改进教学方法提高教学效果

物理化学概念抽象,理论严谨,学生难于理解和记忆,学生普遍反映物理化学难学.本文作者通过20多年的教学实践,总结了一套较好的课堂教学方法,根据学生好奇、求知欲强、思维活跃、学习从兴趣出发的特点,充分利用物理化学内容丰富、趣味性强的特点,努力挖掘各种趣味因素,通过更新教学手段,改进教学方法,创设情境,以各种教学形式诱发、激励学生的学习兴趣与求知欲望,使他们由被动的"要我学"转变为主动的"我要学",从而搞活了教学,取得了较好的教学效果.     

一类新的非单调记忆梯度法及其全局收敛性

在非单调Armijo线搜索的基础上提出一种新的非单调线搜索,研究了一类在该线搜索下的记忆梯度法,在较弱条件下证明了其全局收敛性。与非单调Armijo线搜索相比,新的非单调线搜索在每次迭代时可以产生更大的步长,从而使目标函数值充分下降,降低算法的计算量。     

无记忆非拟 Newton 算法的导出和全局收敛性

In this paper, a new class of memoryless non-quasi-Newton method for solving unconstrained optimization problems is proposed, and the global convergence of this method with inexact line search is proved. Furthermore, we propose a hybrid method that mixes both the memoryless non-quasi-Newton method and the memoryless Perry-Shanno quasi-Newton method. The global convergence of this hybrid memoryless method is proved under mild assumptions. The initial results show that these new methods are efficient for the given test problems. Especially the memoryless non-quasi-Newton method requires little storage and computation, so it is able to efficiently solve large scale optimization problems.     

无约束多目标优化的记忆梯度法

基于无约束单目标记忆梯度法,本文提出了一种无约束多目标优化问题的记忆梯度法,并证明了算法在Armijo线性搜索下的收敛性。数据试验结果验证了该算法的有效性。     

金属磁记忆检测技术研究进展及若干讨论

金属磁记忆是近年来发展起来的一种新的磁无损检测方法,可以实现对工业中大量使用的铁磁材料和铁磁结构早期损伤实现有效诊断。但由于其发展历史较短、理论模型缺乏、实验干扰因素较多,目前还限于机理性探讨和仅能提供定性化测试结果。结合本课题组研究成果及其他学者的相关报道,本文对近年来本领域研究成果进行综述性评价。内容涉及基本判据建立、漏磁表征参数确定、实验测试数据的有效性及影响因素、理论物理模型建立等方面。最后,对该方法今后研究趋势作了展望。     

提取诱发遗忘的执行控制机制

提取诱发遗忘是指对于部分记忆材料的回忆往往会导致对于其他相关记忆材料的回忆量降低的现象.本研究采用中文材料再认测试的提取练习范式,探讨了不同控制能力的被试以及在提取-诱发遗忘(RIF)效应上的不同特点和机制.结果表明:(1)回忆正确率存在RIF效应,即Nrp的回忆正确率显著高于Rp-.(2)用Stroop效应的强弱作为执行控制能力的指标,高执行控制能力者比低控者表现出更强的提取诱发遗忘效应,证明了提取诱发遗忘的执行控制机制.     

忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模及其特性分析

忆阻器、忆容器和忆感器均是具有记忆特性的新型非线性电路元件,也被称为记忆元件.以三种电路元件的通用数学模型为依据,从数学分析的角度,对忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink模型进行了建立.在Simulink模型中体现了记忆元件对历史状态和系统状态变量的依赖性,正确表现出其独特的记忆特性.通过一系列仿真分析,得到了忆阻器、忆容器和忆感器的元件特性,验证了模型的有效性.此外,通过对三者在不同参数、不同激励下的电路特性分析,得到了三种记忆元件等效模型随频率和幅值变化的规律,为以后忆阻器、忆容器和忆感器基于Simulink的仿真研究和应用研究奠定基础.     

基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件

采用旋涂工艺将PbSe三维自组装超晶格镶嵌在两层聚合物PVP中,制备了基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件,器件结构为ITO/PVP/PbSe三维自组装超晶格/PVP/Al,研究了其电学性能和记忆效应。与参比器件ITO/PVP/Al相比,器件ITO/PVP/PbSe三维自组装超晶格/PVP/Al的电流-电压特性呈现出非常明显的电双稳特性和非易失记忆行为,在相同的电压下同时具有两种不同的导电状态：低电导的关态和高电导的开态。当PVP与PbSe超晶格的质量比为1：1时,器件性能最好,其最大电流开关比为7×10⁴,经过10⁴ s仍几乎无衰减。通过对电流-电压曲线拟合,利用不同的导电模型对器件的载流子传输机制进行了解释。结果表明,PbSe三维自组装超晶格作为电荷陷阱,可以俘获、储存及释放电荷,对器件的电双稳性能能起决定性作用。     

非单调带参数Perry-Shanno无记忆拟牛顿法的收敛性

给出了一种非单调带参数的Perry-Shanno无记忆拟牛顿法, 对于目标函数为凸函数, 在参数满足适当范围的情况下, 证明了算法的全局收敛性.     

一个通用的记忆器件模拟器

本文根据惠普忆阻器模型提出了一个新的接地忆阻器模拟等效电路.并以此为基础,采用常规的电子元件构建了一个通用的记忆器件模拟器.该模拟器能在电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入元件的性质能将接地忆阻器分别转化为浮地忆阻器、浮地忆感器和浮地忆容器.由于该模拟器是浮地的,因而可以方便的与其他电子器件实现灵活的连接形式.Pspice仿真实验验证了模拟器的真确性和有效性.