H—空间中单调型集值映象变分不等式解的存在性问题

该文研究了一类具广义单调型集值映象的变分不等式解的存在性问题，结果包含文献「１，８，９」中的相应结果为特例。     

关于hilbert－ingham不等式和它的应用

本文给出（ｉ）ｈｉｌｂｅｒｔ不等式和ｈｉｌｂｅｒｔ－ｉｎｇｈａｍ不等式一些有意义的共同改进；（ｉｉ）一些ｆｅｊｅｒ－ｒｉｅｓｚ型不等式的改进和（ｉｉｉ）ｈａｒｄｙ不等式的改进．     

机械结构的模糊优化设计

本文阐述了机械结构模糊优化设计的必要性及方法，并以用于５５千瓦风力发电机组的ＮＧＷ９２型行星齿轮传动为例，说明这一现代设计方法的实施及优良设计特性。     

高功率多程激光放大系统的优化设计

 利用光束传输模拟程序对高功率多程激光放大系统进行了优化设计, 所用方法和所得结论对高功率激光放大系统的设计有应用意义。     

一种静电像管优化设计方法的设想

从数值计算出发,以实例计算静电像管的均方根半径值,给出系统在最佳像面及其各附加像面处的均方根值,验证了理论分析的正确性,并从理论上提出了一种关于静电像管优化设计方法的设想。     

基于逆向优化设计的高能量利用率LED路灯透镜EI北大核心CSCD

采用逆向优化设计的方法设计发光二极管(LED)路灯透镜,提高LED路灯道路照明质量和能量利用率。以城市道路照明标准为约束,优化出最大亮度照度比的理想配光曲线。基于得到的理想配光曲线,透镜采用分离变量法设计自由曲面,将光源和目标面进行网格划分,形成能量对映关系。同时对曲面构造误差进行控制,再利用反馈优化法对透镜进行优化,使透镜的配光曲线趋于理想。仿真实验表明:采用逆向优化设计的LED路灯透镜,能很好地符合道路照明标准,亮度照度比为0.067,同时相对于传统的对称型LED路灯配光曲线节省20.2%的能耗,使LED路灯达到了高照明质量和高能量利用率的目的。     

在定域法中实现光学全局优化

把不等式法用于光学优化设计中,同时使用了“逃逸函数”技术,从而实现了光学系统设计的全局优化在使用逃逸函数时,两个因子H和W的确定是能否“逃逸”优化“陷阱”的关键用这种技术借助于C++开发的程序成功地设计了一些典型的光学系统.     

多模复共轭虚偶相干态光场的等阶N次方Y压缩与等阶N次方H压缩

本文利用新近建立的多模压缩态理论,详细研究了一种新型的多模复共轭虚偶相干态光场|Ψ_i,e^*(2)>_q的广义非线性等阶N次方Y压缩与等阶N次方H压缩特性.结果发现:1)当压缩阶数N为奇数时,态Ψ_i,e^*(2)>_q在一定条件下总可呈现出周期性变化的、任意阶的等阶N次方Y压缩效应;当腔模总数q与压缩阶数N两者之乘积q·N为奇数时,则在一定条件下态|Ψ_i,e^*(2)>_q又可呈现出周期性变化的、任意阶的等阶N次方H压缩效应.2)态|Ψ_i,e^*(2)>_q与多模偶相干态光场|Ψ_i,e^*(2)>_q与多模虚偶相干态光场|Ψ_i,e⁽²⁾>_q的压缩幅度、压缩条件和压缩特征等完全相同.这一结果再次从理论上证实了多模压缩光中的确存在着“相反压缩”和“压缩简并”这两类新的物理现象.     

1.5μm LUMINESCENCE CHARACTERISTIC OF ERBIUM IN B, P DOPED a-SiO:H FILMS

Hydrogenated amorphous silicon films co-doped with oxygen (O), boron (B) and phosphorus (P) were fabricated using PECVD technique. The erbium (Er) implanted samples were annealed in a N₂ ambient by rapid thermal annealing. Strong photoluminescence (PL) spectra of these samples were observed at room temperature. The incorporation of O, B and P could not only enhance the PL intensity but also the thermal annealing temperature of the strongest PL intensity. It seems that the incorporation of B or P can decrease the grain boundary potential barriers thus leading to an easier movement of carriers and a stronger PL intensity. Temperature dependence of PL indicated the thermal quenching of Er-doped hydrogenated amorphous silicon is very weak.     

用离子阱经H2++H2碰撞反应碰撞反应制备H4+

用Ｐｅｎｎｉｎｇ型离子阱经碰撞反应Ｈ２＾＋＋Ｈ２→Ｈ４＾＋产生稳定的Ｈ４＾＋,主要的反应产物是Ｈ３＾＋,但十分明显地观测到Ｈ４＾＋信号。Ｈ４＾＋在阱中稳定存在时间长达０．１ｓ量级,远比Ｋｉｒｃｈｎｅｒ等人测量的１０＾－６ｓ量级长,最后讨论了生成Ｈ４＾＋的反应过程机制。