强冲击加载条件下的钨合金的界面研究

借助定量金相、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等微观分析手段对钨质量分数为９３％的钨合金在１５～５０ＧＰａ冲击压力下微观结构响应性态进行了考察，发现了一些钨合金所特有的现象，即钨颗粒与粘结相交界处出现成分迁移，新相析出；并结合断口分析，探讨了钨合金在冲击作用下发生断裂的微观特征与韧脆转化间的关系及其物理本质。     

抗癌药物的电化学研究(Ⅱ)道诺霉素在DNA修饰石墨粉末微电极上的电化学行为及分析应用

研究了道诺霉素 ( DNM)在石墨粉末微电极和 DNA修饰石墨粉末微电极上的电化学行为 ,并分析了产生差别的原因。在此基础上 ,提出了测定微量 DNM的方法 ,DNM浓度在 1 .0× 1 0 - 7～ 1 .0× 1 0 - 5mol/L之间其微分脉冲伏安 ( DPV)峰电流与浓度有良好的线性关系 ,检出限为 5 .0× 1 0 - 8mol/L。采用标准加入法测定了模拟样品中的 DNM,回收率在 94%～ 1 0 8%之间 ,结果令人满意     

触头用银合金粉末的氧化性能和氧化后的组织结构

通过热重实验和扫描电子显微等方法，研究了４种触头用银合金粉末的氧化性能及氧化后的组织结构。发现Ａｇ－Ｓｎ－ＲＥ合金粉末氧化以后，在粉末表层形成一层纯银层，其组织结构理想；它的氧化性能最好，适于制备触头材料。Ａｇ－Ｓｎ－ＲＥ合金粉末的优良氧化性能与其氧化后理想的组织结构有关。稀土元素可以降低合金粉末的氧化温度，其它影响作用有待于进一步研究。     

ICP-AES法测定硅铝钡钙合金

硅铝钡钙合金是炼钢常用的复合脱氧剂[1] ,它具有较强的脱氧能力和使夹杂物变质的能力 ,同时还能脱硫[2 ] 。硅铝钡钙合金目前既无国家标准分析方法 ,又无较成熟的化学分析方法 ,本文研究了用ＩＣＰ发射光谱仪测定硅铝钡钙合金的方法。本法采用基准物质配制标准系列绘制工作曲线 ,并用回收试验和试样精密度试验来证实方法的可靠性。1　试验部分1.1　仪器与试剂美国ＰＥ公司的ＯＰＴＩＭＡ330 0型全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪铝、钡、锶、锰、钙、磷、铁标准溶液 :用光谱纯金属氧化物或基准物质分别配置成 1ｍｇ·ｍｌ-1的储备液 ,使…     

现场表面拉曼光谱研究Fe-Mo合金诱导共沉积

现场表面拉曼光谱结果显示，在0．2mol·L-1Na2MoO4,pH＝4．0的溶液中，电位正于0．5V（vsSCE）时只观察到多钼酸盐的拉曼峰（940、880和450cm-1）．负于-0．5V时，出现中心位于730cm-1的宽峰．同时电极表面有蓝色膜生成．表明混合氧化态（MO（Ⅳ），MO（Ⅴ））氧化膜的形成．730cm-1的峰在-1．9V时仍然存在，说明氧化膜没有被进一步还原．在钼酸钠溶液中同时含有0．1mol·L-1FeSO4和0．2mol·L-1柠檬酸时，中间态氧化膜的拉曼峰的中心移到740cm-1．且峰强度随着电位从-1．3V负移到-1．9V而逐渐减弱并最终消失．电极表面沉积层呈银白色，说明由于Fe2 的存在，钼的中间态氧化膜的结构发生了变化，能够被进一步还原形成Fe－Mo合金，表现出诱导共沉积的特征．     

电化学合成聚苯胺粉末电极的电化学行为研究

我们曾用慢速动电位扫描法研究化学合成聚苯胺粉末的电化学行为.本文对恒电位电解合成聚苯胺粉末进行了研究.用这种方法制备的粉末由于合成溶液中不含氧化剂因而纯度高.本文还报导了这种聚苯胺粉末电极的交流阻抗测量结果.交流阻抗法曾用于聚苯胺膜的电导和化学合成聚吡咯的电阻测定. 所用盐酸、氟硼酸、硅氟酸、苯胺均为分析纯;苯胺经常压蒸馏提纯;硫酸为超纯;磷酸为分析纯;高氯酸为优级纯.溶液皆用两次蒸馏水配制.     

