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81.
基于磷酸化修饰的核/壳硅纳米颗粒药物缓释体研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反相微乳液体系中功能化基团同步修饰方法制备了包载抗肿瘤药物平阳霉素(PYM)的磷酸化核/壳硅纳米颗粒(PYM-PO4SiNP), 考察了不同量的磷酸化修饰试剂对PYM-PO4SiNP的影响. 结果表明, 随着磷酸化修饰试剂量的增加, 制备的PYM-PO4SiNP的电位逐渐降低, 其包载的PYM 的释放速率逐渐加快, 但对颗粒的粒径没有明显影响. 本文选择能使药物平稳、缓慢释放的磷酸化修饰试剂用量, 制备了稳定性好、药物缓释时间长的PYM-PO4SiNP, 其载药量和包封率分别为7.2%和37.81%, 通过与CNE-2细胞共培育后, 可以使CNE-2细胞的存活率逐渐下降, 而磷酸化核/壳硅纳米颗粒PO4SiNP载体本身是没有毒性的. 这一研究工作的开展拓宽了核/壳硅纳米颗粒在药物载体领域中的应用. 相似文献
82.
药物释放环境对层状复合氢氧化物载体的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
以层状复合氢氧化物(LDH)为载体用离子交换法制取乙酰苯甲酸(ASP)的插层复合物LDH-ASP, 通过体外释放实验和固相XRD、FT-IR、TEM、TG-DSC及BET-N2比表面积表征, 研究了药物释放环境对载体结构的影响. 结果表明释放环境pH为4.30-6.89时, 载体的层状特征减弱但晶体类型不变; pH为2.48-4.30时, H2PO-4对LDH的嫁接反应引起层状化合物向复杂磷酸盐转化; 随环境pH由6.89降低至2.48, 载体纯度下降, 晶态性征减弱,微孔吸附活性降低. 相似文献
83.
84.
利用射频磁控溅射法在(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7 (001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO3外延薄膜. 通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO3薄膜具有n型简并半导体特征, 并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m0 (m0为自由电子质量). 镧掺杂BaSnO3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%). 基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合, 从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm, 能带宽度为3.43 eV、 带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律, 而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性. 相似文献
85.
An ab initio analysis of the periodic array of Au/Si nanostructure composed of gold clusters linked to silicon quantum dot (QD) co-doped by aluminium and phosphorus along [111] direction is presented in this paper. The density functional theory (DFT) is used to compute the electronic structure of the simulated system. Non-adiabatic coupling implemented in the form of dissipative equation of motion for reduced density matrix is used to study the phonon-induced relaxation in the simulated system. The density of states clearly shows that the formation of Au–Si bonds contributes states to the band gap of the model. Dynamics of selected photo-excitations shows that hole relaxation in energy and in space is much faster than electron relaxation, which is due to the higher density of states of the valence band. 相似文献
86.
采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源和PH3作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底上, 成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜((n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结,并在230—420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性.结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c- Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性.正向偏压下
关键词:
(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结
能带模型
电流输运机构
温度特性 相似文献
87.
A computer simulation system of three-dimensional sensing with structured illumination is presented. It includes the generation of deformed fringe patterns from 3-D shapes and the reconstruction of 3-D shapes, conversely. Some experimental results of the deformed fringe pattern and the reconstructed object shapes are presented. We have also discussed the effect of some major system parameters on the measurement results and considered how to correct these parameters according to the measurement result of the standard plane. Using this simulation system, the major system parameters: environmental conditions, measurement accuracy and algorithm evaluation of the 3-D shape measurement system based on PMP, FTP, SPM, etc., can be researched. © 1997 Elsevier Science Ltd. All rights reserved. 相似文献
88.
