Fe-V-N稀合金中空位复合体特性的研究(Ⅱ)

本文利用离散变分法,集团模型和三维数值弛豫技术,研究了Fe-V-N稀合金中V-N-空位复合体的几何构型,正电子湮没特性和电子结构。根据正电子湮没寿命实验的结果和总能量极小原理,确定了V和N在V-N-空位复合体中的最佳占据位置。分析了V-N-空位复合体的成键特性和电荷转移情况。 关键词：     

高维电报方程的对称周期解

讨论n维电报方程的对称周期解．利用Schauder不动点定理，在非共振条件下给出了一个存在性定理．     

系综分布和它的小涨落近似

由“从正则分布出发，在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同，但分别由二求得的高次矩并不完全相同。     

基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

对数似然比与整值随机变量序列的一类强律

本文引进对数似然比作为整值随机变量序列相对于服从几何分布的独立随机变量序列的偏差的一种度量,并通过限制对数似然比给出了样本空间的一个子集.在此子集上得到了一类用不等式表示的强律,其中包含整值随机变量序列与相对熵密度及几何分布的熵函数有关的若干极限性质.     

非磁杂质对高Tc超导电性的影响

本文证明了在氧化物高T_c超导体的Anderson晶格模型中,由于序参量是能量的函数,非磁掺杂也具有拆对效应,在稀掺杂情况下,求出了T_c随杂质浓度增加而线性下降的规律,与实验结果相符,文中还计算了掺杂对超导态密度中能隙的影响,结果表明,当非磁掺杂浓度增加时,零温能隙的减小比T_c的下降慢得多,从而在转变为正常态之前可能不出现类似通常BCS超导体磁性掺杂的无能隙区。 关键词：     

高温超导体Jc（J,B,θ）特性及其维度效应

高温超导体的临界电流密度（Ｊｃ）的温度，磁场和取向关系特性Ｊｃ（Ｔ，Ｂ，θ）及其维度效应，是高温超导电性的中心课题。近几年取得了一系列重要结果。本文对此加以评述。     

关于“信息熵”分析及其应用的研究

本文用Ｓｈａｎｎｏｎ熵函数的观点及最大离散熵原理，探讨了对随机试验项目的优选问题：即压缩某种“不确定性”试验项目的实施与探索．并通过应用实例的计算，获得了满意的聚类效果．这种方法对于信息资料的数据处理及压缩“不确定性“验项目具有普遍意义．     

中子辐照对Pd80Si20与Pd77.5Cu6Si16.5非晶态合金结构的影响

本工作用X射线衍射技术示差扫描量热法(DSC)和内耗测量等手段研究金属-类金属非晶态合金Pd₈₀Si₂₀和Pd_77.5Cu₆Si_16.5中子辐照前后的微观结构变化。结果表明,辐照在两种样品的对关联函数g(r)以及径向分布函数RDF(r)上都引起明显的变化;辐照后样品的晶化温度和晶化热有所提高,结构变得更加无序,Pd₈₀Si₂₀非晶态合金的内耗在T关键词：