QUASICONTINUUM SIMULATION OF NANOINDENTATION OF NICKEL FILM

A large-scale atom simulation of nanoindentation into a thin nickel film using thequasicontinuum method was performed. The initial stages of the plasticity deformation of nickelwere studied. Several useful results were obtained as follows: (1)The response of the load versusindentation depth—on the load versus indentation depth curve, besides the straight parts cor-responding to the elastic property of nickel, the sudden drop of the load occurred several times;(2) The phenomena of dislocation nucleation—the dislocation nucleation took place when theload descended, which makes it clear that dislocation nucleation causes the drop of the load;(3)The mechanism of the dislocation emission—the Peierls-Nabarro dislocation model and a pow-erful criterion were used to analyze the dislocation emission. And the computational value was ingood agreement with the predict value; (4) The density of geometrically necessary dislocations.A simple model was used to obtain the density of geometrically necessary dislocations beneaththe indenter. Furthermore, the influence of the boundary conditions on the simulation results wasdiscussed.     

高温闪烁晶体Ce:YAP的化学腐蚀形貌

本文报导了Ce:YAP晶体位错蚀坑的腐蚀条件;同时报导了几个主要晶面的位错蚀坑形貌,(100)面呈扁豆形,(010)面呈菱形,(101)面呈椭圆形,这些形状与各自晶面的对称性一致.通过蚀坑形貌在晶体横截面内观察到了小面生长核心区和熔质尾迹等缺陷,并分析了其成因.     

多个共面任意分布表面裂纹的应力强度因子

采用线弹簧模型求解多个共面任意分布表面裂纹的应力强度因子。基于Ｒｅｉｓｓｎｅｒ板理论和连续分布位错思想,通过积分变换方法,将含有多个共面任意分布表面裂纹的无限平板问题归结为一组Ｃａｕｃｈｙ型奇异积分方程。利用Ｇａｕｓｓ－Ｇｈｅｂｙｓｈｅｖ笔法获得了奇异积分方程的数值解。为验证本文法的正确性,文中最后给出了有关应力强度因子或Ｐ－Ｖ曲线的数值结果并与现有的理论结果或实验结果进行了对比。结果表明了连续位     

准晶数学弹性力学和缺陷力学

对准晶数学弹性理论的基本概念和基本框架作了介绍,在此基础上分别针对目前已经发现的几类一维准晶、二维准晶和三维准晶讨论了其数学弹性的理论体系．为了求解准晶弹性的边值问题或初值一边值问题,还必须发展相应的方法论．物理工作者在研究准晶位错弹性问题中发展了Ｇｒｅｅｎ函数方法．针对一维与二维准晶弹性中几类问题提出了分解与叠加程序,这一程序的使用,使极其复杂的准晶弹性问题得到简化,进而引进位移函数或应力函数,把数目。庞大的准晶弹性基本方程化成一个或少数几个高阶偏微分方程,进一步使求解步骤大为简化．对三维立方准晶弹性也采用了类似步骤使求解过程大为简化．在以上化简的基础上,发展了准晶弹性的边值问题或初值一边值问题的复交函数方法和 Ｆｏｕｒｉｅｒ分析方法,求得了一系列准晶位错问题和裂纹问题的分析解（古典解）．在研究准晶弹性的边值问题古典解的同时,也讨论了同这些边值问题相对应的变分问题和广义解（弱解）以及这种弱解的数值方法──有限元法．在物理学家工作基础上开展的这些工作可以看作对经典数学弹性理论和方法、经典Ｖｏｌｔｅｒｒａ位错理论、普通结构材料断裂力学和经典有限元的某些发展．此外,还把一维六方准晶弹性动力学的结果与统计物理的某些     

