Preparation of Entanglement and Schrodinger Cat States of Superconducting Quantum Interference Devices Qubits via Coupling to a Microwave Cavity

An alternative scheme is proposed for the generation of n-qubit W states of superconducting quantum interference devices （SQUID） in cavity QED. In this scheme, Raman coupling of two lower flux states of SQUID system is achieved via a microwave pulse and the cavity mode. Conditioned on no photon leakage from the cavity, the n-qubit W state can be generated whether the effective coupling parameters of the SQUID to cavity mode and classical microwave fields are the same or different. Our strictly numerical simulations of the time evolution of the system including decay show that the success probability of our scheme is almost unity and the interaction time is on the order of 10-9 s. The scheme can also be used to generate the Schrodinger cat states of multi-SQUID.     

表面微空洞长大和相互作用的晶体有限元分析

通过建立空洞长大和相互作用的3D模型,采用晶体塑性有限元模拟研究了FCC晶体表面空洞的长大和相互作用行为,分析了晶体取向和微空洞在表面的深度变化对表面空洞长大和相互作用的影响.模拟结果表明:晶体取向除了影响空洞形状和长大方向外,还会影响空洞长大速度;总体而言,在固定位移边界条件下硬取向晶粒表面的空洞长大和相互作用大于软取向.随着空洞在单晶体表面深度的增加,空洞周围的最大塑性变形增加,变形局部化更加严重,空洞长大速度增加.     

反应等离子体中尘埃空洞形成的实验研究

利用气体合成（乙烯和硅烷，氩气是载气）的方法，产生尘埃粒子，并在此基础上研究了悬 浮在射频等离子体鞘层上方的尘埃云及尘埃空洞.实验结果给出了尘埃云和尘埃空洞与射频 功率和气压等参数的关系曲线. 关键词： 尘埃等离子体 尘埃空洞 尘埃云     

85MeV19 F重离子辐照α-Al2O3的空洞研究

5.28×1016cm-2 85MeV 19 F辐照的α-Al2O3中,在其热退火过程中采用正电子湮没方法首次观察到了空洞. 450℃退火开始产生空洞,550℃到750℃空洞半径约为0.29nm不随温度变化,但浓度随温度增加而增加;高于750℃,空洞半径随温度升高迅速增大,1050℃时空洞的半径达1.10nm.     

弹塑性材料中孔洞成核、发展及应力场

采用Bermin的孔洞成核的局部应力准则以及Euler坐标系下大应变有限元方法,分析了平面应变条件下二相粒子与基体在三种不同的界面结合强度下的宏观材料的力学行为.     

熔融KCl中微观空洞及其分布的计算机模拟研究

以分子动力学计算机模拟所得KCl瞬态构型为原始数据，本文计算了不同温度的系统中存在的微观空洞并用径向分布函数描述微观空洞的统计分布，进而讨论了微观空洞的分布随温度变化的特点和不同半径的微观空洞的分布特点．我们也讨论了微观空洞的体积与系统自扩散系数、粘滞性之间的关系．     

通孔尺寸对铜互连应力迁移失效的影响

在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验, 结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术研究了通孔直径分别为500和350nm的铜互连应力诱生空洞失效现象, 探讨了应力诱生空洞的形成机理, 并分析了通孔尺寸对铜互连应力迁移的影响. 结果表明,M1互连应力和应力梯度在通孔底部边缘处达到极大值. 应力梯度在应力诱生空洞成核过程中起主导作用, 由张应力产生的过剩空位在应力梯度作用下沿Cu M1/SiN界面作扩散运动并在应力梯度极大值处成核生长成空洞. 由于M1互连应力沿横向方向变化较快, 因此应力诱生空洞的横向生长速率较大. 当通孔直径增大时,互连应力和应力梯度值增大, 并导致应力诱生空洞的生长速率上升. 关键词： 铜互连 应力迁移 应力诱生空洞 失效     

Cu互连应力迁移温度特性研究

提出了一种基于扩散-蠕变机制的空洞生长模型, 结合应力模拟计算和聚焦离子束分析技术研究了Cu互连应力诱生空洞失效现象, 探讨了应力诱生空洞的形成机制并分析了空洞生长速率与温度、应力梯度和扩散路径的关系. 研究结果表明, 在Cu M1互连顶端通孔拐角底部处应力和应力梯度达到极大值并观察到空洞出现. 应力梯度是决定空洞成核位置及空洞生长速率的关键因素. 应力迁移是空位在应力梯度作用下沿主导扩散路径进行的空位积聚与成核现象, 应力梯度的作用与扩散作用随温度变化方向相反, 并存在一个中值温度使得应力诱生空洞速率达到极大值. 关键词： Cu互连 应力迁移 应力诱生空洞 失效     

氢促进空洞形核的机理

将氢致局部塑性变形理论、弱键理论及氢压理论相结合,提出了氢促进空洞形核的新理论,氢通过促进局部塑性变形和降低键合力,一方面促进了纳米级微裂纹的形核,另一方面促进了微裂纹纯化成空洞。总之,氢促进了空洞的形核,另外,氢通过在空洞中形成氢压和降低键合力,升高了空洞的稳定性。