周期性磁谐振材料本构参数的理论分析

将薄的磁谐振介质板等效为面磁流, 利用周期性边界条件, 给出了面磁流的指数形式. 通过计算无穷个面磁流在不同空间位置上产生的总电场和总磁场, 推导出了周期性磁谐振人工材料的色散关系和布洛赫阻抗, 进而获取了布洛赫本构参数的理论计算公式. 由于考虑了磁谐振人工材料中的电反谐振对布洛赫介电常数和磁导率的影响, 所以基于仿真实验的布洛赫本构参数的提取值和布洛赫本构参数理论预测值之间的误差很小, 这说明本文推导的布洛赫本构参数的理论计算公式在描述周期性磁谐振材料的电磁特性方面是十分有效的. 这些理论公式将在解释磁谐振现象、设计和优化周期性磁谐振材料等方面提供重要的理论依据. 关键词： 周期性结构 磁谐振 布洛赫本构参数 面磁流     

使用改进的形状优化方法设计高均匀度的超导MRI磁体

针对设计带铁磁的超导磁共振成像磁体,提出了一种确定类的优化算法来优化极靴的形状以达到匀场的目的。这种方法集合了灵敏度分析、形状优化的理论和有限元方法计算非线性铁磁材料极靴的配置,来改善两个极靴之间大体积成像区的磁场均匀度。需要指出的是,本优化方法不受极靴初始形状的限制,均可以快速收敛。我们通过一个紧凑型的1.2T双平面磁共振磁体,展示了这种方法。     

Optimization of highly nonlinear dispersion-flattened photonic crystal fiber for supercontinuum generation

A simple type of photonic crystal fiber (PCF) for supercontinuum generation is proposed for the first time. The proposed PCF is composed of a solid silica core and a cladding with square lattice uniform elliptical air holes, which offers not only a large nonlinear coefficient but also a high birefringence and low leakage losses. The PCF with nonlinear coefficient as large as 46 W 1 · km-1 at the wavelength of 1.55 μm and a total dispersion as low as ±2.5 ps · nm-1 · km-1 over an ultra-broad waveband range of the S-C-L band (wavelength from 1.46 μm to 1.625 μm) is optimized by adjusting its structure parameter, such as the lattice constant Λ , the air-filling fraction f , and the air-hole ellipticity η. The novel PCF with ultra-flattened dispersion, highly nonlinear coefficient, and nearly zero negative dispersion slope will offer a possibility of efficient super-continuum generation in telecommunication windows using a few ps pulses.     

一种新型左手材料的设计和特性研究

通过对左手材料的理论分析,设计了一种宽频带左手材料结构单元.该结构单元由一个矩形闭合环和十字型结构构成的谐振器和金属线组合而成.这种新结构中的谐振器实现负磁导率,金属线实现负介电常量,经过合理的设计,可以在某一频段内使得磁导率和介电常量同时为负,即具有负的有效折射率和正的波阻抗.数值仿真结果表明:在其工作频段内存在一个通带并且在17.6～29.0 GHz频率范围内折射率实部为负,而虚部接近于零;同时在该频率范围内波阻抗实部大于零,从而说明了该左手材料具有左手特性.除此之外,相对左手带宽达到48.9％,远远优于传统的左手材料.     

LuI3 闪烁晶体的第一性原理研究

采用基于第一性原理的赝势和平面波方法计算了新型闪烁晶体基质材料 LuI₃的结构特性和电子特性. 计算结果表明: -4.4 eV附近有一个宽度约为0.2 eV的窄带, 主要是Lu的4f态; -3.55–0 eV之间的态组成了价带, 这主要是I的5p态; 2.44–12.35 eV之间的态组成了LuI₃的导带, 这主要来源于Lu的5d态, 其中还含有少量的Lu的6s态的贡献. 在-3.46 eV处, Lu的6s态、4f态和I的5p态同时出现了尖峰, 说明相邻的Lu原子的6s态, 4f态与I原子的5p态之间的相互作用强, 出现了杂化峰. 估算出LuI₃晶体的理论光产额约为100000 ph/MeV, 主要得益于LuI₃合适的带隙和能带结构. 关键词： 3')" href="#">LuI₃ 第一性原理 电子结构     

Sc2O3电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,研究了Sc2O3的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明:Sc2O3是一种直接带隙半导体,其能带宽度为3.79 eV,价带顶部主要由O的2p和Sc的3p3d杂化而成,导带主要由Sc的3d和O的2p构成.同时,文中也分析了Sc2O3的介电函数、折射率、光电导率和吸收谱等光学性质.计算得到静态介电常数ε1(0)=1.57,折射率n0 =1.25,在紫外区有较大的吸收系数.     

模拟进化法Si和Be的团簇结构

模拟生物进化的机理，建立了优化团簇结构的理论程序，并对Ｓｉ和Ｂｅ团簇结构进行了优化计算。并成功地得到了用其它方法已发现的团簇基态结构，还发现了用其它方法尚未得到的团簇基态结构；所得到的团簇基态能量等于或小于已发表的用其它方法所得到的相团簇的基有量，说明此方法对于优化团簇基态结构是可行和有效的。     

H^—5的正四面体中心和正方形中心构型能量的理论计算

文中用ＭＡＣＱＭ（ｍｏｄｉｆｉｅｄａｒａｎｇｅｍｅｎｔｃｈａｎｎｅｌｑｕａｎｔｕｍｍｅｃｈａｎｉｃｓ）方法计算了负离子团簇Ｈ－５的正四面体中心和正方形中心构型的能量随中心原子核到顶角原子核间距离Ｒ变化的曲线。计算得知，两种构型均在Ｒ＝１．５５ａ０时有能量极小值Ｅ正四面体中心＝－２．７８９９ａ．ｕ．，Ｅ正方形中心＝－２．７５３９ａ．ｕ．。说明Ｈ－５的这两种结构都可能存在，但正四面体中心结构较为稳定。     

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟

提出了碲溶剂法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组，熔区自由边界通过相图来确定.采用有限差分法完成了组分x=0.2的长波碲镉汞晶体生长过程的数值模拟.讨论了液相区温度场分布、加热器移动速度、液相区长度和生长界面温度对生长碲镉汞晶体轴向组分的影响.模拟结果与实验结果相符. 关键词：     

掺铒矾酸钇晶体上转换荧光研究

使用波长为808和658nm的半导体激光器和染料激光器作为激发源，测量了Er³⁺：YVO₄晶体的波长在553和410nm附近的上转换荧光.对激发过程的分析表明，贡献于上转换荧光的主要激发机制为激发态吸收.在不同浓度下对上转换荧光的寿命测量结果显示，随Er³⁺浓度的提高，553nm绿光的荧光寿命随浓度的增加而减小，但410nm的荧光寿命随Er³⁺浓度无明显变化.结合绿光强度随掺杂浓度增加而减小的结果，认为在所测浓度范围内 关键词：