黏性液体中激光空泡脉动特性的理论和实验研究

通过自行研制的光偏转测试系统对黏性液体中激光空泡脉动特性进行了实验，获得了激光等离子体空泡前两次脉动全过程，从而判定了空泡在脉动过程中对应的最大和最小泡半径；并将不同黏性系数下空泡脉动结果与基于空泡溃灭理论的计算结果进行了对比.结果表明：液体黏性对空泡生存周期、空泡半径，以及泡壁的运动速度等均有影响.受液体黏性影响，空泡膨胀或收缩过程明显变缓，其相应的生存周期也越长.这一研究结果不仅可促进空化研究的深入，也可为合理利用空化现象提供参考. 关键词： 激光泡 脉动特性 黏性 光纤传感器     

压-剪混合型定常扩展裂纹尖端的弹黏塑性场

假定黏性系数与塑性等效应变率的幂次成反比,考虑其黏性和裂纹面摩擦接触效应 建立了压-剪混合型定常扩展裂纹尖端弹黏塑性场的渐近方程,求得了裂纹尖端场不含应力、应变间 断的数值解. 并讨论了压-剪混合型裂纹数值解随各个参数的变化规律,计算结果 和分析表明,压-剪混合型裂纹尖端场是满塑性的,不含有弹性卸载区,黏性效应是研究扩展裂纹尖端场时的一个重要因素. 无论混合裂纹趋近I型还是趋近II型,静水压力随摩擦系数的增加都是增加的,裂纹面摩擦 效应是阻止裂纹扩展速度的因素,且摩擦作用越强,裂纹尖端场的韧性越高.     

一种新的求解变分不等式的惯性双次梯度外梯度算法（英文）

当可行集为一光滑凸函数的下水平集时,文献[Optimization,2020,69(6):1237-1253]提出了一种惯性双次梯度外梯度算法来求解Hilbert空间中的单调且Lipschitz连续的变分不等式问题.该算法在每次迭代中仅需向一个半空间计算两次投影,并得到了算法的弱收敛结果.本文通过使用黏性方法以及在惯性步采用新的步长来修正该算法.在适当的假设条件下证明了新算法所生成的序列能强收敛到变分不等式的一个解.此外,新算法在每次迭代中也仅需向半空间计算两次投影.     

复合方式对MWCNTs/TiO2纳米复合薄膜光电化学性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了不同复合方式的系列多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes.MWCNTs)/TiO2纳米复合薄膜电极.通过SEM表征了薄膜的表而形貌,并测定了MWCNTs引人前后对TiO2晶型结构和光吸收性能的影响以及不同复合方式的纳米复合薄膜的光电化学特性.结果表明,MWCNTs/TiO2纳米复合薄膜表面形成无序多孔的形貌,其光谱吸收边可拓展到可见光区;MWCNTs底层分布的纳米复合薄膜比纯TiO2表现出更好的光电活性,而MWCNTs在表层分布及均匀分布的纳米复合薄膜的光电活性相对较差.依据载流子分离原理探讨了不同复合方式对纳米复合薄膜光电性能的影响,底层分布MWCNTs的纳米复合薄膜由于MWCNTs有效地收集传递电子并阻止载流子的复合从而提高了光电化学活性.     

悬浮实验成功的奥秘及其方法

编者按:初中物理教学中的"悬浮实验"是不易实现的,现发表傅和平等三位老师的文章目的在于引起广大读者关注,并希望大家对此问题展开讨论.欢迎广大第一线教师和从事教学研究的同仁们把你们的经验(包括成功的与失败的),特别是对经验的分析写成文章寄给我们,文章写得越具体越好,我们将选择具有典型意义者发表.     

垂直转子轴式黏性泵内部流动LBM模拟

为了对垂直转子轴式黏性泵内部流动规律进行研究,采用格子Boltzmann法(LBM)对该泵模型全流场进行了数值模拟。采用具有二阶精度的弯曲固壁边界条件和基于插值公式的移动固壁边界条件,对具有圆形、矩形及方形等3种不同截面形状转轴的模型泵内部定常与非定常流动进行了计算,得到了模型泵体出口剖面处x方向速度分量平均值。结果表明,具有圆形截面形状转轴的泵送效果较另两种截面形状的转轴为佳,计算所得的出口剖面处x方向速度分量平均值与文献中实验结果吻合良好。     

广义平衡与不动点问题的黏性逼近

本文的目的是在Hilbert空间中引入和研究了一种新的迭代序列,用以寻求具逆一强单调映象的广义平衡问题的解集与无限簇非扩张映象的不动点集的公共元.在适当的条件下,用黏性逼近法证明了逼近于这一公共元的强收敛定理.应用该结论,我们证明了逼近于平衡问题和变分不等式问题的强收敛定理.所得结果改进和推广了文献的相应结果.     

Bi底层对FePt薄膜的影响

利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了以Bi为底层的FePt薄膜，经不同温度真空热处理得到L1₀-FePt薄膜.研究了Bi做底层对FePt薄膜的有序化温度及矫顽力H_c的影响.实验结果表明：以Bi做底层的FePt薄膜在350℃实现低温有序，同时其H_c也有大幅度提高，并且可以在更大成分范围内获得H_c较高的L1₀-FePt薄膜.利用X射线光电子能谱研究了薄膜中Bi原子的分布情况，利用X射线衍射研究了薄膜的晶体学结构变化.结果表明,Bi底层在退火过程中的扩散促进了FePt薄膜有序度的升高. 关键词： 0-FePt薄膜')" href="#">L1₀-FePt薄膜 有序化温度 底层 扩散     

Effects of underlayer materials and substrate temperatures on the structural and magnetic properties of Nd2Fe14B films

Thin films of Nd_2Fe_{14}B were fabricated on heated glass substrates by dc magnetron sputtering. Different material underlayers (Ta, Mo, or W) were used to examine the underlayer influence on the structural and magnetic properties of the NdFeB films. Deposited on a Ta buffer layer at 420℃, the 300 nm thick NdFeB films were shown to be isotropic. But when the substrate temperature T_s was elevated to 520℃, the Nd_2Fe_{14}B crystallites of (00l) plane were epitaxially grown on Ta (110) underlayer. In contrast, Mo (110) buffer layer could not induce any preferential orientation in NdFeB film irrespective of the substrate temperature or film thickness. The W buffer layer was found to be most effective for the nucleation of Nd_2Fe_{14}B crystallites with c-axis alignment perpendicular to the film plane when T_s<490℃. But at T_s=490℃ the magnetic layer became isotropic. The maximum coercivity obtained was about 995 kA/m for the 100nm film deposited on W underlayer at 490℃. These variations were tentatively explained in terms of the lattice misfit between the underlayer and the magnetic layer, combined with the considerations of underlayer morphologies.     

Fabrication of Pentacene Thin-Film Transistors with Patterned Polyimide Photoresist as Gate Dielectrics and Research of Their Degradation

Pentacene organic thin-film transistors using commercial photoresist as gate dielectrics were fabricated. The photoresist was spin-coated and directly patterned by photolithography. As a result, the fabrication processes were greatly reduced. With the characteristics of the transistors measured, the degradation of the transistors was investigated. In the search for the factors causing degradation, a transistor using poly(methyl methacrylate) as the gate dielectric was also fabricated. It is regarded that the degradation is caused by the changes at the interface between photoresist and pentacene film.