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991.
992.
以能斯特方程为基础, 通过分析电流密度与氧化还原物种活度变化, 即载流子浓度变化的关系, 计算出有机半导体材料电极电势的变化, 从而建立起有机半导体前线轨道, 即最高占据分子轨道(HOMO)能级和最低未被占据分子轨道(LUMO)能级相对于热力学平衡态的能量位移随电流密度变化的数学关系. 进而依据能级能量位移引起的能隙变化, 提出了有机电致发光显示器(OLED)中“热激子”的产生机制. 相似文献
993.
995.
多电解质溶液中带电胶体粒子的电势分布由球形Poisson-Boltzmann方程(PBE)描述.PBE是一个非线性的微分方程,且难以求得其解析解.本文采用非线性P-B积分方程,计算电势分布的数值解.首先,根据静电场和热力学系统中的物理定理,导出描述电势分布的P-B积分方程(PBIE);其次,用迭代方法求PBIE的数值解.最后,计算了在3-1型电解液中无量纲半径κa分别为0.12和0.22,无量纲表面电势ξ分别为1,2,4,6时球形胶体粒子外部的电势值.为了检验数值解的精度,计算了表面电荷密度,并与Loeb(1961)和Oshima(1995)等人的结果比较,本文结果的相对误差小于1%,优于Oshima的结果. 相似文献
996.
997.
借助原位液体透射电镜,我们观察并研究了钯纳米棒溶液环境下的氧化刻蚀的微观行为及机理。通过改变钯纳米棒所处的液体环境,有效地控制了钯纳米棒的氧化刻蚀行为。由于端部具有较高的反应活性,钯纳米棒在氯化铁溶液中的氧化刻蚀会选择沿着轴向进行,具有明显的各向异性。当反应在超薄液层进行时,钯纳米棒的氧化刻蚀会变为准各向同性。这种行为是由于超薄溶液中溶解产物以及氧化物的扩散被抑制,在纳米棒端部选择性发生的氧化刻蚀会受到阻碍。最后,我们发现在钯纳米棒端部选择性沉积金,可以保护纳米棒的端部不受氧化,从而能控制刻蚀沿着钯纳米棒的径向进行。本文的研究结果对贵金属纳米晶的结构参数的精确调控以利于实际应用具有重要的意义。 相似文献
998.
对合肥市16671名1-12个月幼儿的发锌,钙含量进行了测定,并对测定值进行了统计分析。结果表明,锌,钙的含量随着月龄的增加呈直线递减。并给出了发锌,钙含量的趋势线方程,丰富了目前文献给出的发锌,钙的标准值,为及时准确判断周岁内幼儿微量元素锌,钙缺乏程度提出依据。 相似文献
999.
利用线性电位扫描法、交流伏安法、电化学阻抗谱(EIS)及Mott-Schottky方程, 研究了温度对纯铅在4.5 mol/L H2SO4溶液中形成的阳极腐蚀膜电性能的影响. 结果表明: 温度对膜电化学性能具有显著的影响, 随着温度的升高, 膜的电阻增加, 孔隙率增加, 传递电阻减小. EIS结果表明膜的生长遵循固相机理, Mott-Schottky曲线显示腐蚀膜呈现n型半导体特性, 随着溶液温度升高, 膜内的施主密度减小. 相似文献
1000.
采用不加偏压的磁控溅射方法,制备了具有垂直磁晶各向异性的TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并且就Cr底层对TbCo膜磁性能的影响进行了研究。研究发现TbCo磁性层的厚度以及Cr底层的存在都会影响TbCo薄膜磁晶各向异性能的大小。对于厚度为120 nm,并且带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜而言,其磁晶各向异性能高达4.57×106 erg·cm-3,而对于同样厚度的Tb31C69薄膜,当它没有带Cr底层时,其磁晶各向异性能只有3.24×106 erg·cm-3。扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。正是TbCo薄膜内的柱状结构导致了其磁晶各向异性的增强。 相似文献