变系数波动方程的边界镇定

应用Riemann几何方法和乘子方法,得到一定条件下变系数波动方程在线性边界反馈下能量的指数衰减性.     

热传导方程的移动边界问题

热传导问题于高温条件下,往往是可移动边界问题.文献[1]尽述了金属丝烧蚀等物理过程所确定的移动边界问题的一种求解方法.本文讨论较一般的热传导方程可移动边界问题Fourier型存在的充分必要条件,且给出问题Fourier型解.     

非各态历经噪声的产生及其应用

用n阶时间导数噪声作为内部热噪声驱动自由粒子运动时,若该噪声所对应的非各态历经强度b?=0,且系统初始处于热平衡,则此时系统的长时稳态速度可以作为非各态历经噪声使用.非各态历经噪声具有谱密度在零频处发散的特点,一维半无界耦合简谐振子链对与之相连的气体分子的作用具有非各态历经噪声的特点,是非各态历经噪声的实例.最后将非各态历经噪声作为外噪声驱动倾斜周期势中的粒子运动,系统出现扩散指数α2的超弹道扩散现象.同时发现系统的速度分布将呈现出迁移态和锁定态两种不同状态,并且处于迁移态的粒子的速度分布为双峰.迁移态中双峰的出现是一种比较新奇的现象.     

约束层对激光驱动冲击波压力影响机理的理论研究

针对刚性约束层、柔性约束层以及液体约束层，从激光诱导冲击波阵面状态、汽化物(包括气体和等离子体)扩散以及冲击波的反射进行分析，发现对于脉宽小于冲击波通过汽化物层的时间间隔的短脉冲激光，约束层并不能直接提高冲击波的冲量，而对于脉宽大于冲击波通过汽化层时间间隔的激光，其增强冲击效果是通过约束汽化物的扩散，提高压力幅值和由于冲击波在约束层与工件表面的多次反射而延长对工件的作用时间来实现的.刚性约束层能最大地增加冲击冲量，而柔性约束层和液体约束层的主要优点是其形状可与非平面形工件表面符合. 关键词： 激光 约束层 扩散 反射波     

6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究

采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH₄流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化. 扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化. X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15％—0.62％,在其他参数不变的情况下,样品的G 关键词： 碳化硅 化学气相沉积 反相边界 岛状生长     

铸铁材料在边界润滑条件下形成薄片状磨屑的塑性流动机制

本文在铸铁材料油润滑线接触滑动磨损状态研究的基础上,对边界润滑区典型的薄片状磨屑之形成过程进行了考察。通过对磨损表面的几何形貌、磨屑的形态和内部显微组织变化的分析,提出了薄片状磨屑的塑性流动形成机制。作者认为,薄片状磨屑的形成是磨损表面材料在局部应力和摩擦热的作用下以3种方式发生塑性流动的结果:当摩擦方向垂直于磨削加工条纹时为单侧塑性流动;当摩擦方向平行于磨削加工条纹时为双侧塑性流动;而在峰顶平台(磨削加工粗糙条纹磨合后形成的微平台)较大且载荷较高时,则为平台上的材料沿着摩擦方向向前挤压流动。     

具有群体效应和时滞的交叉扩散捕食-食饵系统的Hopf分支（英文）

本文研究具有群体效应和时滞的交叉扩散捕食-食饵模型的Hopf分支.将死亡率β和时滞τ作为分支因子,通过分析特征方程,讨论系统正平衡点E_3(u~*,v~*)的稳定性和Hopf分支的存在性.我们得到当参数值穿过临界值时,该系统会在正平衡点E_3附近产生Hopf分支.最后,我们进行数值模拟,验证了结论的正确性.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

声流现象的研究及其应用

本文从声流产生的机理出发，综合了影响声流的诸因素，介绍了声流现象的检测方法及声流效应的应用。     

两性树脂解吸动力学的研究──温度对扩散系数的影响

本文采用浅床法对阳离子在弱酸强碱两性树脂相内的扩散速度进行了研究。发现温度升高 ,其粒内扩散系数增大 ,离子价态越高 ,扩散过程的活化能就越大 ,表明温度的改变对高价阳离子的扩散速度的影响更显著