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111.
20 0 2年 8月 12日的Phys .Rev .Lett.第 89卷第 0 75 5 0 2页上发表了Petkov等的论文“渗入Cs的ITQ - 4沸石 (Zeolite)的结构 :在膺一维空隙中的金属离子列和相关的电子” ,文中发展了X射线原子对分布函数 (PDF)方法 .这种结构可以发展成为应用广泛的新的电极材料 .沸石ITQ - 4是一种由SiO4四面体为骨架的网格状硅酸盐 ,其中的空隙尺寸略小于1nm ,允许尺寸小于它的分子通过 ,因此它也是一种分子筛 .沸石原来是晶态 ,渗入Cs后则处于晶态和非晶态之间的中间状态 ,其中的晶态部分产生X射线布拉格… 相似文献
112.
柱形分布的电荷产生的电势 总被引:4,自引:0,他引:4
将无限长线电荷看成二维平面上的一个“源”,利用电势叠加原理计算了无限长柱形均匀分布的电荷产生的电势.这些柱体的截面电荷分布包括可解析表示和不可求解表示两种,后者可以通过数值计算给出结果.因此这种方法实际上可以计算任意截面柱形电荷分布的电势.通过计算,展示了各种电荷分布所产生电场的特性和共同特征. 相似文献
113.
当改变能量、位置或场强等参数时,电磁场中里德堡态的原子、分子和离子等体系将出现分岔现象,从而导致波函数在分岔点附近发散,半经典闭合轨道理论不再适用.本文分析并计算了平行电磁场中的H-光剥离电子轨道的分岔现象,并采用统一近似的方法进行定域修正,从而消除了分岔点的奇异性,得到了合理的光剥离电子流的分布. 相似文献
114.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
115.
116.
本文研究了未知分布的逼近问题,利用随机加权法,给出了有Edgeworth展式的一类(未知)分布的模拟分布,证明了在一定条件下,模拟分布与未知分布的逼近精度达到O(n^-1√lnlnn),称之为随机加权逼近的重对数律。 相似文献
117.
118.
本文探讨了以往计算工程按期完成概率的不妥之处,其困难所在是工期分布难以给出。本文给出了解决这一问题的一个合理、简便的方法。 相似文献
119.
120.