全文获取类型
收费全文 | 48篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 11篇 |
专业分类
化学 | 6篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 21篇 |
综合类 | 7篇 |
数学 | 10篇 |
物理学 | 25篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 3篇 |
2016年 | 3篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 7篇 |
2010年 | 6篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 2篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有70条查询结果,搜索用时 234 毫秒
61.
利用液滴坠落冲击直管中水平液面产生半球形凹陷,并以此凹陷液面作为初始界面进行水下爆炸冲击诱导射流的实验研究。以高速摄影为主要手段,结合Fluent数值模拟,揭示了凹陷液面在水下爆炸冲击作用下的变形过程和机理。实验结果表明,随着爆炸的发生,液面凹陷中心会汇聚形成纤细光滑的射流,同时在管壁附近会产生附加环状射流,这明显区别于冲击直管中水平液面诱导射流的现象。进一步研究发现,中心射流的产生主要源于液面凹陷对爆炸能量的汇聚作用,而附加射流的产生受到液面初始形状和管壁剪切阻力的共同影响,二者经历短暂的加速过程之后均以一个近似恒定的速度向上抬升。通过考察能量对射流的影响发现,中心射流与附加射流的速度均与充电电压(爆炸能量的1/2次方)呈线性正相关;中心射流形态特征基本不变,附加射流则随能量的变化呈现不同的形态。 相似文献
62.
抑制二次电子倍增效应是提高空间大功率微波器件和粒子加速器等设备性能的重要课题,而使用表面处理降低材料的二次电子发射系数是抑制二次电子倍增的有效手段.为优化寻找抑制效果最好的表面形貌,本文采用蒙特卡罗方法模拟了各种微米量级不同表面形貌的二次电子发射特性,研究占空比、深宽比、结构形状及排列方式等的影响.模拟结果表明,正方形、圆形、三角形凸起和凹陷结构的二次电子发射系数随占空比和深宽比的增大而减小,但存在饱和值;凸起结构的排列方式对二次电子发射系数的影响不大,但是凸起结构形状却对二次电子发射系数的影响较大,其中三角形的抑制效果最佳.对凹陷结构而言,不同形状的抑制效果差别不大;同时,占空比和深宽比相同时,凸起结构较凹陷结构抑制效果更佳.究其原因,核心在于垂直侧壁的“遮挡效应”,凹陷结构遮挡效应的大小与“陷阱”垂直高度有关,而凸起结构遮挡效应的大小和凸起部分的斜方向投影大小有关. 相似文献
63.
考虑人体耦合作用的结构竖向隔振研究 总被引:1,自引:1,他引:0
结构在环境振动或地震作用下的竖向振动不容忽略,有必要采取竖向隔振装置进行减振控制。考虑人体与结构耦合作用后不仅使隔振动力模型更加真实,还可以直接获得人体的动力响应。采用碟形弹簧支座对结构进行基础竖向隔振,并根据国际标准ISO5982规定的不同姿势下的人体动力模型,建立了考虑具有非经典阻尼的人与隔振结构耦合运动方程,利用复模态分析实现了方程的解耦,通过算例分析了竖向隔振以及人体作用对结构响应的影响。结果表明:对于一般的质量和刚度分布均匀的结构,人体对结构具有微弱的减振作用。碟形弹簧支座可以显著地降低结构的竖向振动并改善居住舒适度。 相似文献
64.
Non-recessed-gate quasi-E-mode double heterojunction AIGaN/GaN high electron mobility transistor with high breakdown voltage
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Mi Min-Han Zhang Kai Chen Xing Zhao Sheng-Lei Wang Chong Zhang Jin-Cheng Ma Xiao-Hua Hao Yue 《中国物理 B》2014,(7):677-680
A non-recessed-gate quasi-E-mode double heterojunction A1GaN/GaN high electron mobility transistor (quasi-E- DHEMT) with a thin barrier, high breakdown voltage and good performance of drain induced barrier lowering (DIBL) was presented. Due to the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown 9-nm undoped A1GaN barrier, the effect that the gate metal depleted the two-dimensiomal electron gas (2DEG) was greatly impressed. Therefore, the density of carriers in the channel was nearly zero. Hence, the threshold voltage was above 0 V. Quasi-E-DHEMT with 4.1%tm source-to-drain distance, 2.6-μm gate-to-drain distance, and 0.5-μm gate length showed a drain current of 260 mA/mm. The threshold voltage of this device was 0.165 V when the drain voltage was 10 V and the DIBL was 5.26 mV/V. The quasi-E-DHEMT drain leakage current at a drain voltage of 146 V and a gate voltage of -6 V was below 1 mA/mm. This indicated that the hard breakdown voltage was more than 146 V. 相似文献
65.
66.
67.
碟形扁壳在均布载荷下的非线性稳定分析* 总被引:7,自引:1,他引:6
本文对碟形扁壳的非线性稳定问题进行了分析.用修正迭代法得到了弹性特征的二次近似表达式,给出了一组算例,并讨论了参数β和k对稳定特性的影响. 相似文献
68.
各向异性介质中SH波对有衬砌的任意形半凹陷地形的散射 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究各向异性介质中具有衬砌的凹陷地形对SH波的散射.采用保角映射法[1]求解了有衬砌的凹陷地形对SH波的散射和它的地面位移.利用富氏级数展开方法,将待解的问题归结为一组无穷代数方程组的求解问题.由算例知,在衬砌和凹陷地形附近的地表上.位移幅值的变化是激烈的.当入射波的频率增加时,尤为显著. 相似文献
69.
滑动表面卷吸速度为零时的热弹流润滑分析 总被引:3,自引:4,他引:3
提出了接触处两表面等速反向运动的圆柱间在一定条件下赤存在足够厚的稳态热弹流膜,此时固体表面呈现中凹状、且凹陷深度随勒荷的增加而增大,随表面速度的增加而减小。 相似文献
70.