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91.
鉴于我国东部沿海地区碳排放量高且陆上封存容量有限的现状,CO2海底地质封存具有显著的应用潜力.尽管海底地质封存过程中CO2泄漏的风险极低,但准确评估快速泄漏情景下的海水中CO2扩散规律对于确保封存安全至关重要.本研究基于典型海洋环境数据,采用Volume of Fluid (VOF)模型模拟CO2气泡动态特性,并用欧拉模型模拟CO2集群在海水中的扩散特征,从而完成流体动力学的综合仿真分析.在此基础上,开发基于机器学习的海底CO2泄漏量评估方法.构建神经网络模型框架,并据此建立反问题求解模型,解析不同海洋环境条件下CO2泄漏时的形态演变与分布范围,反演出导致此泄漏情景的裂缝宽度及泄漏速度等关键参数,进而精确计算出泄漏量.该模型预测精度可达95%以上,证明其在处理CO2泄漏反问题上的有效性和适用性.本研究不仅为海底地质封存CO2快速泄漏评估提供了一种创新性的方法路径,也为未来相关领域的风险评估与安全管理提供了重要的科学依据和技术支撑.  相似文献   
92.
通过小药量化爆模拟实验,研究了岩石中满足缩比关系的不同药量化学爆炸一氧化碳渗漏时间、渗漏份额与药量的关系。研究结果表明:相同介质中缩比爆炸实验气体渗漏时间大致与药量的三分之二次方成正比,渗漏停止时间也大致与药量的三分之二次方成正比;封闭空间内化学爆炸在爆室内产生的高温能够使爆室内一些物质分解产生非冷凝气体;对于不同药量的缩比实验,小药量实验的气体渗漏份额不小于大药量实验的气体渗漏份额。根据此研究结果,可以用小药量地下爆炸气体渗漏行为的监测结果预估大药量实验的气体渗漏行为。  相似文献   
93.
黄瓜子叶身与子叶柄的生理特性差异及其不同培养反应   总被引:1,自引:1,他引:0  
与黄瓜子叶身相比,无论是子叶离体培养前还是离体培养后, 在苗龄 3d~ 9d其间,子叶柄始终具有较低的呼吸强度和较大的 A260nm物质渗漏 ,而且,两者间差异随苗龄而改变,这表明子叶柄和子叶身的细胞透性、呼吸活性存在显著差异,这些差异可能与子叶离体培养时只有子叶柄部位才能分化花芽有某种联系.  相似文献   
94.
先后选用1至3片非晶Fe46.3Co0.03Ni46.5Si3.75V0.92B2.5合金薄带作样品,插入13层密绕直螺线管内,分别在高静水压容器内和其他四种不同环境中测量它们的磁化曲线、磁导率曲线和起始磁化曲线,再次研究了初级线圈采用多层直螺线管对铁镍合金样品的误差。(1)实验结果表明:既存在样品材料被磁化而形成的退磁场H',也存在漏磁通引起周围铁器磁化而形成的退磁场H'。(2)为了缩小H'的影响,只用1片非晶合金薄带作样品时,H'的影响变得严重,导致m和i出现惊人的误差:m/m=50%,i/i=104%。(3)为了综合兼顾这两种影响,采用3片非晶合金薄带作样品时,虽然H'的影响增大一点,但是H'的影响被更多地削弱,所以环境磁化引起的误差反而减小:m/m=29%,i/i=15.5%。  相似文献   
95.
李大明 《力学学报》1998,6(3):244-248
本文阐述了升钟水库右总干渠石爬明渠填方段滑坡的地质环境、规模及特征,分析了渗漏对填筑土、粉砂质泥岩C、φ值的影响,论述了红层丘陵区填方输水渠道滑坡形成的原因,计算了孔隙水压力、渗透压力对填方渠堤稳定性的影响,介绍了该区的防渗整治措施。  相似文献   
96.