任意相位差条纹信号细分方法的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
为消除传统细分方法中由于两路条纹信号不正交引入的细分误差,提出了一种可对任意相位差条纹信号直接细分的新方法。根据两路条纹信号的极性和幅值大小,把一个信号周期分成8个区段。高速采集两路条纹信号,通过判断信号采样点所处的区段是否跳变对信号幅值交点进行动态跟踪。对不足一个周期的条纹移动,当测量出起点与终点的幅值,计算出其所在的区段及位置后,结合两路信号的交点,可实现对任意相位差条纹信号的细分。实验结果表明,该方法突破了传统细分方法必须信号正交的限制,可对任意相位差信号进行准确地细分,降低了条纹测量中器件安装与调试的难度,具有更强的环境适应性和抗干扰能力。 相似文献
89.
在溶液法制备有机电致发光器件(OLEDs)的研究中, PEDOT∶PSS由于具有较好的成膜性与高透光性而常被用作器件的空穴注入层。但相关研究表明, PEDOT∶PSS本身稳定性较差以及功函数较低,这使得溶液法制备OLEDs的性能差且不稳定。蓝色作为全彩色的三基色之一,制备高效的蓝光器件对于实现高质量显示器件和固态照明装置必不可少。而目前溶液法制备蓝光OLEDs的器件效率普遍较差,针对此问题,本文利用传统的蓝光热激活延迟荧光发光(TADF)材料DMAC-DPS作为发光层,用溶液法制备了蓝光TADF OLEDs,通过在PEDOT∶PSS中掺杂PSS-Na制备混合空穴注入层(mix-HIL)来提高空穴注入层的功函数,研究其对于蓝光TADF OLEDs器件性能的影响。首先在PEDOT∶PSS水溶液中掺入不同体积的PSS-Na溶液,在相同条件下旋涂制膜,进行器件制备。通过观测各个实验组器件的电致发光(EL)光谱,发现掺入PSS-Na后器件EL谱存在光谱蓝移的现象,这是由于掺入PSS-Na水溶液后, mix-HIL层的厚度有所降低,使得在微腔效应作用下, EL光谱发生蓝移。通过对比各组器件的电流密度-电压-亮度(J-V-L)曲线及其计算所得器件的电流效率,结果显示随着PSS-Na的掺入,器件的亮度和电流都有所增大,器件的电流效率也得到了提升,当掺杂比例为0.5∶0.5(PEDOT∶PSS/PSS-Na)时提升幅度最大(亮度提升86.7%,电流效率提升34.3%)。通过在瞬态电致发光测试过程中施加或撤去驱动电压观测了器件EL强度的变化,分析了在混合空穴注入层/发光层(mix-HIL/EML)界面处的电荷积累情况。实验证明,通过在PEDOT∶PSS中掺杂PSS-Na制备mix-HIL获得了蓝光TADF OLEDs器件性能的提升,这是一个获得高效率溶液法制备OLEDs的可行方法。 相似文献
90.
Yoshiteru Amemiya Tomohiro Tokunaga Yuichiro Tanushi Shin Yokoyama 《Optical Review》2009,16(3):247-251
Electric-field drive optical modulators using a Si ring resonator were fabricated on silicon-on-insulator (SOI) wafers. The
fabricated resonators consisted of Si waveguides with width and thickness of 1.0 and 0.3 μm, respectively. In order to induce
the linear electro-optic (EO) effect in the Si core layer, the strain was applied by covering the layer with Si3N4 film (0.26 μm thick) deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) at 750 °C. The vertical electric-field was
applied to the Si waveguide through the top and bottom cladding layers, and the optical output from the drop port at the resonance
wavelength was measured. At a wavelength of 1501.6 nm, the optical modulation of 33% was obtained at 200V (electric-field
at the silicon surface ∼3 × 105 V/cm, nearly the breakdown field). The resonance wavelength was shifted toward the short wavelength side by applying both
positive and negative voltages, this shift was explained by carrier concentration modulation. The linear EO effect in the
Si core layer was not observed, presumably because the strain in the Si core layer was too small. 相似文献