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991.
992.
关于多点边值问题的正解的存在性,目前存在大量的研究文献.方法包括不动点理论、上下解方法等(见文献[4-6]).由于微分方程多点边值问题在理论和实践上的重要性,其数值算法也长期吸引着众多数学家、物理学家和工程师们的注意. 相似文献
993.
利用锥上的不动点定理,考察了一类非线性特征值问题u″(t)+λf(t,u(t))=0,0≤t≤1,u(0)=0,αu(η)=u(1)的多个正解的存在性,给出了四个正解存在的充分条件,这里0<η<1,α>0. 相似文献
994.
二阶三点边值问题解的存在性与唯一性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用单调迭代方法,研究了反序上、下解条件下的二阶微分方程三点边值问题解的存在性与唯一性,分别得到解存在与唯一的充分条件,在满足解的唯一性的条件下,给出了求解的迭代序列及误差估计式. 相似文献
995.
利用不动点指数定理,建立了时间测度上一类非线性二阶三点边值问题至少两正解的充分条件,并给出了具体实例以说明其应用. 相似文献
996.
韦忠礼 《数学物理学报(A辑)》2008,28(1):174-182
该文主要研究二阶次线性奇异三点边值问题的正解的存在性,利用上下解方法和比较定理给出了C[0,1] 和 C1[0,1]$ 正解存在的充分必要条件,其中的非线性项 f(t,x) 可以在 x=0, t=0 和 t=1 处奇异. 相似文献
997.
在Banach空间中利用上下解方法与不连续增算子不动点定理,研究了含间断项和右端函数具有一阶导数项的二阶非线性常微分方程周期边值问题的最大解、最小解的存在性,推广和改进了现有的结果.而且对于有限维空间,我们获得的这些结果也都是新的. 相似文献
998.
半导体器件的瞬时状态由包含三个拟线性偏微分方程所组成的方程组的初边值问题来描述.其中电子位势方程足椭圆型的,电子和空穴浓度方程是对流扩散型的.对电子位势方程采用一次元有限体积法米逼近,对电子浓度和空穴浓度方程采用修正的迎风有限体积方法来逼近,并进行详细的理论分析,关于位势得到O(h Δt)阶的H1模误差估计结果,关于浓度得到O(h2 Δt)阶的L2模误差估计结果.最后,给出数值例子. 相似文献
999.
研究三阶奇异边值问题-x=f(t,x,x,′x)″,t∈(0,1),x(0)=x(′0)=x(′1)=0,其中f:(0,1)×(0,∞)×R×R→R连续,f在x=0,t=0与t=1处具有奇性.通过运用上下解方法和单调逼近理论,得到了该问题新的正解的存在性结果. 相似文献
1000.