一个新型电子直线加速器的预制研究

文中给出了对一个新型紧凑的电子直线加速器(linac)证明原理的研究结果.在该linac中,通过偏转磁场选择特定能量和相位的大功率速调管用毕束流,然后将它们注入到加速节中,同时使速调管工作在自激振荡状态,使传统linac上的许多部件都可以省去.据此建成的linac的结构简单、维护容易、性能良好、造价经济.因此实现这种具有众多优点的新型linac将有助于linac应用的推广.要实现这样的linac有许多关键的问题需要解决.电子束团的性能参量,如能量、电流、发射度,以及速调管自激振荡的频率稳定度等都必须符合加速的要求.文中给出的计算机模拟和实验结果都表明了实现这种新型的linac的可行性     

BEPC Ⅱ注入器相控系统的设计

 以2.856GHz频率上相位控制达到±2°为目标，阐述北京正负电子对撞机重大改造工程注入器相控系统设计思路，提出相应的系统实现结构。在分析相控过程的基础上，分解系统指标，把它作为相控系统详细设计和关键部件测试的依据。最后，针对相位测量这一关键问题，给出了具体的实现方法。     

HL-2M 主机线圈冷却系统设计和优化

用一维网络仿真和解析计算方法对HL-2M 磁体TF 线圈、PF 线圈和CS 线圈水冷却系统进行设计和计算,给出了冷却系统工程设计所需要的水力参数。通过优化冷却系统的资用压力和流量分配,得到满足子系统动力输出的最大流量为400m³•h⁻¹,最大压力为1.8MPa,满足线圈在最大流速4.5m•s⁻¹ 下热交换的要求。     

Fabrication of Cu2ZnSn(SxSe1−x)4 thin film solar cell by single step sulfo-selenization of stacked metallic precursors

We have synthesized an efficient Cu₂ZnSn(S_xSe_1−x)₄ (CZTSSe) absorbers by using single-step rapid thermal sulfo-selenization process of sputtered stack metallic precursor (Zn/Sn/Cu) films. The structural and morphological studies confirm that the suitability of the rapid thermal sulfo-selenization process for the synthesis of a CZTSSe absorber without any secondary phases with large grains. The annealing atmosphere with a mixed-chalcogen source enhances the grain growth of the CZTSSe absorber as compared with pure Cu₂ZnSnS₄ (CZTS) and Cu₂ZnSnSe₄ (CZTSe) absorbers. The CZTSSe thin film solar cell shows the best conversion efficiency of ∼7%.     

HL-1M装置离子回旋共振加热系统及初步实验

新建成的HL-1M装置离于回旋共振加热(ICRH)射频系统,经工程联调,已达到输出功率500kW、脉宽100ms、频率26～36MHz。在环向场B     

储存环高频剔除系统

 介绍了用于电子储存环部分填充和非均匀填充的一种实验装置,它利用储存环中电子运动所具有的横向自由振荡和束团脉冲的时间结构这一特性,采用外加激励的方法使其产生共振,从而使得储存环中部分束团中的电子丢失,形成储存环的部分填充和非均匀填充。还扼要介绍了用高频剔除系统在储存环上实现不同填充方式时的束流积累结果。     

HM-J16双光子电子直线加速器

简要叙述了 HM-J1 6加速器的设计思想和设计特点。设计了一台采用射频功率反馈的射线能量范围为 6～ 1 6Me V的双光子电子直线加速器。其最大辐射野为 4 0 cm× 4 0 cm,双光子剂量率均大于3 60 c Gy/ (min·m)。     

Synthesis and high-frequency magnetic properties of sol–gel derived Ni–Zn ferrite–forsterite composites

Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄–forsterite composites were synthesized by a sol–gel method. X-ray diffraction and SEM were used to characterize the crystallization behavior of the composite samples which were heat treated at temperatures varying from 800 to 1100°C. The results showed that Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄ and forsterite (Mg₂SiO₄) can co-crystallize and the crystallites grow even more larger with increasing heat-treatment temperature. High-frequency (10 MHz–1 GHz) magnetic and dielectric properties of the composite samples were presented. Permeability increased with heat-treatment temperature. Quality factor was found to be two orders higher than that of equivalent pure, bulk ferrite.     

针对限制幅值磁共振脉冲的优化设计

在磁共振脉冲优化领域,优化脉冲普遍存在幅值过大的问题,这极大地限制了优化脉冲的使用范围。为了限制优化脉冲的幅值,扩大其应用范围,提出了一种基于L-BFGS-B数值算法的脉冲优化设计方法。首先基于Liouville-von Neuman方程,使用最优控制思想构建优化模型;然后使用L-BFGS-B算法,在限制幅值的条件下对优化模型进行数值迭代求解;最后以脉冲的激发效率以及激发轮廓的均匀性作为衡量优化脉冲优劣的标准对该方法进行仿真和实验验证。结果表明,采用该方法获得的优化脉冲在幅值被限制的前提下,仍能获得较传统磁共振脉冲更好的共振激发效果,进而增强信号的灵敏度,提高图像的质量。     

膜厚对射频磁控溅射法制备的SnS薄膜结构和光学性质的影响

利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)分别对所制备的薄膜晶体结构、组分、表面形貌、厚度、反射率和透过率进行表征分析。研究结果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的结晶质量和组分配比,晶粒尺寸和颗粒尺寸随着厚度的增加而变大。样品的折射率在1 500~2 500 nm波长范围内随着薄膜厚度的增加而增大。样品在可见光区域吸收强烈,吸收系数达10⁵ cm^-1量级。禁带宽度在薄膜厚度增加到1 042 nm时为1.57 eV,接近于太阳电池材料的的最佳光学带隙(1.5 eV)。