带有三体相互作用的XXZ自旋链模型的隐形传态

本文对基于海森堡XXZ自旋链模型的隐形传态的平均保真度进行了详细计算和分析.通过比较不带三体相互作用、仅带一种三体相互作用和同时带两种三体相互作用的各种海森堡铁磁质和反铁磁质XXZ模型在外磁场正向和反向时的保真度与外磁场和温度的关系,找到了一些理想模型,用这些模型进行隐形传态时需要的外界磁场相对较弱、温度相对较高,这个结论为实验上用海森堡XXZ模型进行隐形传态提供了很好的理论依据.     

电热蒸发ICP-AES法直接测定人血清中微量元素

建立了悬浮体制样电热蒸发电感耦合等离子体原子发射光谱法(ETVICPAES)直接测定人血清中微量元素(Cu,Cr,Fe)的方法。采用聚四氟乙烯(PTFE)悬浮体为化学改进剂,以促进待测物的蒸发,改善方法的分析性能。研究了影响待测元素信号强度的主要因素。在优化实验条件下,方法的检出限为14ng·mL-1(Cu)和29ng·mL-1(Fe),相对标准偏差小于60%。     

激发态过程的多体理论方法

描述多电子体系的绝大部分参量可实验测量,如吸收光谱、发光光谱和激子效应等,都涉及电子激发态的正确描述。密度泛函理论(DFT)框架内的局域密度近似(LDA)作为第一性原理基态理论,即基于Kohn-Sham方程的解,是研究多粒子体系基态性质非常有力的工具。然而,体系激发态的第一性原理理论及其计算要比基态的理论计算复杂得多。关键问题在于描写基态和激发态时,粒子间的交换关联相互作用并不相同,而对于非均匀相互作用多粒子体系的交换关联能至今仍不清楚。不过,近年来关于激发态问题的研究,先后发展了许多描述电子激发态的理论,最重要的是基于准粒子概念和Green函数方程的多体微扰理论和含时间密度泛函理论(TDDFT)以及与此相关的描述电子-空穴相互作用的Bethe-Salpeter方程在凝聚态物理问题中的应用。其中最关键的物理量是粒子的自能算符Σ,它描述Hartree近似之外的交换和关联效应。虽然这些理论不可避免地也要引入某些近似,如对于Σ的一个好的近似就是Hedin的GW近似方法。对许多实际凝聚态体系的计算机模拟结果表明,GW近似是描述激发态问题相当成功的理论方法。将Hartree-Fock(HF)理论与LDA相结合,但采用非局域屏蔽交换代替HF方法中的局域非屏蔽交换相互作用,建立广义的KS方程(GKS),得到所谓屏蔽交换局域密度近似(sX-LDA)方法。我们在平面波自洽场方法PWscf程序包的基础上,发展了PW scf-sX-LDA方法,也是处理激发态问题及材料设计的有效方法。将评述激发态过程多体理论各种方法的发展和意义,讨论这些多体理论方法之间的联系和差异,并在此基础上介绍它们在解决半导体带带跃迁(或带隙偏小问题)、半导体及其微结构中的激子效应等重要领域的应用和成果。     

ICP-AES测定锆合金(Zr-2、Zr-4)中10种微量杂质元素

本法对锆合金中10种微量杂质元素的测定进行了实验研究。取样250mg时,Al、Co、Cu、Mg、Mn、Mo、Ni、Pb、Ti和V测定范围在10—640μg/g之间,回收率在93%—109%之间,相对标准偏差RSD(n=6)在3.9%—7.8%之间。     

颜面赝复体粘接剂的红外光谱分析

传统的颜面赝复体粘接剂按其成分可分为聚丙烯酸酯类和有机硅类。以往对于颜面赝复体粘接剂性能的研究,多为粘接强度的测试,而有关这些粘接剂在粘接过程中的变化研究则较少见。文章测试了两种颜面赝复体粘接剂 (Epithane3及Secure2 Adhesive)在液态、半固态时的红外光谱。结果提示,Epithane3结固过程中有水分和残留氨的挥发,Secure2 Adhesive结固过程中表现为乙酸乙酯挥发。有机硅官能团是有机硅类和硅橡胶的粘接强度比聚丙烯酸酯类高的关键。两种粘接剂红外光谱主要吸收峰的峰位、峰形与结固前相同, 表明结固前后其主要化学成分和基本结构未发生变化。     

基于GEANT4的CsI(T1)闪烁体探测器的Monte Carlo模拟

对闪烁光在晶体内的传输以及光电子倍增过程进行了建模,基于GEANT4软件包对CsI(T1)闪烁体探测器进行了蒙特卡罗模拟,得到了不同形状、尺寸和包装的CsI(T1)晶体测量γ射线的能谱.对比模拟和测试结果,两者得到了很好的符合,从而验证了模拟参数的合理性和可靠性.该模拟程序的建立为闪烁体探测器的设计提供了更精确的开发工具.     

磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究

用射频控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500-600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550 nm两个峰,应该归因于主体材料Zn2GeO4中两个不同的Ge2 的发光中心.     

用耦合簇理论及相关一致基研究NH2自由基的解析势能函数

运用CCSD(T)理论和Dunning等的系列相关一致基对NH2自由基的基态结构进行了优化,并使用优选出的cc-pV5Z基组对其进行了频率计算.得到的结果是:平衡核间距RNH=0.10247 nm,键角∠HNH=102.947°,离解能De=4.2845 eV,振动频率ν1(a1)=1546.0342 cm-1,ν2(a1)=3379.5543 cm-1和ν3(b2)=3474.4784 cm-1.对NH自由基及H2分子,使用优选出的cc-pV6Z基组对其基态的几何构型与谐振频率进行了计算并进行了单点能扫描,且将扫描结果拟合成了解析的Murrell-Sorbic函数.采用多体项展式理论导出了NH2自由基的解析势能函数,其等值势能图准确再现了它的离解能和结构特征.报导了NH2自由基对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点,对应于反应NH+H→NH2,势垒高度约为0.1378×4.184 kJ/mool.     

一种可交互的体绘制光学传递函数模型

针对三维数据场可视化过程中兴趣区的交瓦分离问题.给出了基于体绘制光学传递函数的半自动调节方法.该方法从传递函数的光学模型出发,根据三维数据的光强分布,结合体数据的三维梯度场.给出了体数据的颜色及透明度值分离交互凋常的模犁.为了提高本方法的实用性,本文采用了交互模型与现代显卡纹理特性相结合的方法来提高交互速度.实验证明,通过实时调节改进传递函数的相关参量.该模型能以大于每秒30帧的交互速度获得必趣区的最佳视觉分离效果.本方法能在交互体视化的同时实现最佳参量的获取.     

基于NbN,AlN技术的体声波器件研究

体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜制备技术的进一步发展使高性能的体声波滤波器制作成为可能. 我们以单晶MgO作为器件衬底,MgO/NbN多层结构作为AlN薄膜体声波器件的反射器,NbN/AlN/NbN三层结构为谐振器.在这样的多层结构的设计中由于各种材料之间的晶格失配小,可以获得从几十纳米到几百纳米厚度不等的单晶AlN薄膜.通过控制AlN薄膜和NbN薄膜的不同厚度,可以获得不同频段范围的谐振器. 压电薄膜的质量,以及体声波在多层结构界面上的能量损耗,直接影响到谐振器电学性能.基于AlN材料的压电性能,设计了NbN/AlN/NbN三层结构的谐振器,并进行了数值模拟.