一个新的杆状病毒凋亡抑制基因的克隆及鉴定

缺失功能性ｐ３５基因的苜蓿尺蠖核形多角体病毒（ＡｃＮＰＶ）突变体（ｖΔＰ３５Ｋ／ｐｏｌ＋）感染草地夜蛾细胞（Ｓｆ９和Ｓｆ２１）［１］及海灰翅夜蛾细胞（ＳＬ２）［２］时，引起细胞凋亡，从而使病毒的感染流产．我们发现海灰翅夜蛾核形多角体病毒（ＳｌＮＰＶ）...     

Momentum Transfer Dependence of Two Types of the Broad Enhancement Phenomena： CO Spectra in the Valence Energy Region

Partial generalized oscillator strength densities of CO molecules related to the excitation of a 5σ or 1π electron are calculated by using multi-scattering self-consistent-field methods.Momentum transfer dependence of two types of the broad enhancement phenomena above the threshold with one-electron character,i.e. shape resonance and non-resonance enhancement,is studied.Our calculations show that the energy position of a non-resonance enhancement is related to the momentum transfer K.Therefore,electron impact based experiments can be used to identify the two types of the broad enhancement phenomena.     

Auger图示对锰原子共振结构的影响

使用多体微扰理论(many-body perturbation theory，MBPT)计算了锰原子的3p^63d^54s^2→3p^53d^54s^2nd系列里德堡共振结构。在耦合方程方法中考虑了Auger图式，计算表明，Auger图式有效地抑制了3p→nd系列共振结构的发散。     

1,4-二取代环己烷不应称为内消旋体

１，４二取代环己烷不应称为内消旋体蔡红（宿州师范专科学校化学系安徽２３４０００）国内一些有机化学教科书在论述二取代环己烷的旋光异构体内容时，大都先从１２二取代环己烷着手，接着是１３二取代环己烷，最后讨论１４二取代环己烷。根据取代基在环上...     

超磁致伸缩材料国际会议情况介绍

日本高科技协会，于1996年11月6日-8日在美国夏威夷火努鲁鲁的日本东海大学太平洋中心组织召开了稀土超磁致伸缩材料基础和应用研究的国际会议．超磁致伸缩材料GMM（GiantManetostrictiveMa．tenals）为稀土元素钛Tb（Terbium）、镐Dy（DysPro－sium）和铁Fe的合金化合物，其基     

潜体在非均质流体中的平衡位置与平衡过程

以探空气球为例,讨论潜体在非均质流体中的平衡位置与平衡过程.     

Ce3+离子敏化Eu3+∶Cr3+∶Sm3+∶YAG外延层的荧光现象

对Ce3+ ∶Eu3+ ∶Cr3+ ∶Sm3+ ∶YAG处延层中的荧光敏化现象进行了报道和分析 ,在较高浓度的Ce3+ 离子掺杂时 ,外延层在蓝色、绿色波段出现了新的荧光谱线 ,可解释为在Ce3+ 离子敏化作用下 ,Eu3+ 离子产生了由高位激发态能级5Di(i=1,2 ,3)直接到基态能级7Fj(j =0 ,1,2 ,3)的辐射跃迁过程 ,并且这种Ce3+ ∶Eu3+ ∶Cr3+ ∶Sm3+ ∶YAG外延层还是一种新颖的白色单晶荧光材料。     

争鸣

问题114对台体的体积公式可按下面类比引出．     

用超磁致伸缩调谐光纤光栅的光分/插复用器

提出并研究了一种新型多信道切换的全光分/插复用器,它主要由光纤Bragg光栅(FBG)和一对光环行器组成.采用了一种高效的超磁致伸缩材料(GMM)使FBG产生有效的Bragg波长偏移.用控制电流来调控FBG的应变和Bragg波长偏移.用4只相同的FBG与波长叠加技术相结合,可建立能提供15种不同下路信道方式的OADM.     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.