用实验室常用电表测量电感线圈和直流电阻箱的交流损耗电阻

1引言在RIAf串联iff振实验中，由于电感线圈和直流电阻箱（因高频电阻箱价格高、取材困难，众多教科书上往往以直流电阻箱取代）所引起的交流损耗电阻的影响，使Q的计算值总是大于它的测量值，如何克服交流损耗电阻所带来的不可忽略的影响，已有许多文献介绍了他们的尝试．以厂是我们对这些问题的看法和探讨；其一，“替代法””‘是在电路谐振时，用一个直流电阻箱替代原谐振电路，选择某一阻值，使电阻箱端电压恢复到原电路谐振状态时的数值，则电阻箱示值即为电路总损耗电阻．实验中我们发现，受电表灵敏度的限制，在替代过程中有数欧…     

La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.     

RPC读出条的阻抗匹配

文章对高阻板探测器读出条的阻抗匹配问题进行了研究;引入了一个用于计算带状线特性阻抗的经验公式.测量的特性阻抗与经验公式很好地符合,说明这个经验公式可以用于RPC读出条特性阻抗的计算,以改善RPC读出信号的质量,利于RPC探测器性能的测量.     

40,48Ca+90,96Zr融合反应的动力学模型研究

应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应^40,48Ca+^90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应⁴⁰Ca+⁹⁶Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应⁴⁰Ca+⁹⁶Zr与⁴⁰Ca+⁹⁰Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+⁹⁶Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强.     

Benson基团加和方法的位阻修正

Ｂｅｎｓｏｎ基团加和方法的位阻修正王贵昌潘荫明蔡遵生赵学庄＊（南开大学化学系天津３０００７１）在过去的几十年中，人们为估算物质的热力学数据提出了许多经验公式，在一定程度上弥补了实验数据的不足，对化工生产和化学研究起到了积极的作用。在这些经验方法中，由...     

N-N''双吡咯的合成及其邻位基团效应

α,α一联吡咯是某些天然存在的活性吡咯化合物中关键组成, 关于手性联吡咯的研究已有详细的综述报道, 近年发现, 某些含N-取代氨基的空间阻碍吡咯有明显的生理活性和可贵的药理性质, N,N'-联吡咯中N-N键很容易发生均裂反应而生成游离基, 后者很可能与天然吡咯小分子的生理活性有密切关系, 这些都引起了人们的广泛兴趣。     

乙烯系单体自由基聚合的阻聚效应——Ⅸ.受阻胺-醌类电荷转移络合物对甲基丙烯酸甲酯自由基聚合的阻聚及历程

用膨胀计法研究了西氯苯醌(CA)、苯醌(BQ)与受阻胺二异丙胺(DIPA)、2,2,6,6-四甲基-4-羟基哌啶(TMP)形成的电荷转移络合物(CTC)对偶氮二异丁腈(AIBN)引发的甲基丙烯酸甲酯(MMA)自由基聚合阻聚效应。结果表明,CA-DIPA、CA-TMP、BQ-DIPA和BQ-TMP对MMA的自由基聚合均产生较单独的醌或胺更显著的阻聚能力。其中以CA-DIPA阻聚效果更佳。比较了MMA在苯或乙腈中的溶液聚合,得类似结果。初步讨论了受阻胺-醌电荷转移络合物对MMA自由基聚合的阻聚反应机理。     

巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战

介绍了巨磁电阻材料在信息存储中用于硬盘驱动器读出磁头的巨大应用前景，讨论了当今采用化学方法制备和研究这类材料的进展及存在的问题。     

芳基汞化合物的性质研究——Ⅶ.邻位取代苯基氯化汞的质子分解反应

本文研究了邻位取代苯基氯化汞o-XC_6H_4HgCl(X=CH_3、H、Cl、Br、COOC_2H_5、NO_2)与HCl(NaI)在85％对氧陆圜水溶液中的质子分解反应,证明反应按S_El历程进行。视取代基不同,反应速度次序如下:CH_3>H>Cl>COOC_2H_5～Br>NO_2。从化学反应与紫外光谱的研究以及理论计算结果表明,p或π电子的邻位取代基对水原子有分子内配位,它对反应速度有重要影响。测定了15种p-、m-、o-取代苯基氯化汞在80％对氧陆圜水溶液中在40.0℃的质子分解反应的速度常数k_1,表明给电性取代基加速反应,吸电性取代基使反应减慢,这可以看作是反应中心在芳环上的芳基汞化合物的S_E1反应所具有的一个特点。     

透射电镜薄样品倾转过程中的附加旋转及其计算

模拟透射电镜双倾台进行样品位向调整过程,推导出反映样品倾转前后其合成倾转轴(即共有菊池线对的法线)方向变化规律的计算公式,称为附加旋转角计算公式。指出,实现样品位向调整的双倾操作,等效于样品绕其合成倾转轴的倾转及该倾转轴绕Z轴(平行入射束方向)的旋转之和。利用双倾台对薄膜样品进行的系列倾转实验表明,由附加旋转角公式计算的附加旋转角和实测值相一致。还根据双倾操作过程导出了合成倾转角的计算公式,它可用于判断样品位向调整的准确度。