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采用溶胶凝胶燃烧法合成了Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+,Na+纳米红色长余辉发光材料,利用XRD、SEM、荧光分光光度计、热释光谱仪和照度计研究了烧结温度对样品物相、形貌以及发光性能的影响.结果表明:煅烧温度为600℃时生成了CaTiO3相,当烧结温度大于700℃时,出现了Zn2TiO4相;随煅烧温度的升高,样品的晶粒逐渐变大,平均晶粒尺寸均小于100nm;不同温度下样品的激发峰位于328nm,发射峰位于613 nm,归属于P,+的1D2-3 H4跃迁;当烧结温度为800℃时,样品的初始亮度和余辉时间最佳,其分别为2000 mcd/m2和10 min(≥1mcd/m2). 相似文献
152.
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要.本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析.研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃~±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显.对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20;时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳. 相似文献
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154.
155.
156.
粗糙表面分维计算的立方体覆盖法 总被引:16,自引:0,他引:16
针对三角形棱柱表面积法和投影覆盖法在计算粗糙表面分形维数中存在的问题,提出了计算粗糙表面分维的立方体覆盖法,对计算结果进行了对比分析,并进一步对表面分维计算中的有关理论问题进行了分析,发现立方体覆盖法作为一种几何意义上的覆盖法,并计算结果比三角形棱柱表面积法和投影覆盖法更接近实际。 相似文献
157.
158.
159.
针对当今人口普查净覆盖误差估计领域所使用的双系统估计量内含交互作用偏差和尚未投入使用的三系统估计量未有效使用人口行政记录的问题,以四系统估计量为研究目标.为实现目标,采取文献解读法、抽样估计法和现场调查法,研究4次捕获模型、全面登记的四系统估计量和抽样登记的四系统估计量.研究表明:四系统估计量须在等概率人口层建立及使用,否则产生异质性偏差;构造四系统估计量应该分两步进行,首先构造全面登记的四系统估计量,然后使用双重扩张估计量构造全面登记的四系统估计量的子总体指标的估计量,以得到抽样登记的四系统估计量;分层刀切抽样方差估计量适合于近似计算抽样登记的四系统估计量及净覆盖误差的抽样方差.研究价值在于,四系统估计量有望应用于政府统计部门未来的净覆盖误差估计. 相似文献
160.