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41.
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聚变等离子体中的快离子压强 总被引:2,自引:2,他引:0
本文运用Fokker-Planck方程的慢化近似,考虑存在多种离子成份(包括杂质),假定它们具有共同的温度,我们得到了聚变产生的快离子压强的简单封闭形式表示式。表明在典型的工作温度下(~60keV),D-~3He等离子体中聚变产生的快离子压强约为本底热压强的20%,这与D-T等离子体工作在20keV时的比值几乎相同。因此,D-~3He和D-T在它们相应的预期工作温度下,它们各自的快离子压强对总压强的影响是类似的,然而在更高的温度下,这个比值将变得更大。 相似文献
43.
《核工业西南物理研究院年报》2006,(1):90-91
本文简要地介绍了同创材料表面新技术工程中心低温等离子体相关技术在材料表面处理的应用与发展以等离子体产生、离子源技术为基石,大力发展复合离子注入、复合离子沉积及镀膜设备和相关工艺。以离子源、多弧、磁控溅射等核心技术,多元化发展等离子体表面处理设备、产品和工艺。以国家自然科学基金等科研项目为依托,大力推进科研成果向工业和民用产品转化紧跟等高子体技术的国际发展,积极开拓国际市场,推进离子源、等离子体源等技术的标准化和国际化。 相似文献
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在本文中,我们讨论了非线性常微分方程y"=a0|x|αy3 a1|x|βy2 α2|x|γy α3|x|δ振荡解的渐近表示.在这个方程中将α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成0,0,6,0,0,0,sgn(x),1就是著名的第一类Painleve方程,而将α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成2,0,0,0,sgn(x),1,α0,就是著名的第二类Painleve方程.当α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成-β/3γ,0,0,0,1/γ,1,α,0时,可用于组合KdV方程孤立子解的化简. 相似文献
49.
LIUXiang XUZengyu S.Tamura N.Yoshida 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2002,(1):66-69
Since tungsten was chose as the divertor tiles of 1TER, the investigation of tungsten and its coating as plasma facing material (PFM) have been paid more attentions by fusion scientists all over the world. Recent years, tungsten coatings have been successfully 相似文献
50.
利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析. 相似文献