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41.
计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。 相似文献
42.
本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪(Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer)测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数,我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜,然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量,测量在大气中进行,光谱范围从200到1000nm(或1.24到5cV),测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃,接着,用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长(光子能量)的变化函数进行拟合,通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线,并且从材料吸收谱的吸收边,我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。 相似文献
43.
44.
本文介绍了法律经济学发展的历史,揭示了法律经济学的内涵,分析了基于微观经济学基础之上的法律经济学基本理念和原则,概括用经济方法分析法律的工具,并以供给一需求模型和成本一效益模型为例,总结法律经济学所研究的法学领域的内容,在本文最后,介绍对其两种截然不同的评价,以此得出作者自己的观点,并认为法律经济学对于中国的法学领域也不无借鉴。 相似文献
45.
c轴定向氮化铝薄膜的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 相似文献
46.
47.
用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。 相似文献
48.
Fabrication and Characterization of Ni Thin Films Using Direct-Current Magnetron Sputtering 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement. 相似文献
49.
集成铁电学与铁电集成薄膜 总被引:12,自引:0,他引:12
介绍了集成铁电学的基本概念,评述了当前集成铁电材料与器件研究中的主要问题,概略叙述了作者提出的铁电集成薄膜及其在多功能器件和灵巧器件上的应用。 相似文献
50.
利用102MeV的^28Si束流,通过^60Ni(^28Si,2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态,测量了γ-γ符合及DCO比值,建立了一个有43条能级,75条γ跃迁的能级纲图,新增加了36条γ跃迁,25条能级。将能级自旋推高到(49/2^ ),首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。 相似文献