薄板型介质材料复介电常数的无损测量

采用带法兰结构的TE01n圆柱谐振腔,用无损检测的方法测量薄板型微波介质材料的复介电常数。利用轴向模式匹配法对谐振腔内的电磁场进行了求解,给出了相对介电常数和损耗角正切的计算公式,并利用矢量网络分析仪对几种常用微波介质材料进行了测量,其结果表明:该测量方法对相对介电常数的测量误差不超过1%,而对损耗角正切的测量误差不超过10%。该方法还具备一腔多模的测试能力,测量频率可调,可用于介质材料频率特性的测量。     

0.6 THz三次谐波大回旋电子枪设计

基于会切磁场的理论模型,采用粒子模拟软件对0.6 THz三次谐波的太赫兹回旋管所需的大回旋电子光学系统进行研究。通过大量的模拟计算,分析讨论了不同参数对电子注的横向速度离散、纵向速度离散及横纵速度比的影响,优化了电子光学系统的性能参量,得到符合设计要求且具有工程实际应用的电子枪,该电子枪能够产生55 kV,1 A,横向速度离散为3.39%、纵向速度离散为7.10%、横纵速度比为1.53的大回旋电子注。     

铒镱共掺光波导激光器的稳态特性

从光波导激光器的工作理论出发,研究了铒镱共掺磷酸盐波导激光器的稳态特性。利用重叠因子简化了980 nm光抽运的铒镱共掺波导激光器四能级模型的速率-传输方程;在忽略自发辐射的情况下,利用数值模拟的方法,得到了铒镱共掺波导激光器的输出与Er³⁺/Yb³⁺离子浓度、泵浦功率、波导长度等参量之间的关系曲线。理论分析结果表明,选择合适的铒镱离子浓度是制作铒镱共掺波导激光器的关键。采用980 nm波长的泵浦光,泵浦功率为80 mW,Er³⁺浓度取20×10²⁶/m³左右,Yb³⁺/Er³⁺浓度比为7~10,波导长度为20 cm左右时,可以得到最大输出光功率。     

Ni25+离子1s2np态的精细结构

用全实加关联方法计算了Ni25+离子1s2np(n≤9)态的能量和精细结构. 1s2np态的非相对论计算结果为-851.91237219 a.u, 与Yan.等人用Hylleraas型变分法和1/Z展开方法得到的-851.91246266(74)a.u.之间的相对偏差仅约 0.1 ppm. 在计算1s2np(n≤9)态的自旋-轨道相互作用以及自旋-其他轨道相互作用的期待值的基础上,通过引入价电子的有效核电荷,还估算了对精细结构劈裂的QED修正和高阶相对论修正.结果表明,这两种效应的贡献大约分别占总劈裂的0.2%和2%.     

石墨相C3N4的高温高压研究

为了得到超硬相的C3N4,利用石墨相C3N4(gC3N4)为实验的初始原料,利用六面顶压机高温高压实验技术,对gC3N4进行了高温高压研究.实验结果表明,在5.2 GPa、600 ℃和5.2 GPa、800 ℃两个压力和温度点,制备的样品经过X射线衍射(XRD)分析,样品仍然为gC3N4,当温度升到1000 ℃时,发现样品发生了变化,经XRD和X光电子能谱（XPS）分析,gC3N4完全分解为石墨.     

DAC垫片孔侧壁绝缘程度对电导率测量结果的影响

通过有限元方法,计算了DAC内垫片孔侧壁与样品发生不同程度短路的情况下,范德堡法测量样品电阻率的相对误差. 发现垫片孔侧壁与样品短路面积小于20％时,相对误差可以控制在10％以内. 而当短路面积超过25％时,相对误差迅速增大. 研究中还发现,电极越靠近样品边缘,相对误差越小.     

可控压强水热合成Cu2O及其光吸收性质研究

本论文采用可控压强水热法,以Cu(CH3COO)2为前驱物, 200 ℃下,在一定压强范围内合成出束状和塔状结构形貌的Cu2O. 考察了前驱物的浓度,初始压强等条件对产物形貌的影响. 实验结果说明,反应压强对氧化亚铜的形貌的形成起到关键的作用. 随压强的提高所得Cu2O的光吸收增强,吸收峰的位置随压强的提高而发生明显红移.     

方钴矿化合物FexCo4-xSb12的高温高压合成及其电输运特性研究

采用高压合成技术,在1.5 GPa,900 K的合成压力和温度条件下成功合成出了系列Fe置换掺杂型方钴矿化合物FexCo4-xSb12 ,其中x＝ 0,0.2,0.6,0.8. 详细研究了FexCo4-xSb12 样品在300 K ~ 700 K温度范围内的电阻率、Seebeck系数和功率因子（S2σ）随温度和Fe掺杂量的变化关系. 研究结果表明：在测试温度范围内,随着温度的升高,样品的电阻率和Seebeck系数逐渐增大. 随着Fe含量的增加,样品的电阻率和Seebeck系数先增加后减小. 与常压下相同样品比较,高压合成方法制备的样品的电学输运特性有了明显的提高. 上述研究结果表明,高压合成技术在制备热电材料方面能够有效地提高样品的电输运特性.     

He-s2（∑u-→X3∑g-)van der Waals体系的从头计算

利用多参考组态相互作用方法计算得到了He-S2(X3∑-g)与He-S2(B3∑-u)的势能曲面;计算并讨论了He原子与S2分子的相对位置R与S2(B3∑-u→X3∑-g)跃迁矩和诱导偶极矩变化的关系;分析了He对S2分子轨道的压缩随R的变化,以及在实验中加入缓冲气体对实现S2分子发光的影响.     

在强场电子复合过程中发现类拉比振荡

在强场原子高次谐波发射的理论计算中,我们首次发现了在电子复合过程中本该有的涉及连续态含时布居的类拉比振荡,为观察强场高次谐波的高效发射提供了一个新的信息丰富的窗口.