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261.
Creep strains in unidirectional organic-fiber-and organic-glass-fiber-reinforced plastics subject to tension in the reinforcement
direction are predicted. Based on homogeneity condition and statistical criteria, it is shown that the creep of the composites
is essentially nonlinear. To predict creep strains, use is made of a nonlinear creep model based on a modified Rabotnov’s
similarity hypothesis for isochrones and of material constants determined from tests on specimens made of a composite as a
whole and specimens made of its separate components, the mixing rule applied in the latter case. The calculated results and
the experimental data are in satisfactory agreement
__________
Translated from Prikladnaya Mekhanika, Vol. 43, No. 5, pp. 20–34, May 2007. 相似文献
262.
Various formulations of the problem of stability of uniaxial tension of a band under superplastic strains are analyzed. A
more general formulation (as compared to those available) is proposed; criteria of stability are obtained. Various methods of describing the behavior of materials in the superplasticity
regime are considered.
__________
Translated from PrikladnayaMekhanika i Tekhnicheskaya Fizika, Vol. 50, No. 1, pp. 110–117, January–February, 2009. 相似文献
263.
The influence of a preliminary bending induced by misalignment of the grips of a testing machine on the stress-strain state
of a flat specimen made of a high-strength unidirectional carbon fiber composite under uniaxial tension is estimated. An analysis
of the analytical solution obtained is carried out, and the results of finite-element calculations and modeling experiments
are presented.
__________
Translated from Mekhanika Kompozitnykh Materialov, Vol. 43, No. 6, pp. 745–760, November–December, 2007. 相似文献
264.
基于k·p微扰法研究单轴[110]应力作用下硅的导带结构,获得单轴[110]应力硅的导带底能量及电子有效质量.在此基础上,考虑电子谷间、谷内及电离杂质散射,采用弛豫时间近似计算单轴[110]应力硅沿不同晶向的电子迁移率.结果表明:单轴[110]应力作用下硅的电子迁移率具有明显的各向异性.在[001]、[110]及[110]输运晶向中,张应力作用下电子沿[110]晶向输运时迁移率有较大的增强,由未受应力时的1 450 cm2·Vs-1提高到2 GPa应力作用下的2 500 cm2·Vs-1.迁移率增强的主要原因是电子有效质量的减小,而应力作用下硅导带能谷分裂导致的谷间散射几率的减小对电子迁移率的影响并不显著. 相似文献
265.
266.
小尺寸单轴应变Si p型金属氧化物半导体(PMOS)沟道反型层迁移率与晶面/晶向密切相关,应变PMOS优化设计时应合理选择沟道的晶面/晶向.目前,文献已有1.5 GPa应力强度下单轴应变Si PMOS沟道反型层迁移率按晶面/晶向排序的理论模型.然而,在器件实际制造过程中,覆盖SiN应力膜工艺是固定的,由于沟道弹性劲度系数具有各向异性,这样,不同晶面/晶向应变PMOS沟道所受应力强度不同,进而导致在实际工艺下沟道反型层迁移率晶面/晶向排序理论模型"失效".针对该问题,本文采用中国科学院微电子研究所40 nm工艺流程制备了不同晶面/晶向40 nm沟道小尺寸单轴应变Si PMOS与未应变Si PMOS,并通过器件转移特性测试,获得了小尺寸单轴应变Si PMOS反型层迁移率晶面/晶向排序结论.此有关小尺寸单轴应变Si PMOS沟道反型层迁移率晶面/晶向排序的相关结论,由于考虑了工艺实现因素,与文献理论预测排序结果相比,更适于指导实际器件制造;相关分析方法也可为其他应变材料沟道MOS相关问题的解决提供重要技术参考. 相似文献
267.
锂离子电池隔膜作为防止正负极接触的物理屏障,其结构完整性对于电池安全至关重要。进行了4种商业隔膜单轴拉伸实验,分析加载角度和线型缺口对隔膜材料拉伸强度、弹性模量、断裂模式的影响。结果表明:无缺口试样在0°方向上的拉伸强度最大,90°方向上拉伸强度最小;当两个无缺口试样的加载角度互为补角时,它们的拉伸强度接近。对于缺口试样而言,缺口方向沿着90°的试样有最大破坏载荷;线型缺口试样有更高的弹性模量,但是塑性变形大幅减少。无缺口试样和缺口试样在拉伸过程中的断裂模式相同,即除0°试样沿横向断裂外,其他加载角度的试样均沿着纵向断裂。 相似文献
268.
单轴压缩条件下破裂岩样声发射及能耗特性试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为揭示岩石变形破裂的内在机理及正确评价工程破裂岩体的特性,本文对破裂岩石再破裂过程声发射、能耗特性进行了综合研究。借助MTS伺服试验机及AE21C声发射检测仪,对破裂岩样进行了单轴压缩条件下再破裂过程中的声发射及能耗特性实验研究。研究结果表明:破裂岩样声发射事件-时间曲线主要属于峰前阶段加速增长型,其声发射事件-时间曲线大致可分为声发射初始发展、剧烈、降低三个阶段;在整个压缩破裂过程中,声发射活跃程度总体上大于相对完整岩样;峰值点是声发射特征、能耗特征的转折点;岩样变形破裂过程中,声发射与能耗指标之间存在内在的、必然联系;随着破裂程度的提高,破裂岩样峰值点吸收能量与峰前段耗散能量均逐步降低;破裂岩样表面破裂面分布分形维数同峰值点吸收能量与峰前段耗散能量之间总体上均遵循非线性的二次多项式函数关系。 相似文献
269.
利用单轴晶体光束传输理论,求得了具有附加球面相位Airy光束在单轴晶体中的传输公式.数值模拟计算结果表明,线偏振附加球面相位Airy光束在晶体中传输时仍为线偏振,但不是传输不变的.粗略地讲,具有附加球面相位的Airy光束在晶体中传输时,近场是传输不变的;而在由晶体寻常与非寻常折射率和球面半径共同确定的两个特定传输距离处,传输光束转换成了取向不同的Gaussian-Airy光束,且高斯依赖的束宽度敏感地与截断因子相关;而当光束依次穿过此两位置时光斑花样先后相对于两横向轴平面做镜像演化,且镜像演化顺序也与晶体寻常和非寻常折射率相对大小密切相关,其总的效果是远场强度花样能恢复原样但花样取向产生了关于对过横平面二、四象限平分平面的镜像演化.这些结果表明,通过恰当选择晶体材料(即折射率)和附加球面相位的半径R,可以调控光束花样的形状、取向及表征各向异性材料的相关性质. 相似文献
270.
Summary Chromium doped single crystals of Forsterite where investigated directly under the influence of uniaxial pressure in situ by ESR. The two Cr3+ centres M1 and M2 exhibit distinct response to the action of pressure on the crystal as a whole. The pressure effects are manifested in remarkable changes of the line width of the fine structure transitions. Uniaxial pressure in the MPa range induces nearly symmetrical distribution of distortions of the coordination polyhedra of the Cr3+ centres accompanied by reorientation effects. 相似文献