考虑非局部效应和记忆依赖微分的广义热弹问题

现有的广义热弹理论主要适用于求解时间尺度极短但空间尺度仍属宏观尺度的广义热弹问题的动态响应,而当所研究的弹性体的特征几何尺寸也属微尺度时,弹性体的力学响应将呈现出强烈的尺寸相关性,现有的广义热弹理论不再适用. 本文基于通过非局部效应和记记依赖微分修正的广义热弹性理论,研究了两端固定、受移动热源作用的有限长热弹杆的动态响应. 建立了问题的控制方程,给出了问题的初始条件及边界条件,运用拉普拉斯变换及其数值反变换,对方程进行了求解. 数值计算中,首先考察了时间延迟因子对模型所预测各物理量分布的影响;然后对比了模型中的时间延迟因子在两种不同类别核函数下(通过归一化条件修正和未修正形式)对各物理量分布的影响效应;最后考察了考虑新的可以描述尺寸效应的非局部因子对无量纲温度、位移及应力的影响,并用图形进行了示例. 结果表明, 时间延迟因子增大,各物理量的峰值变大,传播距离变小,且时间延迟因子在归一化条件修正过的核函数下影响更加显著;非局部参数几乎不影响无量纲温度的分布,轻微影响无量纲位移的分布,但对无量纲应力的峰值的影响显著.      

基于忆阻器的SIMON轮函数电路设计

忆阻器由磁通量、电荷、电压、电流之间关系对称性推导得出, 被认为是继电阻、电容、电感之后的第四大无源元件, 具有记忆功能和非易失性等特点. 通过对忆阻器工作原理和电路模型的研究, 提出了基于忆阻器的SIMON轮函数电路设计方案. 该方案首先分析忆阻器模型结构和SIMON算法, 设计基于忆阻器的与、或、非门电路; 并在此基础上实现基于忆阻器的SIMON轮函数电路, 利用忆阻器的非易失性特性实现断点记忆功能; 最后在Cadence Virtuoso环境下, 仿真验证所设计电路的断电保存功能. 与传统CMOS电路比较, 基于忆阻器的SIMON轮函数电路减少了27.8%的元器件数量, 低功耗特性明显.     

Nonvolatile Memory Characteristics with Embedded High Density Ruthenium Nanocrystals

Ruthenium （Ru） nanocrystals （NCs） embedded in SiO2 gate stacks are formed by rapid thermal annealing for the whole gate stacks and embedded in the memory structure, which is compatible with conventional CMOS technology. The devices exhibit a substantial and clockwise hysteresis in capacitance-voltage measurement. The Ru NCs exhibit high density （2 × 10^12cm^-2）, small size （2-4 nm） and good uniformity both in spatial distribution and morphology. The charging and long-term retention performances are explained by the Coulomb Blockade phenomena and the asymmetric electron tunnel barrier between the Ru NCs and the Si substrate, respectively.     

SPV490Q钢焊接冷裂纹声-磁定位方法研究

声发射源定位方法可以精准判断信号发生时间及位置,但由于其检测数据量大,难以进行实时评价,而磁记忆定位方法能实时观察数据结果,所以用声-磁结合的方法对冷裂纹进行定位分析。焊后即进行声发射监测,待焊缝冷却后,按一定时间间隔用磁记忆技术进行检测,这样既能精确得到冷裂纹起裂时间及其位置,又能实时观察冷裂纹扩展走向。同时,通过SPV490Q钢斜Y型坡口焊接冷裂纹实验验证了该方法的可行性。     

高温超导体时效与记忆效应实验研究

熔融织构的钇钡铜氧化物(YBCO)高温超导块材具有较高的临界电流密度和较好的力学性能,在制作高场磁体、悬浮列车等方面具有重要的应用。本文首先在恒定的液氮温度下,通过对不同等待时间, 场冷和零场冷条件下悬浮力特征的测试, 发现高温超导块材在液氮温度表现出较强的时效性;接着,对于不同温度循环引起的悬浮系统悬浮力时间弛豫特征研究显示出高温超导块材在低温下具有鲜明的记忆特性,随着温度的升高,其记忆效应逐渐消失,且正、负温度循环对其记忆效应影响表现出不一致性。所有这些特性表明,高温超导块材具有和自旋玻璃类似的性质,其根源为超导体内部复杂的微观结构。     

磁记忆检测中的力-磁关系及其实验观察

从微磁化基本理论出发,依据能量原理,建立了铁磁材料的能量状态方程;采用最小能量原理和拉格朗日乘数法得出了在外力作用下铁磁体内应力与磁化率改变量之间的线性关系式.进一步讨论了在应力方向改变时应力与相应方向磁化率改变量间的对应关系,证明在不同方向上二者之间的线性关系依然成立.根据变压器原理,设计出铁磁材料磁化率检测装置,以45#钢试件为例,测量了不同方向上应力与磁化率变化量间的对应关系,并与理论值做了比较.实验结果表明文中得出的应力-磁化率变化量表达式与实验测定结果符合得较好.以上工作为明确磁记忆检测技术的检测对象和机理,建立磁记忆检测技术的力-磁本构关系在一个新的视角上做了有意义的探索.     

双重代码记忆功能的模拟探讨

Ｐａｉｖｉｏ认为人类具有两个相互联系的记忆系统，它们相互独立，相互联系，却相互激活．这两个系统分别通过表达联结，指称联结加以沟通，本文试图利用这一理论，借助神经网络和物理符号系统基础上，进一步开展形象思维和逻辑思维与记忆之间的关系模拟的研究．     

Reducing subspaces of multiplication operators on function spaces

This survey presents the brief history and recent development on commutants and reducing subspaces of multiplication operators on both the Hardy space and the Bergman space, and von Neumann algebras generated by multiplication operators on the Bergman space.     

基于不同记忆模式的几个参数识别公式的推广

本文研究了不同记忆模式下的最小二乘识别问题.利用设计矩阵的不同记忆模式,得到了不同司的参数识别公式,将每次增加的观察数据从一组推广到了多组的情形.     

人外周血CD4+IL-21+记忆T细胞的特征

目的:探讨人外周血中白细胞介索21(IL-21)的产生细胞及其特征.方法:分离人外周血单个核细胞(PBMC),分为不刺激或anti-CD3(OKT3)、OKT3+anti-CD28、PMA+ionomycin刺激四个组,流式细胞术(FCM)检测产生IL-21的细胞亚群.PMA+ionomycin刺激PBMC、纯化CD4+、CD4+CD45RA-、CD4+CD45RA+细胞、脐带血单个核细胞(CB-MC),FCM分析产生IL-21细胞的表型特征和IL-21与Th1、Th2、Th17和Th22细胞因子之间的关系.结果:与OKT3、OKT3+anti-CD28相比,PMA+ionomycin能诱导最高量的IL-21产生.产生IL-21的主要细胞为CD4+T细胞,少数CD8+T细胞.CD4+IL-21+T细胞表达CD45RO,不表达CD45RA,其中部分细胞表达CCR6、CCR7或CXCR5.CD4+CD45RA-细胞表达IL-21远高于CIM+CD45RA+细胞.进一步研究表明,PBMC产生IL-21,而CBMC不产生.此外,大约24%的CD4+IL-21+细胞表达IFN-γ,小于10%CD4+IL21+细胞表达IL-4、IL-17或IL-22.结论:人PBMC在多克隆刺激的条件下,可以诱导IL-21的产生.产生IL-21的主要细胞亚群具有记忆CD4+T细胞的表型.其中一部分CD4+IL-21+T细胞的表型独立于Th1、Th2、Th17和Th22细胞亚群.