Ce偶-偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ce偶－偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述，与实验观察到的低激发态结果基本一致。     

TC2模型与轻子味破坏过程l_i→l_jν_l_l

许多超出标准模型的新物理预言了非普适规范玻色子Z′的存在 .此粒子可产生许多新物理现象 .本文计算了顶色辅助的人工色 (TC2 )模型预言的非普适规范玻色子Z′对轻子味破坏 (LFV)衰变过程li→ljνl νl 的贡献 .结果表明 ,在整个参数空间内 ,过程τ± →ljντ ντ 的分支比比τ± →ljνl νl(l =μ ,e)的分支比大得多 .考虑实验测量值上限Brexp(μ→ 3e)≤ 1× 10 -12 对TC2模型的自由参数的限制 ,我们给出了一些轻子味破坏过程的上限 .在大部分参数空间中 ,分支比Br(τ± →ljντ ντ)～ 10 -6,Br(τ± →ljνl νl)～ 10 -9.这些结果可以用来部分地解释中微子振荡数据 ,将来的高能实验有可能探测到此新物理效应 .     

测定异常散射因数的强度比法

本文对测定异常散射因数的强度比法做了考察,并用这种方法较好地测定了GaAs中Ga原子在其K吸收限附近的异常散射因数,对该方法在使用中遇到的问题,进行了处理和讨论。 关键词：     

有理同时Chebyshev逼近的一致强唯一性

本文研究了广义有理同时 Chebyshev 逼近的一致强唯一性.首先,我们举例说明经典的 Chebyshev 逼近的结果不能直接推广到同时 Chebyshev 逼近情形,其次给出了使 inf_(F∈Γ)γ(F)>0的充分条件.其中γ(F)是 F 的广义有理同时 Chebyshev 逼近的强唯一常数.最后,我们研究了所给条件的必要性.     

静磁场中的互作用能

讨论了在激发磁场的电流保持不变时和束缚磁荷作为磁场的不变时，两种情况下磁场的相互作用能。结果与静电场类似，两种情况的互作用能中都含有相互磁化，致使物体磁化状态改变作的功。     

光双二进制传输系统的性能研究

光双二进制信号的谱宽是传统二进制信号的一半,采用双二进制传输比二进制传输色散限制的中继距离可增加一倍.本文对采用传统光接收机的光双二进制传输系统用MATLAB进行了通信仿真.结果表明:在完全消光条件下,10 Gb/s双二进制信号在常规单模光纤上传输可达160 km,40 Gb/s双二进制信号在非零色散光纤上为30 km,均比二进制增加了一倍;详细考察了消光比对传输的影响,只有消光比大于25 dB时,双二进制相对于二进制传输的优越性才呈现出来.     

硅色敏器件对复色光色差辨识能力的数值分析

对复色光的光谱功率分布和色敏器件光谱响应的实验曲线进行了函数拟合，采用Mathematica 4．2计算了具有不同峰值波长和半高宽的高斯分布的复色光在色敏器件中产生的电流比．计算结果表明，待测复色光的峰值波长和半高宽变化对两种典型的色敏器件的输出信号影响的权重比分别为100：1和10：1。权重比说明色敏器件的输出电流比随峰值波长和半高宽的变化非常灵敏，但两者权重不同，其中峰值波长的变化影响更为显著，是影响复色光颜色变化的主要因素．数值分析的结果表明，硅双结色敏器件对复色光色差有良好的辨识能力．两种器件权重比的差异说明了器件制作工艺与其辨识能力的关系，为器件合理设计提供了理论依据．     

Na离子和Cl离子引起He原子直接多重电离过程的研究

利用2～8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系.     

变阶可解族的带权逼近与插值逼近

本文讨论了变阶可解逼近族的插值逼近和带权逼近(权在插值点集Z上趋于无穷而在Z外为1)的关系.指出对变阶可解族而言,当逼近解为非亏损时,稠密性假设是自然满足的,且此时的最佳插值逼近等于该带权最佳逼近的极限.