Ce0.67Zr0.33O2对CH4燃烧催化剂Fe2O3/Al2O3的改性作用

固定n(Ce)/n(Zr)比为0.67/0.33,用共沉淀法制得一系列CeO2-ZrO2-Al2O3固溶体.采用这些固溶体作载体,以Fe2O3为活性组分,用浸渍法制备了一系列催化剂.BET结果显示,将适量Ce0.67Zr0.33O2引入到Al2O3载体中有助于催化剂保持较高的比表面积.TPR结果显示,载体中引入适量的Ce0.67Zr0.33O2可以改善催化剂的氧化还原性能.XRD结果表明,Fe2O3在CeO2-ZrO2-Al2O3载体上呈现出良好的分散状况,老化前后催化剂的晶相结构基本无明显变化.特别是当载体中m(Ce0.67Zr0.33O2)∶m(Al2O3)的值为1∶2时,Fe2O3/CeO2-ZrO2-Al2O3催化剂在甲烷催化燃烧中显示出最佳的催化性能和抗高温老化性能.     

注入Y离子对Ni3Al合金高温氧化行为的影响

以40 KeV的能量和3×1017 /cm2的剂量在Ni3Al合金中注入Y离子, 利用热重分析、 X射线衍射、扫描电镜、能谱分析和划痕分析等技术研究了离子注入对其900 ℃恒温氧化行为的影响. 结果表明 注入Y离子不仅改变了合金的氧化动力学, 而且改变了其氧化机理. 注入Y离子后合金氧化产物中的NiO含量大为增加, 从而降低了合金的抗氧化性能. 但Y离子的注入使NiO晶粒细化, 增强了氧化膜的塑性和粘附性.     

高电导率的a—SiHY合金的低温电导特性

用射央求地在硅单晶衬底上沉积出电导率高达６０Ｓ／ｃｍ的ａ－ＳｉＨＹ合金薄膜。在２０－３００Ｋ，对于钇含量高的样品，其电导仍是热激活的。ｌｇσ与１／Ｔ的关系曲线能够被拟合成斜率不同的两条直线，直线的斜率和两直线间拐点所地 温度依赖于膜中钇的含量。但对钇含量低的薄膜，电导对温度的依赖关系度为σ∝ｅｘｐ（－１／Ｔ＾１／４）。结果表明，这些钇含量不同的样品在没的温度范围内具有不同的导电机制。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定镍基单晶高温合金中Mo、W、Ta、Re、Ru时元素之间相互干扰的消除与校正的研究

称取镍基单晶高温合金0.100 0g于聚四氟乙烯烧杯中,先令其与盐酸9mL和硝酸1mL加热反应,待反应缓慢时滴加氢氟酸2mL并继续加热使样品完全溶解。加入500g·L^-1酒石酸溶液2mL,冷却至室温,在塑料容量瓶中加水定容至100.0mL。按仪器工作条件采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定其中5种合金元素(Mo、W、Ta、Re、Ru)的含量,选择分析谱线依次为204.598,207.911,240.063,197.312,240.272nm。结果发现:除了Re外,其余4种元素的测定中均受共存元素的光谱干扰,严重影响了测定结果的准确性。为克服其干扰,除了采用基体匹配法消除镍的基体干扰外,试验采用混合校正系数矩阵法对测定结果进行校准。通过一系列试验计算得到混合校准系数矩阵K,并应用于模拟样品的分析。结果表明:经过矩阵K的校准,所测定的5种元素的准确度显著提高,达到了消除共存元素之间光谱干扰的目的。通过精密度试验,测得上述5种元素测定值的相对标准偏差(n=11)均在1.5%以下,并通过标准加入法进行回收试验,测得5种元素的回收率为97.0%~105%。