核类似铜酸盐超导模型的su_s(1,1)su_d(1,1)代数结构

由Iachello提出的核类似铜酸盐超导模型具有su(3)代数结构,其平均场近似下的Hamilton量可以写成su(3)生成元的线性组合.通过代数生成元的实现,该模型约化的Hamilton量具有Su_s(1,1)SU_d(1,1)代数结构,利用相干算子U(θ,φ)的幺正变换,可得到系统约化Hamilton量的能隙方程及本征值,发现应用不同代数结构求解会得到不同侧重点的分析结果.     

N-邻羟基苯基马来酰胺酸-改性活性炭对Cu(Ⅲ)的吸附性能

研究了新型吸附剂N-邻羟基苯基马来酰胺酸-活性炭(AC-HPMA)对样品中Cu(Ⅱ)的固相萃取并用电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定。优化了pH值、吸附剂(AC-HPMA)的用量、流速等条件以达到定量吸附(≥95%),同时考察了共存离子的影响和洗脱剂的洗脱条件。本法测定Cu(Ⅱ)的检出限为0.27μg.L-1,将其应用于茯苓、黄河水、青海湖水中的Cu(Ⅱ)含量的测定,加标回收率在96.3%—99.0%之间;用于测定标准物质中铜离子的含量,结果与标准物参照值一致。     

微波消解-电感耦合等离子体-质谱法测定黑木耳中铅、镉、砷、铜、锌和铬

建立了微波消解法前处理,电感耦合等离子体-质谱法(ICP-MS)快速测定黑木耳中Zn、Cu、Pb、Cd、Cr、As等重金属元素的方法.该法采用内标法校正监测和校正信号的短期和长期漂移,提高仪器的稳定性,改善测定的精密度,校正一般样品的基体影响,建立了测定208pb、114Cd、75As的干扰方程以消除同质异位素重叠和多原子粒子的干扰.该方法能准确测定大米粉标准物质(GBW 10010)和茶叶标准物质(GBW 10016)中Pb、Cd、Cr、Zn、Cu、As的含量,黑木耳样品的加标回收率为94.0％-107.3％,RSD为2.5％-5.2％.     

巯基琥珀酸修饰的CdTe量子点荧光猝灭法测定果蔬中的微量铜

以巯基琥珀酸(MSA)为稳定剂,在水溶液中制备稳定的CdTe量子点.基于Cu2+在磷酸盐缓冲液中对该量子点的荧光具有较强的猝灭作用,建立一种简便灵敏的测定铜的新方法.考察了量子点的浓度,缓冲液pH、和反应时间等对Cu2+测定的影响.结果表明,CdTe量子点浓度为0.0306mmol/L,在0.2mmol/L的磷酸盐缓冲液(pH7.4)中,反应时间为5min,体系的相对荧光强度与Cu2+浓度呈良好的线性关系,其线性范围为1.28-38.4μg/L,检出限为0.023μg/L(3σ).方法操作简便,快速,可用于果蔬中Cu2+含量的测定.     

点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响

系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p⁺外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气氛下进行1250℃/60 s快速热处理,随后在750℃/8 h+1050℃/16 h常规热处理过程中引入铜沾污.通过腐蚀结合光学显微镜研究发现,以O₂作为保护气氛时,p⁺衬底中的沉淀密度较小,以Ar和N₂作为保护气氛时,重掺硼p⁺衬底中生成了高密度的沉淀,且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成.研究认为,以O₂作为保护气时引入的自间隙硅原子（Si_I）可以抑制沉淀的形成,而以Ar和N₂作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成,这是导致此差异的主要原因.另外,研究还发现,p/p⁺外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质,从而保持了外延层的洁净.     

