NECESSARY CONDITIONS FOR SEPARATION OF STRAIGHT BAR FROM HORIZONTAL PLANE WITHOUT SLIDING

该文研究的是起初竖直静置于水平面上的非均质细直杆的倾倒过程,利用质心运动定理、机械能守恒定律和定轴转动定理导出了直杆在下端不滑动情况下所受支持力的表达式,据此指出了直杆能够脱离水平面的必要条件同时包括两部分：对直杆质量分布的要求;对直杆与水平面之间的静摩擦因数的要求。     

混凝土三维细观模型的建模方法与力学特性分析

根据混凝土材料的细观组成和结构特点,基于三维Voronoi图形提出了一种简单高效的混凝土细观模型生成方法,利用塑性损伤模型对该细观模型进行了单、多轴应力状态下的准静态分析以及SHPB动态有限元分析。结果表明,数值模拟得到的应力应变曲线和破坏模式与实验结果基本吻合,本文中提出的混凝土三维细观模型可较好地模拟混凝土的静、动态力学特性,为进一步从细观力学角度研究混凝土损伤演化规律和破坏机理提供了模型基础。     

利用相位差异技术校准非共光路静态像差

提出了一种用相位差异(PD)技术对自适应光学(AO)系统的非共光路静态像差进行校准的方法。相位差异技术通过采集焦面和离焦面的单帧或多帧短曝光图像来估算波前相位畸变,同时对目标图像进行恢复。在闭环工作条件下,自适应光学系统利用相位差异算法在线检测成像光路的静态像差,并将得到的像差系数转化为变形镜的初始化面形,从而补偿非共光路的静态像差。实验结果表明,校准后的成像质量显著提高,目标半峰全宽降低了约14%,系统残差降低了约72%。成像光路在线检测得到的系统残差与闭环回路实测残差的水平趋于一致,证实了相位差异技术应用于光学检测的能力。该方法具有在无需改变原有自适应光路以及高信噪比条件下便可精确解算系统像差的优点,是大口径光电成像系统较为理想的光学检测技术之一。     

静电场中无限长均匀双层圆柱体的拉普拉斯方程解及其在纳米光学中的应用

应用拉普拉斯方程求解静电场中无限长均匀双层圆柱体的电势及电场,并基于散射理论获得该结构颗粒的光学散射、吸收及消光系数.进一步计算了金纳米管的远场光谱和近场分布,其结果与经典的Mie散射理论计算结果完全一致.因此,该理论结果可以很好的被应用于纳米光学研究.     

静磁场复合电流下时效对Cu—Cr—Zr合金组织及性能的影响

本文在经过固溶和冷变形处理Cu—Cr-Zr合金的等温时效过程中同时施加电流密度为100A／cm2的直流电流和不同磁感应强度的静磁场,发现电磁复合场能显著影响Cu—Cr-Zr合金的组织及性能．和无磁场下时效后合金性能相比,施加磁场后的合金电导率和显微硬度值均有一定程度的升高,其中在350℃,10T磁场下效果最明显,分别升高了22．1％IACS和25．3HV．利用透射电镜观察显微组织观察发现,施加磁场后合金组织中位错密度有所降低,同时出现了大量细小弥散的铬析出物,表明电磁复合场能进一步促进铜合金的时效过程,在低温时效时尤其明显．分析认为,电磁复合场对Cu-Cr-Zr合金时效过程的促进作用机理是磁场增强了电流的“电子风”效应．     

相对湿度对几种摩擦副静摩擦系数的影响

在自制的试验台上考察了相对湿度对金属－金属摩擦副、金属－石墨摩擦副、金属－TiN涂层摩擦副及金属－WC涂层摩擦副的静摩擦系数的影响。结果发现,相对湿度对金属－石墨摩擦副和金属－WC涂层摩擦副的静摩擦系数没有影响,而对金属－金属摩擦副和金属－TiN涂层摩擦副的静摩擦系数有影响。利用分形接触模型推导并计算了由水膜的弯月面效应引起的附加静摩擦系数,计算结果与实际变化趋势相吻合,静摩擦系数的计算值比实际值稍偏大。     

基于变形镜本征模式和远场测量的光束净化

利用波前传感器对光束进行净化的自适应光学系统是目前提高光束质量的常用技术,但在实际应用中,该技术需要波前传感器,系统复杂,体积庞大,同时需要较高性能信标源。为解决上述问题,提出了一种基于变形镜本征模式和远场光斑特征分析的无波前自适应光学系统,用于校正激光器输出的方形光束。将变形镜影响函数进行本征模式分解,并用远场光斑的均方半径作为评价函数,建立了畸变波前的模式系数与评价函数之间的关系,通过测量评价函数获得模式系数用于求解校正电压,实现波前共轭校正。仿真校正和实验验证结果表明,该方法可以有效实现静态像差校正,提高远场光斑的能量集中度。     

The effects of static magnetic field on microwave absorption of hydrogen plasma in carbon nanotubes: A numerical study

We theoretically investigate the microwave absorption properties of hydrogen plasma in iron-catalyzed highpressure disproportionation-grown carbon nanotubes under an external static magnetic field in the frequency range 0.3 GHz to 30 GHz, using the Maxwell equations in conjunction with a general expression for the effective complex permittivity of magnetized plasma known as the Appleton–Hartree formula. The effects of the external static magnetic field intensity and the incident microwave propagation direction on the microwave absorption of hydrogen plasma in CNTs are studied in detail. The numerical results indicate that the microwave absorption properties of hydrogen plasma in iron-catalyzed high-pressure disproportionation-grown carbon nanotubes can be obviously improved when the external static magnetic field is applied to the material. It is found that the specified frequency microwave can be strongly absorbed by the hydrogen plasma in iron-catalyzed high-pressure disproportionation-grown carbon nanotubes over a wide range of incidence angles by adjusting the external magnetic field intensity and the parameters of the hydrogen plasma.     

静态磁场测试平台的采集监控系统的设计与实现

介绍了静态磁场测试平台的结构和特点,详细描述了采集监控系统的体系架构,该系统是由数据采集管理系统和操作监控平台组成的。根据该系统的特点,设计了基于Qt的数据采集管理系统和基于EPICS的操作监控平台。该系统实现了对静态磁场测试平台的实时控制、设备状态检测及监控、数据采集、存储及查看。该应用运行稳定,能满足静态磁场测试平台对采集监控的需求。     

Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation

Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories(SRAMs) during total dose irradiation is investigated in detail. As the dose accumulates, the data pattern of memory cells loading during irradiation is gradually imprinted on their background data pattern. We build a relationship between the memory cell’s static noise margin(SNM) and the background data, and study the influence of irradiation on the probability density function of ?SNM, which is the difference between two data sides’ SNMs, to discuss the reason for pattern imprinting. Finally, we demonstrate that, for micron and deep sub-micron devices, the mechanism of pattern imprinting is the bias-dependent threshold shift of the transistor, but for a deep sub-micron device the shift results from charge trapping in the shallow trench isolation(STI) oxide rather than from the gate oxide of the micron-device.