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Quantum Key Distribution Using Four-Qubit W State 总被引:3,自引:0,他引:3
CAO Hai-Jing SONG He-Shan 《理论物理通讯》2006,46(1):65-68
A new theoretical quantum key distribution scheme based on entanglement swapping is proposed, where four-qubit symmetric W state functions as quantum channel. It is shown that two legitimate users can secretly share a series of key bits by using Bell-state measurements and classical communication. 相似文献
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In this paper, the effect of cubic zinc metaborate Zn4O(BO2)6 on the sintering of MnZn-ferrites for medium frequency power applications is investigated. Zinc metaborate is synthesized in the laboratory using zinc oxide and boric acid as metal precursors. As observed, when zinc metaborate is added to the MnZn-ferrites at an optimum amount of 0.02 wt%, it significantly enhances densification and therefore allows, for a given density, reduction of the firing temperature by almost 200 °C. MnZn-ferrites exhibiting power losses of 70 mW/cm3 (measured at a frequency of 400 kHz, magnetic field 50 mT and temperature of 90 °C) are synthesized from conventionally milled powders with average particle diameter 0.6 μm, compacted and fired at 1100 °C. Identical experiments conducted under the same conditions on specimens without zinc metaborate additions revealed power losses greater than 300 mW/cm3, because of insufficient densification. 相似文献
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我国低温等离子体研究进展(Ⅰ) 总被引:7,自引:0,他引:7
低温等离子体物理与技术的研究在国内受到了越来越多的重视.在等离子体中发现的一些有趣的物理现象,如磁场重联、尘埃等离子体等,使人们对等离子体物理的研究掀起了新的热潮.在应用方面,几乎所有理工类实验室都有涉及低温等离子体技术的实验装置,这使得在我国低温等离子体应用方面的研究非常普及,包括微电子工业中的等离子体工艺,各种坚硬、耐腐蚀、耐摩擦材料的制备,纳米材料的制备,聚合物以及生物材料的表面改性,等等.随着低温等离子体技术的发展,低温等离子体的诊断技术也随之发展起来.文章简要地介绍了近几年来低温等离子体研究在我国的发展,介绍了一些有关低温等离子体的热点研究课题. 相似文献
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提出一种波长检测技术实现温度测量的方法,利用FBG传感器对温度等物理量实施监测,具有测试精度高,应用场合不受限制等特点,当环境参数发生变化时,光纤光栅的有效折射率和光栅周期会受到影响,将引起光纤光栅峰值波长的偏移,依据反射光谱结构的变化,可知道其温度的变化趋势。实验测试结果表明,在温度变化0.1°,波长变化1pm,温度和波长具有良好的线性关系。 相似文献
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针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
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The melting curve of MgSiO分子动力学 MgSiO3钙钛矿 熔化温度 高压 melting temperature, molecular dynamics, high pressure Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10274055 and 10376021),the Natural Science Foundation of Gansu Province, China (Grant No 3ZS051-A25-027) and the Scientific Research Foundation of Education Bureau of Gansu Province, China (Grant No 0410-01). 2005-01-12 5/8/2005 12:00:00 AM The melting curve of MgSiO3 perovskite is simulated using molecular dynamics simulations method at high pressure. It is shown that the simulated equation of state of MgSiO3 perovskite is very successful in reproducing accurately the experimental data. The pressure dependence of the simulated melting temperature of MgSiO3 perovskite reproduces the stability of the orthorhombic perovskite phase up to high pressure of 130GPa at ambient temperature, consistent with the theoretical data of the other calculations. It is shown that its transformation to the cubic phase and melting at high pressure and high temperature are in agreement with recent experiments. 相似文献
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