铜铟镓硒太阳能电池多层膜的结构分析

对于溅射后硒化和共蒸发等方法制备的铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池薄膜,利用多种分析方法研究了CIGS多层膜的复杂结构等．研究表明：卢瑟福背散射（RBS）在分析CIGS多层膜方面具有其独特优势和可靠的结果;溅射后硒化方法制备的CIGS薄膜中,Ga和In在CIGS薄膜中呈梯度分布,这种Ga表层少而内层多的不均匀分布与Mo层没有必然关系;RBS和俄歇电子能谱分析（AES）均显示CIGS太阳能电池器件多层膜界面处存在扩散,尤其是CdS与CIGS,Mo与CIGS的界面处;X射线荧光（XRF）结果表明,电池效率最高的CIGS层中In,Ga比例为In：Ga=0．7：0.3;X射线衍射（XRD）结果显示：退火后的CIGS／Mo薄膜结晶品质得到了优化．     

ICP-MS测定血中镁、铜、铅浓度时的基体效应单一内标校正方法研究

ICP-MS测定模拟全血基体中不同质量段的Mg, Cu, Pb元素,考察基体效应对测定值的影响,分别采用传统内标法和单一内标CAIS方法(common analyte internal standardization)对其进行校正和比较。结果表明CAIS方法适用于不同浓度血液基体中多种元素的同时校正,且效果良好,其相对平均误差仅为3.05%,明显低于传统内标法的12.39%和校正前的23.91%;CAIS方法不受内标元素和被测元素质量数差异、测定强度差异以及电极电位差异的限制;使用全血和血清标准物质对CAIS方法可靠性进行验证,测定值全部落在标准值范围内。     

Upper Critical Fields and Anisotropy of BaFe1.9Ni0.1As2 Single Crystals

Temperature dependence of the upper critical magnetic field （Hc2） near Tc of 20 K in a BaFe1.9 Ni0.1 As2 single crystal is determined via magneto-resistance measurements, for the out-plane （H ⊥ab） and in-plane （H ｜｜ ab） directions in magnetic fields of up to 8 T. The upper critical fields at zero temperature estimated by the Werthamer-Helfand- Hohenberg （WHH） formula are μ0H^｜｜ c2（0） = 137 T and μ0H⊥c2（0） = 51 T, both exceeding the weak-coupling Pauli paramagnetic limit （μ0Hp = 1.84Tc）. However, the WHH formula could overestimate the μ0H^｜｜12（0） value. The anisotropy of upper critical fields is around 3 in the temperature range close to Tc. The result is very similar to the Co-doped 122 superconductor BaFe2-x Cox As2, indicating that electron-doped 122 superconductors exhibit similar superconducting properties.     

N,N-二[(二苯基膦)甲基]-2-吡啶胺溴化铜(Ⅰ)配合物的合成和光谱

合成了一种新配体N,N-二[(二苯基膦)甲基]-2-吡啶胺(L)及其双核铜(Ⅰ)配合物(CuBrL)2(1),采用1HNMR、吸收光谱、质谱和元素分析等方法对化合物进行表征,并通过X射线单晶衍射确定配合物1的晶体结构。该晶体结构属三斜晶系,P-1空间点群。配合物1是中心对称的双核Cu(Ⅰ)配合物,中心离子Cu(Ⅰ)采取扭曲四面体空间构型,分别与配体L的两个P原子和两个桥联的Br原子配位;其中Cu-Cu距离为0.3060nm,大于两个铜原子的范德华半径之和,因此不存在Cu-Cu相互作用。密度泛函理论(DFT)计算表明1的HOMO电子密度主要集中于铜和卤素原子,而LUMO电子密度分布在配体(L)上。研究工作表明,配合物1的最低能级激发态通过金属到配体电荷跃迁(MLCT)和卤素到配体的电荷跃迁(XLCT)两种机制形成。     

金膜组分的ICP-AES法分析

研究了在室温下用王水溶解金膜,ＩＣＰ－ＡＥＳ法测定金膜组分银,铜,铁,铅,锑,铋等的方法,该方法简便,实测样品获得了满意结果。