4-烃基-3-氰基-双环笼状磷酸酯类化合物的合成及生物活性研究

以2-烃基-2-羟甲基-1,3-丙二醇为原料, 经保护两个羟基, PCC氧化, 引入氰基, 脱保护后与POCl3或PSCl3环合, 成功合成了14个4-烃基-3-氰基双环笼状磷酸酯类化合物, 目标化合物的结构通过1H NMR, MS和元素分析进行了表征. 采用放射性配体受体结合实验, 测定了14个化合物抑制[3H]EBOB [4’-ethynyl-4-n-propylbicycloorthobenzoate]与家蝇及大鼠GABA受体的结合活性. 结果表明部分化合物在10－5 mol/L具有较好的抑制活性, 且在大鼠与家蝇GABA受体之间具有一定选择性.     

一个环硫乙烷中间体的合成

为了获得制备超高折光树脂的单体, 合成了一个能够有效制备环高折光树脂的硫乙烷中间体——(甲氧基羰基二硫化)-环硫乙烷. 该中间体可以和硫醇在温和的条件下生成环硫单体. 和二巯基甲烷反应能生成2,2’-(亚甲基双二硫化)-双环硫乙烷单体, 聚合后得到了折光指数和阿贝数高达nD/νD＝1.79/28的热固性光学树脂.     

Kalman滤波分辩交流示波极谱图中重叠切口

交流示波极谱过去仅用于简单体系的测定,当溶液中含有大量干挠离子时,dE/dt～E曲线上将产生许多切口,它们互相重叠干扰,无法进行定量测定,本文首次将Kalman滤波算法引入交流示波极谱,用于解析多组分共存时的示波图,将重叠切口进行分离,使干扰共存时定量测定成为可能。     

电流反馈示波极谱滴定法

本文提出了电流反馈示波极谱滴定法的原理、仪器装置及操作技术。为了提高去极剂切口的灵敏度, 可将dE/dt信号转换为电流信号后再反馈回电解池以补偿充电电流,一般可将切口灵敏度提高1至5倍, 图形分辨率也较经典方法高, 从而使滴定终点的变化更为敏锐, 扩大了示波极谱滴定的应用范围, 推导了电流反馈的交流电流极化理论公式, 分析了电流反馈对示波极谱图形、去极剂切口灵敏度及切口电位的影响。     

五配位锡(Ⅳ)有机化合物的合成与表征(Ⅲ)──含Fe-Sn-Fe三核金属有机配合物

5种氨基酸的Schiff碱及2种半卡巴腙分别与双-(茂基二羰基铁)二氯化锡反应制得7种新的含有Fe-Sn-Fe三核金属有机配合物,中心锡原子为五配位.合成反应产率较好,产品纯度也高.该类配合物的母体为双环氮杂锡氧烷.产物结构均经红外、核磁、质谱及元素分析确证.研究发现,氨基酸中α-碳上的取代基对铁上的茂环有影响.     

鱼腥藻毒素类似物的合成研究

托品酮为原料经过八步和十步反应合成了一类新的双环生物碱, 3-甲氧羰基-4-甲基-9-氮杂双环[4.2.1]壬-3-烯和3-乙酰基-4-甲基-9-氮杂双环[4.2.1]壬-3-烯。合成的关键步骤是环烯醇磷酸酯与二甲基铜锂的加成-消除反应, 在低温下可以达到高的选择性, 脱N-甲基反应采用氯甲酸2, 2, 2-三氯乙基酯在温和条件下进行。     

分子光化学贮存太阳能 Ⅲ.双环[2,2,1]-2,5-庚二烯的光诱导电子转移敏化异构化反应

以N,N,N′,N′-四甲基联苯二胺、2,6-二甲氧基萘和2,7-二甲氧基萘为光敏剂,在正己烷溶液中实现了双环[2,2,1]-2,5-庚二烯到四环[2,2,1,0^2,6,0^3,5]庚烷的异构化。测定了反应的量子产率。讨论了反应机理。通过激发态的光敏剂与二烯之间的电子转移反应,形成单重态和三重态处于平衡状态的离子自由基对中间体。处于溶剂笼中的三重态离子自由基对经电子反传,产生激发三重态二烯。最后该激发态二烯经分子内[2+2]环合加成反应异构化为四环烷。     

双环氮杂锡氧烷配合物反应性质研究 5: 烷基化反应

首次讨论了双环氮杂锡氧烷配合物与卤代烷的烷基化反应,合成了5种新的双环氮杂锡氧烷配合物,并利用元素分析,IR,^1HNMR,^1^1^9SnNMR以及MS等数据确定了它们的分子结构。     

角度非均匀材料平面V形切口应力奇性分析

提出了一种确定角度非均匀材料平面V形切口尖端应力奇性指数的有效方法。首先,在弹性力学基本方程中引入V形切口尖端位移场的级数渐近展开,建立以位移为特征函数的变系数和非线性微分方程组。然后,采用微分求积法(DQM)求解微分方程组,可得到多阶应力奇性指数及其相对应的特征函数,该法具有公式简单、编程方便、计算量少和精度高等优点,可处理任意开口角度和任意材料组合的V形切口。典型算例验证了微分求积法的有效性和精确性。     

含切口的压电准晶组合结构界面断裂分析的辛-等几何耦合方法

发展了一种适用于含有切口的压电准晶/压电晶体/弹性体三材料组合结构界面断裂问题的高精度的半数值半解析方法.首先,通过引入Hamilton体系建立了三材料组合结构的Hamilton对偶方程,将原问题在传统Lagrange体系下的高阶偏微分控制方程转化为低阶常微分方程组.其次,通过分离变量法求解问题对应的辛本征值和本征解,将各物理场变量利用辛级数展开形式表示.最后,将辛级数与等几何分析方法相结合,获得了辛-等几何耦合列式,直接求得切口尖端附近奇异物理场及其强度因子的解析表达式.