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991.
本文提出一种用于空间自由曲面测量的多信息输出位移传感器.该传感器结构简单,传感器的输出量与被测量成线性关系,不但能给出位移信息、倾斜角度,还能给出测量光的强弱信息. 相似文献
992.
在高极化多自旋液体样品中,同时存在着分子间偶极(D)耦合和分子内标量(J)耦合,它们的共同作用产生了一些原来观测不到的分子间多量子相干信号。而且,信号的裂分模式与只存在J耦合的多自旋体系中观测到的多量子相干信号的裂分模式不同。本文从理论和实验上研究了这些禁阻的共振峰及其独特的裂分模式。为了比较验证,我们以I2S3+X自旋体系为例,结合使用选择和非选择性的射频脉冲序列来获得分子间双量子相干信号的五种裂分模式。进而归纳出对IpSq+Xk (p, q, k = 1, 2, 3,…)自旋体系普适的裂分模式规则。并指出,它们中如(1:0:-1)的裂分模式会放大J耦合裂分,使得J耦合常数的测量更精确,特别在J耦合常数很小或不均匀场中的J耦合常数的测量中具有诱人的应用前景。结果表明理论预测,计算机模拟和实验观测结果三者吻合的很好。 相似文献
993.
994.
995.
一类非线性m-点边值问题正解的存在性 总被引:26,自引:4,他引:22
设α∈C[0,1],b∈C([0,1],(-∞,0)).设φ(t)为线性边值问题 u″+a(t)u′+b(t)u=0, u′(0)=0,u(1)=1的唯一正解.本文研究非线性二阶常微分方程m-点边值问题 u″+a(t)u′+b(t)u+h(t)f(u)=0, u′(0)=0,u(1)-sum from i=1 to(m-2)((a_i)u(ξ_i))=0正解的存在性.其中ξ_i∈(0,1),a_i∈(0,∞)为满足∑_(i=1)~(m-2)a_iφ_1(ξ_i)<1的常数,i∈{1,…,m-2}.通过运用锥上的不动点定理,在f超线性增长或次线性增长的前提下证明了正解的存在性结果. 相似文献
996.
从极优基未必能迅达最优基:兼与文献[1]作者商榷 总被引:2,自引:2,他引:0
本对献[1]提出的“求解线性规划的快速换基迭代法”从多阶段决策的观点阐述并举证了从极优基未必能快速到达最优基的论断。旨在说明用此方法求解一般线性规划问题时不一定能实现快速换基迭代的概念。 相似文献
997.
利用射频磁控溅射系统在不同N2分压的条件下,制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质,采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现:N2分压为0.4Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度,其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641,而较低或较高的N2分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小,多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜,其硬度和临界载荷达到最大值,分别为34.8GPa和100mN,说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学性能.
关键词:
ZrN/WN纳米多层膜
缺陷性质
力学性能
慢正电子湮没 相似文献
998.
999.
研究了多量子位Heisenberg模型中纠缠的时间演化特性, 并给出了平均纠缠度〈C〉和多体纠缠度Q的解析表达式. 结果发现无论是对〈C〉还是对Q随着时间t的不断增长, 它们均先线性的增大, 而后达到一近似稳定状态, 并绕一平衡值做无规则的上下震荡. 若进一步考察N〈C〉则还可以发现, 纠缠上下震荡的平衡值与Heisenberg链的长度几乎无关, 而仅由它们的次近邻耦合常数J决定. 相似文献
1000.
研究了Si3N4层在ZrN/Si3N4纳米多层膜中的晶化现象及其对多层膜微结构与力学性能的影响. 一系列不同Si3N4层厚度的ZrN/Si3N4纳米多层膜通过反应磁控溅射法制备. 利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能. 结果表明,由于受到ZrN调制层晶体结构的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的Si3N4层在其厚度小于0.9 nm时被强制晶化为NaCl结构的赝晶体,ZrN/Si3N4纳米多层膜形成共格外延生长的柱状晶,并相应地产生硬度升高的超硬效应. Si3N4随层厚的进一步增加又转变为非晶态,多层膜的共格生长结构因而受到破坏,其硬度也随之降低. 相似文献