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陈海峰  郝跃  马晓华  曹艳荣  高志远  龚欣 《中国物理》2007,16(10):3114-3119
The behaviours of three types of hot-hole injections in ultrashortchannel lightly doped drain (LDD) nMOSFETs with ultrathin oxideunder an alternating stress have been compared. The three types ofhot-hole injections, i.e. low gate voltage hot hole injection(LGVHHI), gate-induced drain leakage induced hot-hole injection(GIDLIHHI) and substrate hot-hole injection (SHHI), have differentinfluences on the devices damaged already by the previous hotelectron injection (HEI) because of the different locations oftrapping holes and interface states induced by the three types ofinjections, i.e. three types of stresses. Experimental results showthat GIDLIHHI and LGVHHI cannot recover the degradation of electrontrapping, but SHHI can. Although SHHI can recover the device'sperformance, the recovery is slight and reaches saturation quickly,which is suggested here to be attributed to the fact that trappedholes are too few and the equilibrium is reached between thetrapping and releasing of holes which can be set up quickly in theultrathin oxide.  相似文献   
97.
利用基于亚波长衍射光栅理论的介质-金属-介质的对称夹层结构,对掺杂的双包层光纤进行多点泵浦,根据严格的电磁场衍射理论和光栅方程,分析了多点泵浦时,这种耦合结构的泵浦光泄露的问题,证明了多点泵浦时泵浦光的泄露率仅为15.52%,而对信号光则不存在泄露。这种对称夹层结构可以用于多个大功率激光二极管阵列的多点侧面泵浦双包层掺杂光纤中,以制作各种大功率(数kW级)稀土光纤激光器,其最大耦合效率可以达到80%以上。  相似文献   
98.
本文研究一个从工程中提出的关于粘性流体与弹性结构相耦合的问题。数学上归结为非线性偏微分方程的初、边值问题。对此问题,我们在线性化和迭代方面做了些技术性的处理,当端面液膜厚度的初值确定后,将非线性的雷诺方程线性化;求解这个方程得到液膜压力分布函数,然后得到液膜厚度,进行反复的迭代,直到前后两次最小液膜厚度差的绝对值小于给定的ε为止。数值结果的主要参数说明,我们所得的结果比文[1]所给出的结果更接近于试验数据(见文[1])。  相似文献   
99.
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The hot-carrier degradation for 90~nm gate length lightly-doped drain(LDD) NMOSFET with ultra-thin (1.4~nm) gate oxide under the low gatevoltage (LGV) (at Vg=Vth, where Vth is thethreshold voltage) stress has been investigated. It is found that thedrain current decreases and the threshold voltage increases after theLGV (Vg=Vth stress. The results are opposite to thedegradation phenomena of conventional NMOSFET for the case of thisstress. By analysing the gate-induced drain leakage (GIDL) currentbefore and after stresses, it is confirmed that under the LGV stressin ultra-short gate LDD-NMOSFET with ultra-thin gate oxide, the hotholes are trapped at interface in the LDD region and cannot shortenthe channel to mask the influence of interface states as those inconventional NMOSFET do, which leads to the different degradation phenomena from those of theconventional NMOS devices. This paper also discusses the degradation in the90~nm gate length LDD-NMOSFET with 1.4~nm gate oxide under the LGV stress atVg=Vth with various drain biases. Experimental results show thatthe degradation slopes (n) range from 0.21 to 0.41. The value ofn isless than that of conventional MOSFET (0.5-0.6) and also that of the long gatelength LDD MOSFET (sim0.8).  相似文献   
100.
为得到螺旋槽动压密封最优槽型参数,进一步提高其流体润滑特性,基于流体动压原理提出以恒闭合力下典型参数螺旋槽密封参数为初始值,以动压密封螺旋槽的结构参数槽数、槽宽比、槽坝比以及螺旋角为变量,以泄漏率与开启力之比最小化为优化目标的槽型优化方法.采用参数化建模方法,建立优化数学物理模型,得到一系列优化槽型,分析并讨论了新方法的优化机制,最后对两种优化槽型与初始槽型进行了分析对比,结果表明:对于不同转速和优化槽数,提出的优化方法具有较好的适用性,优化所得槽型集中表现为A、B两种结构参数,按螺旋角β、槽宽比γ1以及槽坝比γ2的顺序分别为15°、0.50以及0.55和22.5°、0.55以及0.55.新方法的优化机制为:通过调整螺旋角、槽宽比和槽坝比,外移压力峰值和均化周向压力,同时,减少槽和坝区流体转移,降低流体出口流速,实现保持高开启力以及降低泄漏率的目标.对典型螺旋槽和A、B槽型进行性能对比,结果表明:在小膜厚段,流体膜生成率均较大,因此高膜厚的典型螺旋槽为优选槽型,而在大膜厚段,泄漏率较低的B型槽为优选槽型,而A型槽在全膜厚段的表现介于二者之间.  相似文献   
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