介绍。对上述课题当前的主要进展及相关问题进行系统的总结和比较全面综述的评论。最后,指出该领域今后的研究方向,以推动这个崭新领域的深入研究和应用发展。 相似文献
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We have measured lifetimes of △n=0 allowed transitions in beryllium-like sulfur using beam foil spectroscopic techniques. The measured values, derived from analysis of arbitrarily normalized decay curves, are presented and compared with theoretical calculations and previous measurements. Accurate probabilities have been determined by the well-known relationship. 相似文献
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35.
WANG Mingwei LI Bo FENG Kun RAO Jun KANG Zihua LI Xiujuan LILi WANG Minghong FAN Mingjie 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2004,(1):77-79
in order to study non-indutive plasma current production, the lower hybrid current drive(LHCD) experiment on the HL-2A tokamak is carried out. Simultaneously a microcomputer has been used to control the whole LHCD system. During the experiment this year, we can monitor and protect the LHCD system by use of the microcomputer control system, which will imediately switch off the microwave power to be launched into the tokamak if the plasma is disrupted. All this ensure that the microwave is injected into the equipment correctly. 相似文献
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在标准模型中,稀有衰变道B+→D+sK*0只有通过纯湮没图才可以发生.这样这个衰变道的分支比很小.利用基于kT?因子化的微扰方法给出分支比的预测,发现它在10-8的量级上.这个衰变道估计在将来的LHC上得到测量,对检验标准模型以及探寻新物理有着重要的意义. 相似文献
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本文提供了预条件不精确牛顿型方法结合非单调技术解光滑的非线性方程组.在合理的条件下证明了算法的整体收敛性.进一步,基于预条件收敛的性质,获得了算法的局部收敛速率,并指出如何选择势序列保证预条件不精确牛顿型的算法局部超线性收敛速率. 相似文献
40.
报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献