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71.
72.
In this work, a dislocation-related tunneling leakage current model is developed to explain the temperature-dependent reverse current–voltage(I–V –T) characteristics of a Schottky barrier diode fabricated on free-standing GaN substrate for reverse-bias voltages up to-150 V. The model suggests that the reverse leakage current is dominated by the direct tunneling of electrons from Schottky contact metal into a continuum of states associated with conductive dislocations in GaN epilayer.A reverse leakage current ideality factor, which originates from the scattering effect at metal/GaN interface, is introduced into the model. Good agreement between the experimental data and the simulated I–V curves is obtained. 相似文献
73.
In the process of high-k films fabrication, a novel multi deposition multi annealing(MDMA) technique is introduced to replace simple post deposition annealing. The leakage current decreases with the increase of the post deposition annealing(PDA) times. The equivalent oxide thickness(EOT) decreases when the annealing time(s) change from 1 to 2. Furthermore,the characteristics of SILC(stress-induced leakage current) for an ultra-thin SiO_2/HfO_2 gate dielectric stack are studied systematically. The increase of the PDA time(s) from 1 to 2 can decrease the defect and defect generation rate in the HK layer. However, increasing the PDA times to 4 and 7 may introduce too much oxygen, therefore the type of oxygen vacancy changes. 相似文献
74.
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×1010 Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10-3 cm2/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。 相似文献
75.
76.
王玮东;楚春双;张丹扬;毕文刚;张勇辉;张紫辉 《发光学报》2021,42(7):897-903
研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUVLED)效率衰退的影响.结果表明,当俄歇复合系数从10-32cm6·s-1增大到10-30cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退的影响很小.当俄歇复合系数增大到10-29cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退有显著的影响.然而,对于AlGaN材料而言,俄歇复合系数很难达到10-29cm6·s-1.此外,本研究还发现,即使设置的俄歇复合系数等于10-32cm6·s-1,DUVLED的效率衰退依旧随着电子泄漏的增加而增大.因此,这进一步证明了电子泄漏是导致DUVLED效率衰退的主要因素.此外,本工作还证明了空穴注入效率的提高可以有效地抑制DUVLED的效率衰退问题,这主要是由于更多的电子与空穴在量子阱中复合产生了光子,降低了电子从有源区中泄漏的几率. 相似文献
77.
从PIN二极管基区双极载流子扩散方程出发,通过拉普拉斯变换求解得到PIN二极管子电路模型,从而通过PSpice软件瞬态数值模拟得到了PIN限幅器的尖峰泄漏、平顶泄漏与脉冲功率、上升时间关系。对于I层厚度一定的限幅器,模拟与实验表明脉冲前沿越大,尖峰泄漏功率插入损耗越大,脉冲前沿过缓则可能没有尖峰泄漏现象;尖峰泄漏功率随着输入功率的增加而变大,但尖峰泄漏功率插损也随之增大;尖峰脉冲宽度与I层厚度、输入功率及脉冲前沿均有关系。限幅器尖峰泄漏与平顶泄漏模拟结果与实验数据基本一致。 相似文献
78.
J. Balster R. Sumbharaju S. Srikantharajah I. Pünt D.F. Stamatialis V. Jordan M. Wessling 《Journal of membrane science》2007
Bipolar membranes (BPMs) are catalytic membranes for electro-membrane processes splitting water into protons and hydroxyl ions. To improve selectivity and current efficiency of BPMs, we prepare new asymmetric BPMs with reduced salt leakages. The flux of salt ions across a BPM is determined by the co-ion transport across the respective layer of the membrane. BPM asymmetry can be used to decrease the co-ion fluxes through the membrane and shows that the change of the layer thickness and charge density of the corresponding ion exchange layer determines the co-ion flux. The modification of a commercial BP-1 with a thin additional cation exchange layer on the cationic side results in a 47% lower salt leakage. Thicker layers result in water diffusion limitations. In order to avoid water diffusion limitations we prepared tailor made BPMs with thin anion exchange layers, to increase the water flux into the membrane. Therefore a BPM could be prepared with a thick cation exchange layer showing a 62% decreased salt ion leakage through the cationic side of the membrane. 相似文献
79.
超细荧光聚合物纳米微球的制备 总被引:1,自引:1,他引:0
合成了具有较高荧光量子产率(0.69)和良好光稳定性的可聚合荧光染料单体,该荧光染料的光稳定性高于商品化的染料罗丹明B。 通过氧化还原引发剂引发乳液聚合制备了超细荧光聚合物纳米微球,将染料分子共价连接在聚合物链上。 使用非离子表面活性剂Triton X-100作为乳化剂、甲基丙烯酸甲酯(MMA)作为单体和助乳化剂,制备的超细纳米微球平均粒径为22 nm,而不加MMA时制备出的纳米微球平均粒径在150 nm左右。 由于微球表面带有苄氯基团,为进一步的微球功能化提供了途径。 相似文献
80.
研究了一种脉冲信号激励的漏磁检测系统;利用USB数据采集卡I/O口输出脉冲方波信号经过功率放大环节生成激励信号,通过数据采集卡触发采样功能实现检测信号的同步采样;基于Labview软件搭建了漏磁检测虚拟仪器平台,实现了漏磁检测信号的采集、调理、储存、回放和分析功能;通过实验对加工有宽度为2 mm深度分别为2 mm、5 mm、10 mm的3个裂纹缺陷的钢样本进行检测,应用霍尔传感器检测漏磁场信号;检测信号经过调理和采集,在电脑中实时显示漏磁信号随时间的变化波形;通过分析回放采样信号的峰值和峰值到达时间评估缺陷的位置和深度;实验结果表明缺陷深度越大采样信号的峰值越大,峰值到达时间越长。 相似文献