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121.
122.
通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用,在IBM2中对Ce偶-偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析,计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述,与实验观察到的低激发态结果基本一致。 相似文献
123.
采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2.0V,半寿命提高了12.7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现,另一方面,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力,提高电子注入水平。 相似文献
124.
研究了人工施加的无机固体电解质体膜对锂碳负极电池性能的影响作用,结果表明碳电极的容量及首次充放电效率相对于未改性电极都得到了一定程度的提高。显示了以这层外界人工施加的晶体膜替代的电极体系本身所形成的钝化膜之有效性,扫描电子显微镜的研究直观地显示了这层人工施加膜的均匀,致密性质。 相似文献
125.
本文综述了反射电子显微术(REM)和反射电子能量损失谱(REELS)在表面科学中的应用。较详细地给出了用这些方法研究表面原子结构、化学成份和电子态的基本实验和理论,指出了发展这一学科对表面研究的重要性。 相似文献
126.
半导体异质结界面能带排列的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。 相似文献
128.
129.
研究了油/水界面电解的示差半微分循环伏安行为。在0.01mol/L LiCl(w)-0.01mol/L TBATCIPB(nb)体系“电位窗”比TBATPB(nb)向正方向扩展约50mV,残余电流基本消除,使“电位窗”内的平台向左右拓宽约50mV。算得界面电容约为16μF/cm~2。考察了琥珀酰胆碱离子在w/nb界面的传递伏安特性,结果与一般半微分循环伏安法相似。但峰形改善,检测限降低一个数量级(1×10~(-6)mol/L),相对标准偏差在5%以内,可用于定量测定琥珀酰胆碱。 相似文献
130.
用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。 相似文献