Reverse current reduction of Ge photodiodes on Si without post-growth annealing

A new approach to reduce the reverse current of Ge pin photodiodes on Si is presented, in which an i-Si layer is inserted between Ge and top Si layers to reduce the electric field in the Ge layer. Without post- growth annealing, the reverse current density is reduced to -10 mA/cm^2 at -1 V, i.e., over one order of magnitude lower than that of the reference photodiode without i-Si layer. However, the responsivity of the photodiodes is not severely compromised. This lowered-reverse-current is explained by band-pinning at the i-Si/i-Ge interface. Barrier lowering mechanism induced by E-field is also discussed. The presented ＂non-thermal＂ approach to reduce reverse current should accelerate electronics-photonics convergence by using Oe on the Si complementary metal oxide semiconductor （CMOS） platform.     

链间耦合对聚合物中双激子态反向极化的影响

从紧束缚模型出发，研究了链间相互作用对双激子态反向极化的影响.结果发现：加链间耦合后，双激子态仍主要局域在一条链中.当简并破缺较小时，反向极化程度随耦合强度的增加大幅提高；当简并破缺较大时，反向极化程度随耦合强度的增加基本不变. 关键词： 反向极化 双激子态 链间耦合     

平行四边形的3-剖分

It has been proved that if a rectangle is dissected into three congruent pieces,then those pieces must themselves be rectangles. In the present paper this result is generalized to the case of parallelogram.     

BP神经网络电子束扫描均匀度校正系统

 电子束的扫描均匀度是工业辐照电子直线加速器的重要技术指标，该校正系统利用人工神经网络中的误差反向传播法可以对扫描电流波形进行校正，以克服扫描磁场引起的电子束形状变化、位置改变等造成的电子束分布的不均匀性，从而使扫描曲线的归一化均方偏差达到1.8%。     

GENERALIZED SOLUTION OF SINGULARLY PERTURBED PROBLEMS FOR REACTION DIFFUSION EQUATIONS

The singularly perturbed initial boundary value problem for reaction diffusion equation is considered. Under suitable conditions the existence, uniqueness and asymptotic behavior of the generalized solution for the problems are studied.     

一种迭代正则化方法求解一类同时带有两个扰动数据的反向问题北大核心CSCD

该文考虑了一类带有扰动扩散系数和扰动终值数据的空间分数阶扩散方程反向问题,从终值时刻的测量数据来反演初始时刻数据.该问题是严重不适定的,因此该文提出了一种迭代正则化方法来处理该反向问题,并利用先验正则化参数选取规则得到了正则化解和精确解之间的误差估计,最后进行了一些数值模拟,验证了方法的有效性.     

混沌反向学习柯西变异和声搜索算法

为了改善和声搜索算法的寻优性能,提出一种基于混沌反向学习及柯西变异的和声搜索算法.算法首先通过混沌反向学习策略初始化和声记忆库来增强初始种群的多样性;然后通过动态地改变参数PAR和BW来逃逸局部极值;接着在算法产生新解的过程中引入柯西变异策略来提高全局探索性能.最后通过对不同类型的基准测试函数进行寻优,并做了Wilcoxon秩和检验,其结果表明,所给改进算法在求解精度和收敛速度上均优于所涉及的对比算法,即所提算法是可行的.     

基于改进的反向匹配的拉曼光谱识别方法研究

针对传统的反向匹配方法中存在的强弱峰权重差异和噪声峰的干扰问题,提出了改进式反向匹配方法,通过引入权重衰减函数来优化强峰和弱峰之间的权重占比关系,使得谱图中各特征峰的权重分布在合理的范围内,避免了强峰权重掩盖弱峰的情况;通过概率分布函数动态滤噪的方法,实现了噪声峰的自适应过滤,从而提升了反向匹配方法的识别性能。实验以大量的常规拉曼和表面增强拉曼的谱图为验证样本,基于大型常规拉曼与表面增强拉曼数据库进行拉曼谱图识别验证。实验表明该方法在大量数据测试下综合准确率达到91.52%,相比于命中质量指数方法(51.08%)和传统的反向匹配方法(16.57%)有大幅度的提升。     

用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)

此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术（ILT）。在论文中将讨论有关ILT的最新发展，包括在超成像极限协助图样（SRAF）的生成，可增加制程宽容度的ILT，以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面。从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出，ILT已经不再只是一种用于研究的工具，而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产。在对各个环节优化之后，ILT可以增加制程的宽容度，同时将光罩的成本控制在可以接受的水平。