首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1129篇
  免费   90篇
  国内免费   264篇
化学   977篇
晶体学   9篇
力学   32篇
综合类   67篇
数学   19篇
物理学   379篇
  2024年   5篇
  2023年   22篇
  2022年   15篇
  2021年   22篇
  2020年   17篇
  2019年   23篇
  2018年   17篇
  2017年   19篇
  2016年   27篇
  2015年   35篇
  2014年   59篇
  2013年   58篇
  2012年   84篇
  2011年   68篇
  2010年   72篇
  2009年   76篇
  2008年   85篇
  2007年   83篇
  2006年   89篇
  2005年   63篇
  2004年   59篇
  2003年   81篇
  2002年   45篇
  2001年   53篇
  2000年   42篇
  1999年   23篇
  1998年   34篇
  1997年   24篇
  1996年   28篇
  1995年   26篇
  1994年   26篇
  1993年   29篇
  1992年   14篇
  1991年   5篇
  1990年   17篇
  1989年   22篇
  1988年   6篇
  1987年   1篇
  1985年   3篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1980年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有1483条查询结果,搜索用时 31 毫秒
191.
邻菲罗啉—曙红体系共沉淀纸上分光光度法测铁   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用邻菲罗啉试剂作为络合剂,与铁(Ⅱ)形成络阳离子后,用曙红阴离子缔合沉淀之,再加入酚酞共沉淀剂使其缔合沉淀完全。将络离子缔合物吸滤在滤纸上,后者直接置于721型分光光度计中,用吸光度差值法定量,操作简单快速,选择性好,灵敏度高;以取样体积10mL,最小检出浓度为1.5×10^-9/g/mL。  相似文献   
192.
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下建立了浓度不同的由Ga原子取代Zn原子的Zn1-xGaxO模型.对低温高掺杂Ga原子的Zn1-xGaxO半导体的能带结构、态密度和吸收光谱进行了计算.结果表明:Ga原子浓度越大,进入导带的相对电子数越多,但是电子迁移率反而减小.通过对掺杂和未掺杂ZnO的电导率以及最小间隙带宽度分别进行了比较 关键词: ZnO高掺杂Ga 电导率 红移 第一性原理  相似文献   
193.
The influence of the δ and Ф mesons on the surface gravitational redshift of a proto neutron star is investigated within the framework of relativistic mean field theory for the baryon octet: {n, p, A, ∑-, ∑0 ,∑+, , 0} system. It is found that, compared with those without considering the contribution of σ and Ф mesons, the surface gravitational redshift decreases, corresponding to the maximum value of the mass decreasing from 0.2220 to 0.1937, about 12.7%. It is also found that the appearance of σ and Ф mesons makes the surface gravitational redshift as a function of M/R decrease too, with M and R being the mass and radius of the proto neutron star.  相似文献   
194.
A spring model is used to simulate the skeleton structure of the red blood cell (RBC) membrane and to study the red blood cell (RBC) rheology in Poiseuille flow with an immersed boundary method. The lateral migration properties of many cells in Poiseuille flow have been investigated. The authors also combine the above methodology with a distributed Lagrange multiplier/fictitious domain method to simulate the interaction of cells and neutrally buoyant particles in a microchannel for studying the margination of particles.  相似文献   
195.
采用GC-FTIR和GC-MS建立环状硫代碳酸酯和环状碳酸酯的分析方法.选用HP-5毛细管色谱柱(30m×320μm×0.25μm),分流比50∶1,进样量1μL,进样口起始温度120C,保持5min,升温速率15℃/min,进样口终止温度270℃.质谱采用EI源,选取Scan模式,扫描范围为50到550m/Z.结果表明GC-FTIR可鉴定出3种环状硫代碳酸酯,而GC-MS可同时鉴定出4种环状硫代碳酸酯.  相似文献   
196.
依据褪色分光光度法对BrO3--甲基红-NaCl体系进行了研究,实验表明,在518nm为最大吸收波长下,测定了该反应的动力学参数,确定了反应速率方程式,得知该反应的总反应级数为2.5级,表观活化能为55.82k J/mol,活化能为66.87kJ/mol,实验还测定了其他离子对该反应的催化作用,达到了预期的结果.  相似文献   
197.
以典型发光材料——联苯乙烯衍生物(4,4’-bis(2,2’-diphenylvinyl)-1,1’-biphenyl,DPVBi)和红荧烯(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene,Rubrene)分别为蓝色、橙色发射体,通过在DPVBi中插入一层超薄Ru-brene制备了结构简单的非掺杂型白色有机电致发光器件,得到了低压启动、效率和色度俱佳的白色发光器件。器件启亮电压为3.1 V,最高电流效率为6.7 cd/A(流明效率5.5 lm/W或外量子效率2.8%),器件色坐标达到理想的白平衡点(0.33,0.33)。理想白光的获得归因于通过调整NPB/DPVBi界面到Rubrene的距离,实现了从DPVBi到Rubrene能量传递的最佳比例。  相似文献   
198.
本文测量了全反式β胡萝卜素在二甲基亚砜中81–25 ℃ 范围的紫外–可见吸收和拉曼光谱. 结果表明, 随温度降低, 紫外–可见吸收光谱、拉曼光谱都发生红移, 拉曼光谱线型变窄, 散射截面增加这些现象的发生是由于随温度降低, β胡萝卜素分子的热无序降低、分子结构有序性增加、π电子离域扩展, 有效共轭长度增加, 分子的电子能隙变窄. 另外, 随着温度的降低, 溶剂密度增加, 由Lorentz-Lorenz 关系得知相伴的折射率增加, 从而引起吸收光谱的红移. CC键键长增加, 使CC 键拉曼光谱红移; 振动弛豫时间变长, 各CC 键之间的键长差减小, 线宽变窄; 但由于声子, π电子耦合加强使CC键拉曼线型不对称程度增加, 低频端"肩"扩展, CC键的弱阻尼相干振动增加, 使拉曼散射截面增加. 关键词: β胡萝卜素 分子结构有序 红移 拉曼散射截面  相似文献   
199.
采用羟基铁离子柱撑Na-Mont制备出1.0Fe-PILC,通过超声浸渍法合成不同铜负载量的nCu-Fe-PILC,并测试了其在富氧条件下催化C_3H_6选择性催化还原NO的性能。通过N_2吸附脱附、XRD、UV-Vis、H_2-TPR、Py-FTIR等技术手段表征催化剂的微观结构和物化性质,进一步解释其催化反应机理。结果表明,Cu的引入提高了1.0Fe-PILC的中低温活性和抗水硫能力。其中9Cu-Fe-PILC在300℃时NO转化率可达69.8%以上,400℃后NO转化率保持在99%以上且水硫影响较小。XRD、N_2吸附脱附结果表明,催化剂的SCR活性与所负载的活性组分和催化剂的吸附能力有关。UV-Vis结果表明,9Cu-Fe-PILC具有较强的中低温活性,与其含有较多的游离态Cu~(2+)有关。H_2-TPR结果表明,与1.0Fe-PILC相比,经Cu修饰的nCu-Fe-PILC获得了中低温还原能力。Py-FTIR结果表明,nCu-Fe-PILC表面同时含有Lewis酸和Br?nsted酸,Lewis酸是影响催化剂SCR活性的主要因素。  相似文献   
200.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号