准晶数学弹性力学和缺陷力学

对准晶数学弹性理论的基本概念和基本框架作了介绍,在此基础上分别针对目前已经发现的几类一维准晶、二维准晶和三维准晶讨论了其数学弹性的理论体系．为了求解准晶弹性的边值问题或初值一边值问题,还必须发展相应的方法论．物理工作者在研究准晶位错弹性问题中发展了Ｇｒｅｅｎ函数方法．针对一维与二维准晶弹性中几类问题提出了分解与叠加程序,这一程序的使用,使极其复杂的准晶弹性问题得到简化,进而引进位移函数或应力函数,把数目。庞大的准晶弹性基本方程化成一个或少数几个高阶偏微分方程,进一步使求解步骤大为简化．对三维立方准晶弹性也采用了类似步骤使求解过程大为简化．在以上化简的基础上,发展了准晶弹性的边值问题或初值一边值问题的复交函数方法和 Ｆｏｕｒｉｅｒ分析方法,求得了一系列准晶位错问题和裂纹问题的分析解（古典解）．在研究准晶弹性的边值问题古典解的同时,也讨论了同这些边值问题相对应的变分问题和广义解（弱解）以及这种弱解的数值方法──有限元法．在物理学家工作基础上开展的这些工作可以看作对经典数学弹性理论和方法、经典Ｖｏｌｔｅｒｒａ位错理论、普通结构材料断裂力学和经典有限元的某些发展．此外,还把一维六方准晶弹性动力学的结果与统计物理的某些      

On the synthesis and characterization of La doped MgB2 superconductor

We report the synthesis of La doped MgB₂ superconductors with nominal compositions Mg_1‐xLa_xB₂ (with x = 0.01, 0.03, 0.05, 0.07) by solid state reaction at ambient pressure. A special encapsulation technique has been used by us to prepare high quality superconducting MgB₂ samples. The bulk polycrystalline samples possess superconducting transition temperature T_c(R=0) ranging between 36‐39 K. It has been found that transport critical current density J_c of the samples change significantly with the doping level of La. A high transport (J_c) value ∼1.9 x 10³ A/cm² at 15 K has been achieved for Mg_0.97La_0.03B₂ sample. The XRD and TEM investigations indicate that the samples prepared by encapsulation method are devoid of MgO, which is generally found when synthesis of MgB₂ is done through sintering of Mg and B powders. The detailed microstructural investigations of Mg_0.97La_0.03B₂ specimens by transmission electron microscopy (TEM) reveal the presence of partial dislocation network, moiré fringes and superlattice structure in the as synthesized samples. The higher transport critical current density observed in Mg_0.97La_0.03B₂ superconductor has been attributed to the partial dislocations which are capable of providing pinning centres. (© 2004 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

坝基岩体错位的发现与分析

由寒武系坚硬白云岩组成的汾河二库坝基开挖后,岩体沿顺层开裂面发生错位,错位波及几乎整个坝基,错距达1～7cm.本文对坝基岩体错位进行了分析研究,认为岩体错位是基坑开挖后地应力释放的结果。     

氮化硅粉末的冲击波活化研究

 研究了经过两种不同压力15.7 GPa和25.6 GPa的冲击波活化的Si₃N₄粉末的表观和显微特性及其烧结特性。结果表明冲击波活化在烧结过程中有明显的增进密实化进程的作用。     

蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低

近年来人们报道了用MBE方法生长GaN的飞速进展,利用RF-MBE方法可以获得高的GAN生长速率和高的电子迁移率.本文讨论了用RF-MBE方法在蓝宝石衬底上生长GaN过程中的极性控制和螺旋位错的降低.在充分氮化的蓝宝石衬底上直接生长GaN,使GaN的极性控制为N-极性,并用高温生长的AlN核化层实现GaN的Ga-极性.对于N-和Ga-极性的GaN这两种情况,高温生长的AlN中间迭层的引入,可以有效地抑制螺旋位错的扩散.位错的降低使GaN的室温电子迁移率得到提高,对于Ga-极性的GaN,其值为332cm²/V·s;而对于N-极性的GaN,其值为688cm²/V·s.     

平板马兰各尼流动中数的影响

本文提出了边界层充分发展情况下平板马兰各尼流动动量方程和能量方程的相似解,分析了流动与传热随Pr数的变化特征;由于在核沸腾中蒸汽气泡的一般直径大于估算边界层厚度,因而可以忽略表面张力影响,将这一结果用于气泡周界马兰各尼流动效应的初步分析.