图的下测地数和上测地数

对于图G(或有向图D)内的任意两点u和v,u—v测地线是指在u和v之间(或从u到v)的最短路．I(u,v)表示位于u—v测地线上所有点的集合,对于S(?)V(G)(或V(D)),I(S)表示所有I(u,v)的并,这里u,v∈S．G(或D)的测地数g(G)(或g(D))是使I(S)=V(G)(或I(S)=V(D))的点集S的最小基数．G的下测地数g~-(G)=min{g(D)：D是G的定向图},G的上测地数g~ (G)=max{g(D)：D是G的定向图}．对于u∈V(G)和v∈V(H),G_u H_v表示在u和v之间加一条边所得的图．本文主要研究图G_u H_v的测地数和上(下)测地数．     

Electromagnetic Scattering by a Chiral Grating in a Homogeneous Chiral Environment and its Finite Element Method with Perfectly Matched Absorbing Layers

1 Introduction The phenomenon of optical activity in special materials has been known since the beginning of the last century. Whereas optical activity has been considered in optics and in quantum mechanics for many years, its analysis within the framewor…     

薄膜物理及其应用讲座第五讲Fe－Si／X（Si，Cu，Pd，Cr）多层膜的磁性研究

系统研究了由非晶态Ｆｅ－Ｓｉ合金与Ｓｉ，Ｃｕ，Ｐｄ和Ｃｒ四种不同类型的材料组合而成的磁性多层膜的二维磁性，界面的死层效应和极化效应，层间耦合作用。在Ｆｅ－Ｓｉ／Ｃｒ多层膜研究中，发现了饱和磁化强度随Ｃｒ层厚度的改变而出现振荡变化的现象，这是由于磁性层甲内场的变化，特别是顺磁分量发生振荡变化引起的。     

赋层拓扑分子格及其紧性

拓扑分子格本身没有层次结构，为其构造某种层次成为很重要的问题。本文的构思是赋于分子格上的拓扑一种层次，从而使拓扑分子格具有丰富的层次性，其次讨论了保层次序同态与赋层积拓扑分子格，在此基础上建立了较理想的拓扑分子格的紧性。     

K1,r—free图的次限制树多项式算法

设Ｇ＝（Ｖ，Ｅ）为一连通图，ｄ〉０整数。Ｇ中存在生成对Ｔ，使得Δ（Ｔ）小于ｄ吗．这一问题已被证明是ＮＰ－完全的，故不太可能有多项式解法。本文证明了当Ｇ是Ｋ１，ｒ－ｆｒｅｅ时，则有Ｏ（ｎ＾２）的算法求出Ｇ生成树Ｔ，使Δ（Ｔ）≤ｒ，并用一个例子显示了这一结果是最好可能的。     

L-fuzzy拓扑空间的层浓度

在Ｌ－ｆｕｚｙ拓扑学中引入了层稠密集、层第一纲集、层Ｂａｉｒｅ空间、层浓度、及层可分空间等概念，研究了它们的基本性质，讨论了它们与分明拓扑学中相应概念的关系．     

北京同步辐射软X光反射率计装置及其物理工作

介绍了安装在北京同步辐射装置上专门用于软X光多层膜研究的反射率计系统,给出了在该装置上测量得到的Al滤光片的软X光透射谱和Nb/Si多层膜的高角反射谱,用磁控溅射方法自制的Nb/Si多层膜样品在17.59um附近得到的反射率为32%.     

用过剩压法生长金刚石过程中石墨再结晶现象的研究

描述了在过剩压驱动下金刚石晶种外延生长过程中，大量伴生的石墨再结晶现象，再结晶石墨抑制了金刚石的自发成核，它们分布于合成腔触媒金属的低温区，结晶数量多，晶粒片状分层，尺寸大，但出现乱层晶体结构，同时产生一定数量的无定形碳，分析认为，这与长时间的低过剩压驱动，触媒金属内有足够的碳源供给，并具备在高温高压下石墨分充结晶但又达不到完全石墨化条件有关，还讨论了在低过剩压驱动下，促进金刚石晶体外延生长的碳本     

爆轰驱动金属半球飞层自由面速度的测量

钝感炸药爆轰产物驱动金属飞片的研究工作直接同武器设计相联系。为探索研究爆轰产物驱动金属飞片的运动规律及金属材料本构关系对爆轰产物驱动飞片自身飞行的影响，用任意反射面速度干涉仪VISAR（Vclocity Interfcrometer Systcm for Any Rcflector）对不同厚度的铜半球飞层上多个点的速度历程进行了测量，得到了飞层运动的速度-时间曲线，给理论分析提供了实验数据。