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231.
推导了直线感应加速器加速间隙内的横向电磁场解的形式,并作了分析,应用矩阵方法推导了和发射度的关系,得到了和文献[1]中相同的结果。 相似文献
232.
233.
轴流压气机转子内流数值模拟及叶顶间隙泄漏分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文数值求解N—S方程和Euler方程对比分析单转子轴流压气机内部流场、计算较好地预测了压气机的平均流场及叶尖泄漏涡的生成演化过程。为分析泄漏流动的成因,本文采用简化模型计算泄漏速度。计算与实验结果的时比表明,泄漏流动是无私流动,粘性主要表现为对涡的衰减;泄漏流动由叶片两侧的转了静压控制,粘性在叶片两侧作用持平;给定叶片两侧的转子静压即可由Bernoulli方程求出泄漏速度。 相似文献
234.
非自治无穷维动力系统的惯性流形 总被引:1,自引:1,他引:0
本文讨论非自治无穷维动力系统的解的长时间行为·在谱间隙条件成立的情况下,对一类非自治发展方程证明了惯性流形的存在性· 相似文献
235.
Mg^ and Mg^ P^ were introduced into GaN by ion implantation.The structure and crystalline quality of the GaN samples were analysed by Rutherford backscattering and channelling spectormetry before(χmin=1.6%)and after implantation(χmin=4.1%),X-ray diffraction reveals the existence of implantation-induced damage in the case of post-implantation followed by rapid thermal annealing.The resistivtiy,average factor,carrier concentration and carrier mobility were measured by the Hall effect.The transformation from n-type to p-type for GaN was observed. 相似文献
236.
238.
短间隙真空电弧的动态图像 总被引:3,自引:0,他引:3
用动态图像高速微机数据采集系统对短间隙中的真空电弧的形态及其动态演变过程进行了光测研究,初步发现在短间隙条件下,平板触头间隙中真空电弧形成阳极斑点的临界电流小于长间隙中的临界电流;从电汉断性能来讲,纵磁触头的优越性在短间隙条件下体现得尤为明显。 相似文献
239.
运用边光滑有限元法,研究分析了加筋板结构的静力和自由振动问题。在边光滑有限元法中,将基于边的应变光滑技术用于对原来的应变场进行光滑操作;由于应变光滑技术能够适当地软化原来过刚的有限元模型,从而能够得到更加接近于系统准确刚度的光滑有限元模型;鉴于三角形单元良好的适用性,选用三角形单元对模型进行网格划分;同时,为了解决低阶Reissner-Mindlin板单元弯曲过程中的横向剪切自锁问题,采用了一种新型的离散剪切间隙技术。算例的数值计算结果表明,与传统的有限元法相比,边光滑有限元法能够得到精度更高的计算结果,且收敛更快,计算效率更佳。 相似文献
240.