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101.
行人流连续模型直观地反映人群疏散过程中的疏散特征,本文基于行人流连续模型。研究行人在典型疏散场景下的疏散特征.在COMSOL中建立行人流连续模型及其方程,通过编写MATLAB代码,实现了连续模型及其循环求解框架.利用快速扫描法求解Eikonal方程得到背景场值,在每一步迭代循环中将背景场值作为模型的初始变量导入,调用COMSOL计算模块求解模型的瞬态控制方程.通过两个标准算例,重现了典型的行人流自组织现象,验证了连续模型的合理性.结果表明,本文的疏散仿真分析模型和计算程序是可靠的,疏散仿真分析可以为实际工程中的人员疏散方案的制定以及平面设计与安全布置等方面提供技术支撑. 相似文献
102.
103.
104.
高端飞行器的可靠性往往受限于其发动机内部盘、板等构的结构强度和使用寿命,因此对这类部件的无损检测在制造业上具有巨大需求。超声检测作为一种应用广泛、高效、环保的检测方法,常常被应用于这类构件的检测中。但是,大厚度盘、板类构件内的微小缺陷反射能力弱,常规超声脉冲反射法无法进行有效检测。为实现大厚度盘、板类构件内部微小缺陷的识别和定位,采用共线异侧纵波混频法,通过和差频信号特征识别微小缺陷;研究缺陷埋深变化对混频效果的影响,通过测量和差频信号幅值变化,实现微小缺陷的深度定位。结果表明:该方法可有效识别7075铝合金中埋深80 mm的?0.2 mm横孔微缺陷,且可实现微小缺陷的深度定位。 相似文献
105.
106.
The distinctive features of the atomic and electronic structure of thin surface layers of substances in the process of formation
of epitaxial silicon films on silicon are studied using the procedures of reflection and scattering of ultrasoft x-ray radiation.
The angular distribution of the scattered x-ray radiation (the scattering indicatrices) and the near fine structure of SiL2,3 spectra of reflection are investigated. The assumption of the sensitivity of the observed peak of anomalous scattering (the
Yoneda peak) of x-ray radiation to the presence, in the surface regions of the materials, of extended double-boundary defects,
the defects of packing, grain boundaries, dislocations, etc. is made. It is shown that the experimental procedure used makes
it possible to obtain information on the surface layers of substances.
Translated from Zhurnal Priklaldnoi Spektroskopii, Vol. 67, No. 4, pp. 496–498, July–August, 2000. 相似文献
107.
基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,钛间隙和氧间隙沿[001]方向具有最小的扩散势垒路径,激活能分别为0.505 eV和0.859 eV;氧空位和钛空位的势垒最小的扩散路径分别沿[110]方向和[111]方向,激活能分别为0.735 eV和2.375 eV. 相似文献
108.
He Wen Li HuaWei Zhou HuiQiong Zhao HongKang Wang Hui Shi XingHua 《中国科学:物理学 力学 天文学(英文版)》2020,63(3):1-8
PbI2/MoS2,as a typical van der Waals(vdW)heterostructure,has attracted intensive attention owing to its remarkable electronic and optoelectronic properties.In this work,the effect of defects on the electronic structures of a PbI2/MoS2 heterointerface has been systematically investigated.The manner in which the defects modulate the band structure of PbI2/MoS2,including the band gap,band edge,band alignment,and defect energy-level density within the band gap is discussed herein.It is shown that sulfur defects tune the band gaps,iodine defects shift the positions of the band edge and Fermi level,and lead defects realize the conversions between the straddling-gap band alignment and valence-band-aligned gap,thus enhancing the light-absorption ability of the material. 相似文献
109.
The effect of Pt on the growth kinetics of the γ′-[Ni(Pt)]3Al ordered intermetallic phase and the γ-Ni(Pt, Al) solid solution diffusion rates of the species, hardness and elastic modulus was examined by employing the diffusion couple experimental technique. Experiments were conducted by using the β-Ni(Pt)Al phase and Ni(Pt) alloy couples, each of which had a fixed amount of Pt (5, 10 and 15 at. %) in both the end members so that the Pt content is more or less constant throughout the interdiffusion zone. The results suggest that the growth kinetics of both phases and the average effective interdiffusion coefficients of Ni and Al increase with the increase in Pt content. Nanoindentation studies across the compositional gradients show that the mechanical properties of the intermetallic phase in the superalloy are relatively insensitive to the presence of Pt but are more sensitive to the Ni/Al ratio. In contrast, the marked variation in the hardness of the γ phase were noted, increasing markedly with Al concentration in a given couple and also increasing with increasing Pt content. Possible causes for the observed variations are discussed. 相似文献
110.
利用Novocontrol宽频介电谱仪在-100—20 ℃温度范围内测量了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,其频率范围为10-2—106 Hz. 研究表明: ZnO压敏陶瓷特征损耗峰的活化能分别为0.26和0.36 eV,结合实验条件、理论计算结果及其他现象的分析排除了特征损耗峰源于阴极电子注入、夹层极化和偶极子转向极化的可能.热刺激电流(TSC)谱共出现三个峰,其中高温峰对应于TSC实验加压过程引入的热离子极化,而中温峰和低温峰对应于介电损耗峰. 在分析的基础上,提出了ZnO压敏陶瓷的特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷的电子弛豫过程.
关键词:
ZnO压敏陶瓷
本征缺陷
介电谱
热刺激电流 相似文献