表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响

本文利用密度矩阵方法研究了表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响,并且导出了三次谐波振荡的表达式。然后,以GaAs柱形量子线为例作了数值计算。研究表明,当柱形量子线的横向半径d非常小时,电子和表面光学声子之间的耦合强度就非常大,表面光学声子对三次谐波振荡的影响就更强。     

Z箍缩等离子体内爆实验金属丝阵负载优化设计分析

金属丝阵Z箍缩(Z-pinch)内爆是产生强x射线辐射的重要方法之一.在一定脉冲功率加速器条件下，金属丝阵质量和丝阵半径的选择决定了Z-pinch内爆等离子体辐射产额的大小.采用薄壳模型计算了不同丝阵质量、不同丝阵半径、不同粗细和不同材料金属丝构成的丝阵的内爆时间、内爆轨迹、内爆速度，以及最大动能和动能转换率，综合分析了丝间隙、内爆时间、动能转换率与丝阵质量和丝阵半径的关系，给出了在一定负载驱动电流条件下，金属丝阵的最佳参数.分析表明计算结果与实验上观察得到的内爆规律一致. 关键词： Z-pinch内爆等离子体 金属丝阵负载 薄壳模型     

表面绝缘铝平面丝阵Z箍缩实验研究

在"强光一号"装置(1.3 MA,100 ns)上进行了镀2μm聚酰亚胺绝缘膜平面铝丝阵与普通铝丝阵Z箍缩对比实验研究.实验结果表明,表面绝缘能够影响Z箍缩内爆动力学和辐射特性.通过简单理论分析,表面绝缘可能会增加初始阶段的能量沉积和参与内爆的质量;表面绝缘对于抑制平面丝阵多峰现象有明显作用,然而在所进行的实验中,并未观察到对X射线产额的改善作用.     

表面绝缘对平面钨丝阵Z箍缩早期过程的影响

在"强光一号"装置上研究了表面绝缘对平面钨丝阵早期过程的影响。通过对实验结果的唯象分析,发现相对于标准丝阵,表面绝缘丝阵X射线辐射被强烈延迟,并与丝阵宽度有较强的依赖关系,在X射线辐射之前存在较强的阴极发射;表面绝缘丝阵X射线辐射副脉冲幅值是标准丝阵两倍,且存在较长的平台期,其单丝等离子体膨胀导致的温度降低效应比标准丝阵强;在快速内爆开始之前,两者形成了类似的宏观磁流体不稳定性结构。     

Tunneling Conductance in Quantum-Wire/Ferromagnetic-Insulator/d-Wave Superconductor Junction

We have studied the quasiparticle transport in quantum-wire /ferromagnetic-insulator/d wave superconductor Junction (q/FI/d) in the framework of the Blonder-Tinkham-Klapwijk model. We calculate the tunneling conductance in q/FI/d as a function of the bias voltage at zero temperature and finite temperature based on Bogoliubov-de Gennes equations. Different from the case in normal-metal/insulator/d wave superconductor Junctions, the zero-bias conductance peaks vanish for the single-mode case. The tunneling conductance spectra depend on the magnitude of the exchange interaction at the ferromagnetic-insulator.     

Load optimal design for a primary test stand facility based on a zero-dimensional load model

In order to couple the numerical simulation of a primary test stand driver with an optimal load design, a zero-dimensional wire array load model is designed based on the Saturn load model using PSPICE, which is an upgraded version of the Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) designed by the ORCAD Corporation to perform circuit simulations. This paper calculates different load parameters and discusses factors influencing the driving current curve. With appropriate driving current curves chosen, further magneto-hydrodynamic calculations are carried out and discussed to provide the best results for experiments. The suggested optimal load parameters play an important role in experimental load design.     

磁过滤器电流对非晶碳薄膜摩擦学特性影响的研究

研究了过滤阴极真空电弧技术中,不同的磁过滤器电流下(5—13 A),制备的四面体非晶碳(ta-C)薄膜对摩擦学特性的影响.通过对薄膜厚度,薄膜结构以及薄膜表面粗糙度随磁过滤电流的变化结果进行了测试,结果表明,随着磁过滤器电流的增大,薄膜的sp³键含量逐渐减少,表面粗糙度从0.13增大到0.38.磁过滤器电流在5 A时,薄膜的摩擦系数最小约为0.08,当电流增大到7 A时,摩擦系数显著增大,磁过滤器电流从7 A增大到13 A时,薄膜的摩擦系数再次减小约为0.1. 关键词： 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 磁过滤器电流 摩擦系数     

门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质

硅烯是由单层硅原子形成的二维蜂窝状晶格结构,具有石墨烯类似的电学性质,由于硅烯中存在比较强的自旋轨道耦合而备受关注.本文利用非平衡格林函数方法研究了门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质和能带结构.研究发现,只有在较强的门电压下,而且硅烯量子线具有较好的锯齿形或扶手椅形边界而不存在额外硅原子时,硅烯量子线中才存在无能隙的自旋极化边缘态.另外,计算结果表明这种门电压控制的硅烯量子线中边缘态在每个能谷处自旋是极化的.这些计算结果将为实验上利用电场制作硅烯纳米结构提供理论支持.     

CO_2焊接短路过渡过程的动态分析─短路液桥的动态变化与力学测算

ＣＯ＿２气体保护焊接是一种高效、节能和低成本的焊接方法，在钢结构焊接生产中得到了广泛的应用。但也存在着诸如：金属飞溅、焊缝成形较差等问题，要解决这些问题，必须首先对ＣＯ＿２焊接过程的电弧形态以及熔滴变化情况从理论上深入分析研究。本文以高速摄影与光线示波器同步进行拍摄，记录了ＣＯ＿２悍接短路过渡中熔滴的长大、缩颈、脱落的全过程以及相对应的电流电压波形。利用影片数据分析处理系统对所得影片及记录波形进行了分析处理，得到了熔滴过渡形成金属液桥爆断瞬间的最大电流值及所受合力的大小。从理论上更进一步研究了短路过渡的机理，建立了短路过渡的模型，这对正确调节焊接工艺规范，保证焊接质量具有重大的指导意义，研究结果表明：在常规短路过渡ＣＯ＿２焊接中，抑制飞溅是提高ＣＯ＿２焊接质量的关键，利用焊接规范来调节短路频率和短路峰值电流是抑制飞溅的主要途径。     

Time-marching numerical schemes for the electric field integral equation on a straight thin wire

We derive and analyse four algorithms for computing the current induced on a thin straight wire by a transient electric field. They all involve solving the thin wire electric field integral equations (EFIEs) and consist of a very accurate differential equations solver together with various schemes to approximate the vector potential integral equation. We carry out a rigorous numerical stability analysis of each of these methods. This has not previously been done for solution schemes for the thin wire EFIEs. Each scheme is shown to be stable and convergent provided the radius of the wire is small enough for the thin wire equations to be a valid model.