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戈润滔 《理化检验(化学分册)》2003,39(11):678-679
在实验室计量认证中 ,马弗炉温度的校正要请专业计量部门对测温元件匹配作严格的电学测试。而在实际化验工作中 ,找一个更简便、直观的实用测温方法很有必要。许多实例表明 ,马弗炉控制器指示的温度与实际温度相差 5 0~ 10 0℃是常事。例如电学元件老化、新购热电偶规格有差异、热电偶受挥发性化学物质侵蚀、热电偶插入炉内深度不合适都会影响温度的指示值。而坩埚在炉内加热 ,因位置不同 ,炉前、炉后、炉边转角处、炉内电炉丝不均匀也都会影响加热的实际温度。用纯化学试剂放在瓷坩埚 (或镍坩埚 )中 ,在马弗炉内相同条件下加热 ,观察熔化… 相似文献
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采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究,根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型,通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描,得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算,其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏,反映出实际器件的不均匀性,为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据.
关键词:
Raman光谱
Si桥
温度分布
热导 相似文献
63.
完全Rees矩阵半群的分解及性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用等价关系Q^~出了完全Rees矩阵半群的一种分解.而且得到了它的每个Q^~一类的表示. 相似文献
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Deposition of Diamond-Like carbon Films by High-Intensity Pulsed Ion Beam Ablation at Various Substrate Temperatures 下载免费PDF全文
Diamond-like carbon (DLC) films have been deposited on to Si substrates at substrate temperatures from 255℃ to 400O℃ by a high-intensity pulsed-ion-beam (HIPIB) ablation deposition technique. The formation of DLC is confirmed by Raman spectroscopy. According to an x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the concentration of sp^3 carbon in the films is about 40% when the substrate temperature is below 300℃ C. With increasing substratetemperature from 25℃ to 400℃, the concentration of sp^3 carbon decreases from 43% to 8%. In other words,sp3 carbon is graphitized into sp^2 carbon when the substrate temperature is above 300℃. The results of xray diffraction and atomic force microscopy show that, with increasing the substrate temperature, the surface roughness and the friction coefficient increase, and the microhardness and the residual stress of the films decrease. 相似文献
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代数$A$ 称为不可分解的,如果 $A$ 不能分解成理想的直和.文中将证明满足$C(L_{\bar{0}})=C(L)=\{0\}$的限制李超代数能够分解成不可分解限制理想的直和,这种分解在不计理想次序的前提下是唯一的.而且还证明了限制李超代数的一些结果. 相似文献
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应用电磁线路中涨落耗散理论,推导了不同温度均匀二半空间接触后产生辐射场密度的公式。将此公式近似展开后,即得Grover和Urtiew所获得的表示式,不过多了一松弛项,该项如用非富里叶热传导理论推导,也是存在的。该结果和实验结果一致,不过这里的松驰时间可以应用介质性质进行计算。 相似文献
70.
本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。 相似文献