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22.
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本文推导了包含自衍射及非线性吸收影响、用以描述空间电荷场建立过程的微分方程组,阐明了周期性的空间电荷场与光强干涉条纹之间的相位差在建立过程中所起的作用,并推导了描述条纹倾斜和弯曲的微分方程。通过数值计算找到了硅酸铋(BSO)晶体中能量转移的规律,讨论了材料特性对过程快慢的影响,提出了用CW激光来探讨瞬态过程快慢的可能性。 相似文献
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1(2000年中国台湾数学奥林匹克)设,是正整数集到非负整数集的映射,满足f(1)=0,f(n)=max 1≤j≤n-1 {f(j)+f(n~j)+j|(n≥2),求f(2000)。 相似文献
25.
本文中所沿用的概念和符号除特别说明外,其意义与[4,5]相同.本文主要给出了集Pδ(A)的结构以及正规算子A有唯一最佳ω-非负逼近的特征. 相似文献
26.
27.
Jian Zhong PAN Shao Bing WU 《数学学报(英文版)》2006,22(1):23-26
in this note, we answer positively a question by Belegradek and Kapovitch about the relation between rational homotopy theory and a problem in Riemannian geometry which asks that total spaces of which vector bundles over compact non-negative curved manifolds admit (complete) metrics with non-negative curvature. 相似文献
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研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
29.
30.
Hong Tao Gao Dong Mei Dai Tong Hua Li 《中国化学快报》2007,18(4):495-498
Non-negative matrix factorization(NMF)is a technique for dimensionality reduction by placing non-negativity constraints onthe matrix.Based on the PARAFAC model,NMF was extended for three-dimension data decomposition.The three-dimension non-negative matrix factorization(NMF3)algorithm,which was concise and easy to implement,was given in this paper.The NMF3algorithm implementation was based on elements but not on vectors.It could decompose a data array directly without unfolding,which was not similar to that the traditional algorithms do.It has been applied to the simulated data array decomposition andobtained reasonable results.It showed that NMF3 could be introduced for curve resolution in chemometrics. 相似文献