乙醇-水混合溶液中1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基吡唑酮-5对Nd(Ⅲ), Eu(Ⅲ),Ho(Ⅲ)的萃取及其机理

在乙醇－水混合溶液中，1－苯基－3－甲基－4－苯甲酰基吡唑酮－5与Nd(Ⅲ）,Eu(Ⅲ）,Ho(Ⅲ）等及乙醇形成了萃合物，使萃取分配比明显提高。利用斜率法研究了萃取机理。借助红外（IR）、元素分析、热分析（TG－DTA）等手段对萃合物进行了表征。     

HoYb:YVO4的上转换发光研究

研究了960nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb:YVO4的直接上转换增敏发光,发现了Ho3+离子的上转换发光现象,HoYb:YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强,而5S2→5I8相对小了一个数量级,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的. 关键词： 上转换发光 直接增敏(敏化) 钒酸钇YVO4晶体 Ho3+离子     

Gd_xY_（1－x）P_5O_（14）：Ce，Tb的发光和能量传递Ⅱ．Ce→

研究了Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ＿（０．０１），Ｔｂ＿（０．０２）体系中Ｇｄ的子晶格在Ｃｅ→Ｇｄ→Ｔｂ能量传递中的中介作用规律及ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４），ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｔｂ和Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，Ｔｂ的荧光光谱、激发光谱。结果表明，当ｘ＞０．７时，结构从单斜Ⅱ（Ｃ２／ｃ）的层状结构变为单斜Ｉ（Ｐ２＿１／ｃ）的带状结构，Ｃｅ￣（３＋）的发射光谱和Ｇｄ￣（３＋）的吸收光谱交迭增加等是Ｃｅ￣（３＋）→Ｇｄ￣（３＋）→Ｔｂ￣（３＋）能量传递几率增加的主要原因。     

NaNO3掺杂Y2O3材料的制备及电流变性质

利用NaCO3和Y（NO3）3做主要原料，合成了一系列用稀土氧化物（Y2O3）作为基础材料的新型电流变材料——NaNO3掺杂Y2O3材料。对于这些材料的介电性质、微观结构和电流变性能的研究结果表明，NaNO3的掺杂可以明显地提高Y2O3材料的电流变活性。材料在二甲基硅油中的悬浮液的剪切应力随NaNO3在Y2O3中的掺杂程度有明显变化，当Na／Y（物质的量的比）为0．6时材料的电流变性能最好，     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

改进中学物理教学适应"3+综合"考试

当代科技发展的主流是综合化、整体化,表现出各学科之间互相渗透、相互交叉的趋势.开展综合测试,有利于打破学科间的隔离状态,给学生提供完整的世界图像;     

亚皮秒光脉冲在密集色散管理光纤中的传输特性

文章从包含高阶效应的非线性薛定谔方程出发,基于一种二阶和三阶色散都作了完全补偿(零路径平均色散)的光纤级联系统模型,用数值法对亚皮秒(几百飞秒)高斯光脉冲在密集色散管理光纤(放大周期远远大于色散补偿周期,La>>Lc)中的传输特性做了研究.结果表明啁啾化亚皮秒光脉冲在短周期色散补偿光纤中可以实现稳定传输.色散管理的密集化程度越高,即色散补偿周期越短,光脉冲在光纤中传输时的呼吸度越小,前后脉冲间的相互作用也越弱,有利于提高光纤传输系统的性能.此外,由于色散管理孤子的系统功率较小,因此高阶非线性项的影响不大.     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.