DApHPVM-Ce(Ⅳ)-Mn(Ⅱ)-NTA-β-CD体系光度法测铈

在磷酸介质中 ,在Mn(Ⅱ )和氨三乙酸存在下 ,β 环糊精 (β CD)对Ce(Ⅳ )氧化二安替比林基 对羟基苯乙烯基甲烷 (DApHPVM )的显色反应具有明显的增稳和增敏作用 ,建立了测定铈的光度法体系 ,产物至少可稳定 4h ,最大吸收波长为λmax=5 40nm ,ε =2 .2 9× 10 6 L·mol- 1·cm- 1,Ce(Ⅳ )量在 0 .2 1.5 μg/ 2 5ml范围内具有线性关系 ,用于镁合金中微量铈的测定 ,结果满意     

Mg-10Gd-2Y-0.6Zr合金热压缩变形与其微观组织

采用热压缩模拟试验,对Mg-10Gd-2Y-0.6Zr镁合金在350～450℃,变形程度为40%,变形速率在0.001～0.5s-1条件下的热压缩变形规律进行了研究,对变形后的微观组织进行了金相分析,对显微组织中的第二相进行了扫描能谱成分分析,对变形后试样的硬度进行了测试,根据热加工动态回复再结晶的特点和稀土合金相的作用,分析了该合金的微观组织结构和变形行为.结果表明:热压缩变形温度和速率对合金硬度值总的影响不大,但在相同温度下,有速率越大硬度越大的趋势;该合金在350℃,400℃时变形速率为0.1 s-1时晶粒异常粗大,在400℃变形速率大于0.5 s-1或变形温度450℃,变形速率为O.1 s -1下进行热压缩,该合金可以得到组织结构均匀和热塑性成型良好的匹配.     

电磁场作用下溶质元素在镁合金AZ61的分布

通过研究不同外场作用下镁合金AZ61的凝固组织，发现在静磁场单独作用时的晶界主要由镁基体和连续的网状化合物组成，在静磁场与交流电组合外场下的晶界主要由镁基体和网状及点状Mg-Al-Zn化合物组成，而在静磁场与直流电组合外场下晶界上的连续网状化合物彻底消失，化合物以不连续的薄片形态分布于镁基体上.相对于单一静磁场作用时，静磁场与电流共同作用时提高了镁合金晶内溶质含量，降低了晶界上的溶质含量. 关键词： 镁合金 静磁场 电流 晶内溶质含量     

铸镁合金ZM_5-T_4本构特性的宏观与微观研究

本文运用宏观和微观研究相结合的方法,对国产航空铸镁合金ZM5-T4在应变率为10~(-6)-10~3/s范围作了轴向准静态和冲击压缩试验研究。结果表明:在室温下该材料的应变率敏感性与铸态组织缺陷所引起的试验数据分散性相比是可忽略的。同时还观察到随塑性变形所发展的微裂纹有随应变率增高而增多的倾向。这种与微裂纹演化发展相关的“应变率弱化”效应有可能是抵消位错运动的应变率强化效应而导致综合应变率敏感性降低的主要原因。     

ICP-AES测定镁合金中的痕量Zr、Fe、Ni

用ICP－AES同时测定了镁合金中痕量Zr,Fe,Ni等杂质元素，不采用基体匹配法，研究了基体元素和共存元素对分析元素的光谱干扰，并进行了加入回收试验，精密度试验和方法检出限的测定。方法准确可靠，简便快速。     

电感耦合等离子体发射光谱法测定镁合金中铝锌锰硅铁铜镍铍锆

考察了镁合金光谱标准样品中多元素连续测定的电感耦合等离子体发射光谱方法，通过分析的优化遴选，建立了精确度良好的高至常量组分、低至痕量组分的检测步骤和仪器的不同工作模式，可满足镁和镁合金系列光谱标准样品的分析需要。     

Zn含量对Mg-Zn合金在模拟体液中腐蚀行为的影响

采用析氢实验、扫描电子显微镜和X射线衍射等研究经过固溶处理的纯Mg和镁锌合金模拟体液中的腐蚀行为。结果表明:几种镁锌合金的腐蚀速率远低于纯镁,镁锌合金的腐蚀速率随着Zn含量降低而降低。固溶处理降低了晶界数量和位错密度,减少了晶间腐蚀和点蚀的发生,随着第二相含量增加造成相界面增加,暴露在表面的相界面成为电偶腐蚀发生的位置,因此本研究中镁锌合金的腐蚀以电偶腐蚀以主。显微组织观察发现纯镁的表面腐蚀产物比较疏松,而Zn的加入使镁锌合金在模拟体液中的腐蚀产物变得平整致密,但随着Zn含量的提高,第二相的体积分数上升,腐蚀产物的裂纹增大,造成腐蚀速度上升。     

CH3OH—H2O体系化学镀铜Mgl．85Mm0．15Ni合金的抗腐蚀性能研究

采用稳态极化曲线法和交流阻抗法研究了在甲醇-水不同含量镀液中化学镀铜的Mg1.85Mm0.15Ni(Mm富铈混合稀土)储氢合金于强碱性溶液中的抗腐蚀性能.结果表明,对甲醇-水体系化学镀铜,合金的抗腐蚀性可进一步改善.其中以甲醇体积比含量为40%的镀液施镀的抗腐蚀效果最佳.稳态极化曲线测试给出,此时合金的腐蚀电流密度只有5.6 mA@cm-2,相应的电化学反应阻抗为22.25 Ω@cn2,而原粉的两者之值分别为11.7 mA@cm-2和1.99 Ω@cm2.