金属颗粒薄膜巨磁电阻效应的影响因素

研究金属颗粒薄膜的颗粒尺寸、磁性组分等对巨磁电阻效应的影响.在自由电子模型和自旋相关散射理论的基础上，计算了金属颗粒膜体系的电子平均散射势.在计算过程中将自旋相关项与宏观量相联系，得到了巨磁电阻效应与磁性成分比例、颗粒尺寸的关系.磁电阻效应的模拟曲线表明，增加磁性成分比例和减小磁性颗粒尺寸可增强颗粒膜的巨磁电阻效应. 关键词：     

In替代(La2/3Ca1/3)(Mn(3-2x)/3In2x/3)O3体系巨磁电阻效应的研究

采用固态反应法制备了In替代的(La_2/3Ca_1/3)(Mn_(3-2x)/3In_2x/3)O₃(x=0.00，0.10，0.15)体系.通过测量其零场和1.6T磁场下样品的电阻-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系.发现随In³⁺替代量的增加其磁电阻峰和电阻峰均向低温方向移动，同时巨磁电阻效应减弱，磁电阻峰也展宽.这是由于In³⁺替代量的变化，引起 关键词：     

溅射的同位素迷惑

影响多元材料溅射的机制是复杂的．在多元材料溅射中,同位素溅射是最简单的．虽然仅有质量效应在同位素溅射中起优势作用,但是在离子轰击溅射中,至今仍然是个“同位素迷惑”．争论的焦点有:（１）在零剂量时,同位素富集度是与出射角无关,还是与出射角有关？（２）同位素角效应是一次溅射效应,还是二次溅射效应？如何理解碰撞级联中的动量不对称性对同位素溅射的作用？文中综述了这些争论,并阐明了本小组的观点． Mechanisms affecting multicomponent material sputtering are complex. Isotope sputtering is the simplest in the multicomponent materials sputtering. Although only mass effect plays a dominant role in the isotope sputtering, there is still an isotope puzzle in suputtering by ion bombardment. The major arguments are as follows:(1) At the zero fluence, is the isotope enrichment ejection angle independent or ejection angle dependent? (2)Is the isotope angular effect the primary or the ...     

MeV微集团束与物质的相互作用

简述了有关MeV微集团离子束与物质表面相互作用研究的概况．介绍了在北京大学技术物理系和重离子物理所１．７ＭＶ串列加速器上开展的有关实验研究及取得的初步结果． The recent development on investigation of MeV microcluster beam interaction with matter is outlined. And based on 5SDH 2 Pelletron of Peking University, some relative experimental results, such as identification and Rutherford backscattering measurement of MeV carbon cluster ions, stopping power of MeV silicon microcluster ions in Al film, damage producted in silicon by MeV silicon microcluster irradiation, etc. are briefly introduecd.     

III-V族化合物半导体材料的高能重离子辐照效应

用高能（５００ＭｅＶ）Ｎｅ离子束对ＧａＡｓ和ＩｎＰ进行了辐照，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性．结果表明，在未辐照的样品中存在单空位，经辐照后，可在样品中产生单空位；当剂量较大时，还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞．红外光谱测量发现，在辐照后的ＧａＡｓ样品中有非晶区形成．此外，辐照在样品中还产生了反位缺陷ＧａＡｓ和ＩｎＰ以及受主杂质ＺｎＩｎ．对经１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２剂量辐照的ＩｎＰ进行了光学实验，在辐照后的ＩｎＰ材料中发现了亚稳态中心． Both GaAs and InP were irradiated by high energy (500 MeV) Ne ions. The Monte Carlo simulation, positron annihilation and IR spectroscopy were used to study the radiation induced defects. The result showed that monovacancies existed in as grown samples, but more monovacancies were introduced, after Ne ions irradiation, and with increasing radiation dose, divacancies were formed, and eventually large voids were observed. The IR measurement for irradiated GaAs samples confirmed the...     

原子与单模场相互作用中克尔效应与斯塔克效应的统一处理

处理了包含克尔效应和斯塔克效应的原子与场相互作用模型。由于在其有效哈密顿中作了旋转波近似，两种效应的影响可以归结为对原子与场失谐的改变，这种失谐变化依赖于一个系统的守恒量。研究表明，克尔效应和斯塔克效应在一定条件下是等价的。研究了当场的初态为宏观可区分量子迭加态时，光子的反聚束效应。探讨了在广义的克尔介质中原子与场相互作用模型的求解。     

自适应光学对大气扰动波前的补偿效果研究：II.水平大气传输时？…

讨论了光波在水平大气湍流中传输时的情况。计算结果表明自适应光学系统的补偿效果与光波传播路径上的横向风有很大的关系。大气湍流的强度越大，自适应光系统的截止频率越高，横向风的影响也越大，计算结果还表明在相同的ｒ０或者相同的大气湍流强度下，球面波所受大气扰动的自适应光学补偿效果受横向风的影响要比平面波的厉害，本文还将理论分析的结果和数值模拟的结果进行了比较，表明数值模拟结果受横向风的影响比理论分析结果受     

超快光电测量技术

本文综述了近年来趔快光电测量技术的新进展，其中包括扭快光电材料的特性、高速光电器件的基本原理，着重介绍了若干主要的用快光电测量技术．     

Maxwell–Chern–Simons场的Casimir效应

利用约束理论对AbelMaxwell-Chem-Simons场进行路径积分量子化. 并利用复变函数论中Plana求和公式,计算(2+1)维空间中两个平行导线型边界的Casimir效应. 不引任何截断参数,而得出有限的解析表达式.