基于阿贝正弦条件的光子等频图和能带结构测试系统

通过结合电磁波在周期性纳米材料中的传播特性以及阿贝完备成像理论中的阿贝正弦条件,提出了一种快速测试光子等频图和能带结构的测试技术和光学检测系统。将无限筒长显微物镜作为一种把波矢空间直接转换到实空间的变换器件,并通过配备二维面阵CCD的光栅光谱仪实现了对周期性纳米材料的等频图和能带结构的一次性拍照,真正实现了方便、快速和无损的探测技术。利用自行搭建的测试系统对用自组装方法制备的二维周期性纳米材料进行了相关光学测试,通过实验测试结果和相关理论计算的对比验证了系统的可行性和可靠性,从而说明该光学系统在研究周期性纳米材料的光学特性方面具有一定的优势。     

基于CO_2吸收增强气化的氨电联产操作条件分析

本文以煤和低浓度煤层气为原料,采用CO_2吸收增强气化,在造气工段制得φ(H_2)/φ(N_2)=3、φ(CO_2+CO)≤0.30%的粗煤气,直接进入气体精制岗位,并取消常规制气的补氮过程或替代空气气化;采用单元建模和流程模拟的方法对系统可行性和适宜操作条件进行分析;预报煤和煤层气共气化的产物分布,提出满足精制岗位进口气体品质要求的制气温度、压力、水煤比、钙煤比和煤气流量等参数;分析循环倍率对合成氨产量、系统净输出功等参数的影响,得到实现系统能量自平衡、且合成氨能耗最低的循环倍率。理论分析表明,该流程可用于合成气制备及氨电联产。     

Darboux Transformation with a Double Spectral Parameter for the Myrzakulov-I Equation

The Myrzakulov-I equation is a 2＋l-dimensional generalization of the Heisenberg ferromagnetic equa- tion and has a non-isospectral Lax pair. The ex- plicit solutions to the Myrzakulov-I equation have been discussed by many researchers. Darboux transformation is one of the useful methods to ob- tain explicit solutions to the nonlinear partial differ- ential equation. The Darboux transformation of de- gree 1 for this equation has been constructed and exact global ＇one-soliton＇ solutions are derived.     

心率变异性的异方差特征研究

心率变异性数据具有非平稳和瞬时波动的特点,本文提出了采用自回归条件异方差(ARCH)分析方法分析这种波动.分析方法采用自回归移动平均模型消除序列的趋势和相关性,采用F检验法判断残差序列中是否存在ARCH效应,同时给出接受ARCH效应的概率.对充血性心衰竭病人和正常人的心率波动序列进行分析,两类人群ARCH特征接受概率及其变化率的统计值有较大差异,表明该方法可以区分不同的群体,为心电信息学研究提供了一种新的方法.     

金属有机源化学气相沉积法生长氧化锌薄膜中氢气的作用及其机理

本文重点探讨了金属有机源化学气相沉积生长ZnO薄膜中氢气的作用与机理.研究表明氢气对ZnO薄膜的结构与性质具有重要的影响.当采用叔丁醇为氧源时,氢气对ZnO薄膜的晶体质量,表面结构和发光性质主要产生负面的影响,同时发现氢气的加入有助于抑制碳的沾污.而当采用笑气为氧源时,测量显示表面变光滑,晶体质量得到提高,发光强度也得到提升.氢气在笑气作为氧源生长ZnO的过程中基本起到了正面的作用.论文最后从氢气降低生长表面能量,提高表面原子迁移能力但存在表面腐蚀作用的方向以上结果给予了较好的解释.研究显示MOCVD生长高质量ZnO薄膜中氢气的优化具有特别重要的意义.     

基于不同介质间量子密钥分发的研究

文章主要解决了偏振编码的光子在不同介质间进行量子密钥分发的问题,定量地分析了光子不同分量的不同透过率引起的误码率问题,并实际分析了空气-水介质间量子密钥分发引起的误码率.进一步给出了可以消除这种非理想BB84协议的单光子补偿方案,以及可以采用更加鲁棒、实用性的抗界面非幺正噪声的双光子编码方案,从而为未来实现全地域广域量子通信迈出了重要的一步.     

不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法

基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。     

光电图像光照不均蜕化的校正及阈值分割方法*

分析了CCD获取的图像光照不均蜕化产生原因.针对光照不均蜕化的印刷电路板图像的具体情况,用同态滤波器在频域空间进行滤波而增强图像,从而改善图像的目标与背景对比度.讨论了最大类间方差法,给出了其优点.为了更好的分割图像,在此基础上,考虑两类间距与各类内聚性对图像分割的不同影响,提出了一种改进的最大类间方差法.最后对光照不均蜕化的PCB光电图像用不同方法进行了实验,结果表明改进方法能更好地分割图像.     

A stability condition for turbulence model： From EMMS model to EMMS-based turbulence model

The closure problem of turbulence is still a challenging issue in turbulence modeling. In this work, a stability condition is used to close turbulence. Specifically, we regard single-phase flow as a mixture of turbulent and non-turbulent fluids, separating the structure of turbulence. Subsequently, according to the picture of the turbulent eddy cascade, the energy contained in turbulent flow is decomposed into different parts and then quantified. A turbulence stability condition, similar to the principle of the energy-minimization multi-scale （EMMS） model for gas-solid systems, is formulated to close the dynamic constraint equa- tions of turbulence, allowing the inhomogeneous structural parameters of turbulence to be optimized. We name this model as the ＂EMMS-based turbulence model＂, and use it to construct the corresponding turbulent viscosity coefficient. To validate the EMMS-based turbulence model, it is used to simulate two classical benchmark problems, lid-driven cavity flow and turbulent flow with forced convection in an empty room, The numerical results show that the EMMS-hased turbulence model improves the accuracy of turbulence modeling due to it considers the principle of compromise in competition between viscosity and inertia.     

硫脲修饰ZnSe:Cu量子点的水相合成及荧光特性

以3-巯基丙酸为稳定剂在水相中合成了Cu掺杂的ZnSe量子点(QDs), 并利用硫脲(CH₄N₂S)对其进行表面修饰, 制备出核壳结构的ZnSe:Cu/ZnS 量子点. 制得的量子点呈闪锌矿结构, 尺寸约为5 nm, 有较好的分散性, 其荧光发射峰在460 nm左右. 经CH₄N₂S修饰后, 量子点表面形成了宽禁带的ZnS包覆层, 将电子和空穴限域在了ZnSe:Cu 核内, 减少了表面发生非辐射复合的载流子, 显著提高了量子点的荧光强度. 与Na₂S、硫代乙酰胺(TAA)等常用硫源相比, 以CH₄N₂S为硫源制得的ZnSe:Cu/ZnS 量子点壳层厚度可控, 表面钝化效果更好, 显示出更佳的荧光效率和稳定性. ZnSe:Cu/ZnS 量子点经过紫外线照射后消除了表面的悬空键, 进一步提高了其量子产率, 最终获到了具有较好荧光性质的ZnSe:Cu/ZnS量子点.