首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7131篇
  免费   3772篇
  国内免费   3171篇
化学   4396篇
晶体学   1019篇
力学   518篇
综合类   292篇
数学   733篇
物理学   7116篇
  2024年   67篇
  2023年   214篇
  2022年   278篇
  2021年   343篇
  2020年   212篇
  2019年   208篇
  2018年   177篇
  2017年   208篇
  2016年   268篇
  2015年   395篇
  2014年   608篇
  2013年   611篇
  2012年   512篇
  2011年   522篇
  2010年   597篇
  2009年   598篇
  2008年   751篇
  2007年   601篇
  2006年   709篇
  2005年   743篇
  2004年   637篇
  2003年   637篇
  2002年   560篇
  2001年   501篇
  2000年   381篇
  1999年   323篇
  1998年   341篇
  1997年   332篇
  1996年   348篇
  1995年   294篇
  1994年   231篇
  1993年   158篇
  1992年   190篇
  1991年   166篇
  1990年   133篇
  1989年   122篇
  1988年   35篇
  1987年   30篇
  1986年   12篇
  1985年   12篇
  1984年   1篇
  1983年   4篇
  1982年   3篇
  1975年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
41.
计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。  相似文献   
42.
本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪(Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer)测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数,我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜,然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量,测量在大气中进行,光谱范围从200到1000nm(或1.24到5cV),测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃,接着,用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长(光子能量)的变化函数进行拟合,通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线,并且从材料吸收谱的吸收边,我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。  相似文献   
43.
用干涉方法测量薄膜应力   总被引:2,自引:2,他引:0  
基于基片弯曲法和牛顿环的基本原理,使用He-Ne激光器、扩束镜、凸透镜和带分光镜的移测显微镜,搭建了薄膜应力测量装置.采用直流溅射法制备了厚度为30~144 nm的银薄膜,衬底采用厚度为0.15 mm、直径为18 mm的圆形玻璃片.实验发现,薄膜厚度对银薄膜的内应力有显著的影响,在薄膜厚度很小时,随着薄膜厚度的增加,应力迅速增大,达到最大值后,随着厚度的继续增加,薄膜应力下降较快并趋于稳定值.  相似文献   
44.
本文介绍了法律经济学发展的历史,揭示了法律经济学的内涵,分析了基于微观经济学基础之上的法律经济学基本理念和原则,概括用经济方法分析法律的工具,并以供给一需求模型和成本一效益模型为例,总结法律经济学所研究的法学领域的内容,在本文最后,介绍对其两种截然不同的评价,以此得出作者自己的观点,并认为法律经济学对于中国的法学领域也不无借鉴。  相似文献   
45.
c轴定向氮化铝薄膜的制备   总被引:3,自引:0,他引:3  
龚辉  范正修 《光学学报》2002,22(8):33-936
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。  相似文献   
46.
47.
用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。  相似文献   
48.
Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement.  相似文献   
49.
集成铁电学与铁电集成薄膜   总被引:12,自引:0,他引:12  
肖定全 《物理》1994,23(10):577-582
介绍了集成铁电学的基本概念,评述了当前集成铁电材料与器件研究中的主要问题,概略叙述了作者提出的铁电集成薄膜及其在多功能器件和灵巧器件上的应用。  相似文献   
50.
利用102MeV的^28Si束流,通过^60Ni(^28Si,2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态,测量了γ-γ符合及DCO比值,建立了一个有43条能级,75条γ跃迁的能级纲图,新增加了36条γ跃迁,25条能级。将能级自旋推高到(49/2^ ),首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号