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61.
表面活性剂对均相沉淀法制备单晶Ce2O(CO3)2¢H2O微粉形貌及
形成机理的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在尿素及硝酸铈的混合溶液中分别加入表面活性剂CTAB、 PEG19000、OP-10,利用均相沉淀法合成了不同形貌的CeO2超细前驱体Ce2O(COa)2·H2O,采用X射线衍射及透射电子显微镜等测试手段,对产品的物相和形貌进行了表征.实验结果表明,所得产品均为斜方晶系的单晶Ce2O(CO3)2·H2O,且表面活性剂的加入使晶体的晶化程度明显提高;添加不同的表面活性剂得到不同形貌尺寸的产物: 阳离子型表面活性剂CTAB对Ce2O(CO3)2·H2O晶体的形貌影响不大,所得产物尺寸变小,且分散性得到一定的改善;非离子型表面活性剂对所得产物的形貌影响显著.加入PEG19000和OP-10分别得到了形状排列有序的、尺寸较均匀的、较规则无团聚的微米棒及具有紧密结合中心的发散状的花样微粒.不同形貌前驱体的形成与晶粒形成生长机理的改变有关. 相似文献
62.
63.
A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors:Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy
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We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity. 相似文献
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采用反应射频磁控溅射方法,在Si (100) 基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用 原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术,研究了沉积温度 对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响;通过沉积温度对透射光谱 和光致荧光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性能之间的关系.研究结果显示, 在室温至500℃的范围内,ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为500 ℃时达到最大;当沉积温度为750℃时,ZnO薄膜的晶粒尺度有所减小;在室温至750℃的范 围内,薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均存在着相对固定的外延关系;在沉积温度低于500℃时 ,制备的ZnO薄膜处于压应变状态,而750℃时沉积的薄膜表现为张应变状态.沉积温度的不 同导致ZnO薄膜的折射率、消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化,沉积温度对 紫外光致荧光特性起着决定性的作用.此外,探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因 素.
关键词:
ZnO薄膜
表面形貌
微观结构
光学常数 相似文献
66.
67.
Gu Chaohao 《数学年刊B辑(英文版)》1994,15(4):385-400
COMPLETEEXTREMALSURFACESOFMIXEDTYPEIN3-DIMENSIONALMINKOWSKISPACE¥GUCHAOHAO(InstituteofMathematics,FudanUniversity,Shanghai200... 相似文献
68.
金属上化学吸附的族模型量子化学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
簇模型方法是研究化学吸附的最重要的量子化学方法之一。本文对'簇--表面类比法'的物理内涵、研究现状、以及发展趋势作了简要的评述。 相似文献
69.
研究了人工施加的无机固体电解质体膜对锂碳负极电池性能的影响作用,结果表明碳电极的容量及首次充放电效率相对于未改性电极都得到了一定程度的提高。显示了以这层外界人工施加的晶体膜替代的电极体系本身所形成的钝化膜之有效性,扫描电子显微镜的研究直观地显示了这层人工施加膜的均匀,致密性质。 相似文献
70.
本文综述了反射电子显微术(REM)和反射电子能量损失谱(REELS)在表面科学中的应用。较详细地给出了用这些方法研究表面原子结构、化学成份和电子态的基本实验和理论,指出了发展这一学科对表面研究的重要性。 相似文献